Nijs

Wichtige materialen dy't de kwaliteit fan monokristallijne silisiumgroei bepale - termysk fjild
troch behearder op 24-06-12
It groeiproses fan monokristallijn silisium wurdt folslein útfierd yn it termyske fjild. In goed termysk fjild is geunstich foar it ferbetterjen fan 'e kwaliteit fan kristallen en hat in hegere kristallisaasje-effisjinsje. It ûntwerp fan it termyske fjild bepaalt foar in grut part de feroaringen yn temperatuergradiënten...
Lês mear
Wat binne de technyske swierrichheden fan in silisiumkarbide kristalgroeioven?
troch behearder op 24-06-07
De kristalgroeioven is de kearnapparatuer foar silisiumkarbidkristalgroei. It is fergelykber mei de tradisjonele kristalgroeioven fan kristallijne silisiumkwaliteit. De ovenstruktuer is net heul yngewikkeld. It bestiet benammen út in ovenlichem, ferwaarmingssysteem, spoeloerdrachtmeganisme...
Lês mear
Wat binne de defekten fan 'e epitaksiale laach fan silisiumkarbid
troch behearder op 24-06-05
De kearntechnology foar de groei fan SiC epitaksiale materialen is earst defektkontrôletechnology, foaral foar defektkontrôletechnology dy't gefoelich is foar apparaatfalen of betrouberensfermindering. De stúdzje fan it meganisme fan substraatdefekten dy't útwreidzje nei de epi...
Lês mear
Oksidearre steande nôt en epitaksiale groeitechnology-Ⅱ
troch behearder op 24-05-30
2. Epitaksiale tinne filmgroei It substraat leveret in fysike stipelaach of geleidende laach foar Ga2O3-krêftapparaten. De folgjende wichtige laach is de kanaallaach of epitaksiale laach dy't brûkt wurdt foar spanningsresistinsje en dragertransport. Om de trochslachspanning te ferheegjen en konsintraasje te minimalisearjen...
Lês mear
Galliumoxide ienkristal en epitaksiale groeitechnology
troch behearder op 24-05-30
Brede bânkloof (WBG) healgelieders fertsjintwurdige troch silisiumkarbid (SiC) en galliumnitride (GaN) hawwe wiidferspraat omtinken krigen. Minsken hawwe hege ferwachtingen foar de tapassingsperspektiven fan silisiumkarbid yn elektryske auto's en stroomnetten, lykas de tapassingsperspektiven fan gallium...
Lês mear
Wat binne de technyske barriêres foar silisiumkarbid? Ⅱ
troch behearder op 24-05-22
De technyske swierrichheden by it stabyl massa-produsearjen fan silisiumkarbidwafers fan hege kwaliteit mei stabile prestaasjes omfetsje: 1) Om't kristallen moatte groeie yn in fersegele omjouwing mei hege temperatuer boppe 2000 °C, binne de easken foar temperatuerkontrôle ekstreem heech; 2) Om't silisiumkarbid ...
Lês mear
Wat binne de technyske barriêres foar silisiumkarbid?
troch behearder op 24-05-22
De earste generaasje healgeleidermaterialen wurdt fertsjintwurdige troch tradisjoneel silisium (Si) en germanium (Ge), dy't de basis foarmje foar de produksje fan yntegreare sirkwy's. Se wurde in soad brûkt yn transistors en detektors mei leechspanning, leechfrekwinsje en leechfermogen. Mear as 90% fan healgeleiderprodukten...
Lês mear
Hoe wurdt SiC-mikropoeier makke?
troch behearder op 24-05-13
SiC-ienkristal is in groep IV-IV gearstald healgeleidermateriaal dat bestiet út twa eleminten, Si en C, yn in stoichiometryske ferhâlding fan 1:1. Syn hurdens is twadde allinich nei diamant. De koalstofreduksjemetoade fan silisiumokside om SiC te meitsjen is benammen basearre op de folgjende gemyske reaksjeformule...
Lês mear
Hoe helpe epitaksiale lagen healgeleiderapparaten?
troch behearder op 24-05-13
De oarsprong fan 'e namme epitaksiale wafer Litte wy earst in lyts konsept popularisearje: wafertarieding omfettet twa wichtige ferbiningen: substraattarieding en epitaksiale proses. It substraat is in wafer makke fan healgeleider ienkristalmateriaal. It substraat kin direkt de waferproduksje yngean...
Lês mear