Neiegkeeten

Wichteg Materialien, déi d'Qualitéit vum monokristalline Siliziumwuesstum bestëmmen – thermescht Feld
vum Admin den 24-06-12
De Wuesstumsprozess vu monokristallinem Silizium gëtt komplett am thermesche Feld duerchgefouert. E gutt thermescht Feld ass bäidroe fir d'Qualitéit vun de Kristaller ze verbesseren an huet eng méi héich Kristallisatiounseffizienz. Den Design vum thermesche Feld bestëmmt gréisstendeels d'Ännerungen an den Temperaturgradienten...
Liest méi
Wat sinn déi technesch Schwieregkeeten vun engem Siliziumkarbid-Kristallwachstufeuewen?
vum Admin den 24-06-07
Den Kristallwuesstumsuewen ass déi zentral Ausrüstung fir Siliziumkarbidkristallwuesstum. En ass ähnlech wéi den traditionellen Kristallwuesstumsuewen aus kristallinem Silizium. D'Uewenstruktur ass net ganz komplizéiert. En besteet haaptsächlech aus dem Uewekierper, dem Heizsystem, dem Spuleniwwerdroungsmechanismus...
Liest méi
Wat sinn d'Mängel vun der epitaktischer Schicht vu Siliziumkarbid?
vum Admin den 24-06-05
Déi zentral Technologie fir de Wuesstum vun epitaktischen SiC-Materialien ass als éischt d'Technologie vun der Defektkontroll, besonnesch fir d'Technologie vun der Defektkontroll, déi ufälleg fir Apparatausfäll oder Zouverlässegkeetsverschlechterung ass. D'Studie vum Mechanismus vu Substratdefekter, déi sech bis an d'Epi...
Liest méi
Oxidéiert stänneg Kären an epitaktesch Wuesstechnologie-Ⅱ
vum Admin den 24-05-30
2. Epitaktesch Dënnschichtwuesstum De Substrat bitt eng kierperlech Ënnerstëtzungsschicht oder leetend Schicht fir Ga2O3-Energieversuergungsgeräter. Déi nächst wichteg Schicht ass d'Kanalschicht oder epitaktesch Schicht, déi fir Spannungswiderstand an Trägertransport benotzt gëtt. Fir d'Duerchbrochspannung ze erhéijen an d'Kontrollen ze minimiséieren...
Liest méi
Galliumoxid-Eenkristall- a epitaktesch Wuesstechnologie
vum Admin den 24-05-30
Breetbandlücke-Halbleiter (WBG), déi duerch Siliziumkarbid (SiC) a Galliumnitrid (GaN) representéiert ginn, hunn eng breet Opmierksamkeet kritt. D'Leit hunn héich Erwaardungen un d'Uwendungsperspektive vu Siliziumkarbid an Elektroautoen a Stroumnetz, souwéi un d'Uwendungsperspektive vu Gallium...
Liest méi
Wat sinn déi technesch Barrièren fir Siliziumkarbid?
vum Admin den 24-05-22
Zu den technesche Schwieregkeeten bei der stabiler Masseproduktioun vun héichwäertege Siliziumcarbid-Wafers mat stabiler Leeschtung gehéieren: 1) Well Kristaller an enger versiegelter Ëmfeld mat héijer Temperatur iwwer 2000°C wuessen mussen, sinn d'Ufuerderunge fir d'Temperaturkontroll extrem héich; 2) Well Siliziumcarbid ...
Liest méi
Wat sinn déi technesch Barrièren fir Siliziumkarbid?
vum Admin den 24-05-22
Déi éischt Generatioun vu Hallefleedermaterialien gëtt duerch traditionellt Silizium (Si) a Germanium (Ge) vertrueden, déi d'Basis fir d'Fabrikatioun vun integréierte Schaltungen bilden. Si gi wäit verbreet an Nidderspannungs-, Nidderfrequenz- a Low-Power-Transistoren an Detektoren agesat. Méi wéi 90% vun den Hallefleederprodukter...
Liest méi
Wéi gëtt SiC-Mikropulver hiergestallt?
vum Admin den 24-05-13
SiC-Eenzelkristall ass e Grupp IV-IV-Verbund-Hallefleitermaterial, dat aus zwee Elementer, Si a C, an engem stöchiometresche Verhältnis vun 1:1 besteet. Seng Häert ass nëmmen no Diamanten déi zweetgréisst. D'Method fir d'Kuelestoffreduktioun vu Siliziumoxid fir SiC ze preparéieren baséiert haaptsächlech op der folgender chemescher Reaktiounsformel...
Liest méi
Wéi hëllefen epitaktesch Schichten Hallefleederkomponenten?
vum Admin den 24-05-13
Den Urspronk vum Numm epitaktische Wafer Loosst eis als éischt e klengt Konzept populariséieren: Wafervirbereedung ëmfaasst zwou Haaptverbindungen: Substratvirbereedung an epitaktische Prozess. De Substrat ass e Wafer aus Hallefleiter-Eenkristallmaterial. De Substrat kann direkt an d'Waferherstellung agoen...
Liest méi