Berriak

Zergatik da silizioa hain gogorra baina hain hauskorra?
administratzaileak 2010-12-24an
Silizioa kristal atomiko bat da, eta bere atomoak elkarri lotura kobalenteen bidez lotuta daude, sare espazial bat osatuz. Egitura honetan, atomoen arteko lotura kobalenteak oso norabidezkoak dira eta lotura-energia handia dute, eta horrek silizioak gogortasun handia erakusten du kanpoko indarrei aurre egitean...
Irakurri gehiago
Zergatik tolesten dira alboko paretak grabatu lehorrean zehar?
administratzaileak 2003ko abenduaren 24an
Ioi bonbardaketaren ez-uniformetasuna Grabatu lehorra normalean efektu fisiko eta kimikoak konbinatzen dituen prozesua da, eta ioi bonbardaketa grabatu fisikoaren metodo garrantzitsua da. Grabatu prozesuan zehar, ioien intzidente angelua eta energia banaketa irregularrak izan daitezke. Ioiak intzidentea badu...
Irakurri gehiago
Hiru CVD teknologia ohikoenen sarrera
administratzaileak 2003ko abenduaren 24an
Lurrun-deposizio kimikoa (CVD) erdieroaleen industrian gehien erabiltzen den teknologia da hainbat material gordailutzeko, besteak beste, isolatzaile-material sorta zabala, metalezko material gehienak eta metalezko aleaziozko materialak. CVD film meheak prestatzeko teknologia tradizionala da. Bere printzipioa...
Irakurri gehiago
Diamanteak beste potentzia handiko erdieroale gailu batzuk ordezka ditzake?
administratzaileak idatzia 2025-11-24an
Gailu elektroniko modernoen oinarrizko elementu gisa, erdieroale materialak aldaketa aurrekaririk gabekoak jasaten ari dira. Gaur egun, diamanteak pixkanaka bere potentzial handia erakusten ari da laugarren belaunaldiko erdieroale material gisa, propietate elektriko eta termiko bikainak eta muturreko baldintzetan egonkortasuna dituelako...
Irakurri gehiago
Zein da CMP-ren planarizazio mekanismoa?
administratzaileak idatzia 2025-11-24an
Damasko bikoitza zirkuitu integratuetan metalezko interkonexioak fabrikatzeko erabiltzen den prozesu-teknologia bat da. Damasko prozesuaren garapen gehiago da. Prozesu-urrats berean zuloak eta ildaskak aldi berean eratuz eta metalez betez, m-ren fabrikazio integratua...
Irakurri gehiago
TaC estaldura duen grafitoa
administratzaileak 2021-11-24an
I. Prozesuaren parametroen azterketa 1. TaCl5-C3H6-H2-Ar sistema 2. Deposizio-tenperatura: Formula termodinamikoaren arabera, kalkulatzen da tenperatura 1273K baino handiagoa denean erreakzioaren Gibbs energia askea oso baxua dela eta erreakzioa nahiko osoa dela. Errea...
Irakurri gehiago
Silizio karburo kristalen hazkuntza prozesua eta ekipamenduen teknologia
administratzaileak 2021-11-24an
1. SiC kristalen hazkuntza-teknologiaren bidea PVT (sublimazio-metodoa), HTCVD (tenperatura altuko CVD), LPE (fase likidoaren metodoa) dira SiC kristalen hazkuntza-metodo ohikoenak; Industrian ezagunena den metodoa PVT metodoa da, eta SiC kristal bakarrekoen % 95 baino gehiago PVT bidez hazten dira...
Irakurri gehiago
Siliziozko Karbonozko Konposite Material Porotsuen Prestaketa eta Errendimendu Hobekuntza
administratzaileak 2013-11-24an
Litio-ioizko bateriak batez ere energia-dentsitate handiko norabidean garatzen ari dira. Giro-tenperaturan, siliziozko elektrodo negatiboko materialek litioarekin aleatzen dira Li3.75Si faseko litio aberatsa den produktua sortzeko, 3572 mAh/g-ko ahalmen espezifikoarekin, teorian baino askoz handiagoa...
Irakurri gehiago
Kristal bakarreko silizioaren oxidazio termikoa
administratzaileak 2013-11-24an
Silizioaren gainazalean silizio dioxidoa eratzeari oxidazioa deritzo, eta silizio dioxido egonkor eta sendo itsasten denaren sorrerak siliziozko zirkuitu integratuen teknologia planarra sortu zuen. Silizio dioxidoa zuzenean silizioaren gainazalean hazteko modu asko badaude ere...
Irakurri gehiago