revêtement SiC revêtu deSubstrat en graphite pour semi-conducteurRevêtement en carbure de silicium,Suscepteur MOCVD,
Substrat en graphite pour semi-conducteur, Suscepteur MOCVD, Revêtement SiC, Revêtement SiC, Revêtement en carbure de silicium pour semi-conducteurs,
Le revêtement SiC du substrat en graphite pour les applications semi-conductrices produit une pièce d'une pureté et d'une résistance supérieures à l'atmosphère oxydante.
Le SiC CVD ou CVI est appliqué au graphite pour des pièces de conception simple ou complexe. Le revêtement peut être appliqué en différentes épaisseurs et sur de très grandes pièces.

Caractéristiques:
· Excellente résistance aux chocs thermiques
· Excellente résistance aux chocs physiques
· Excellente résistance chimique
· Très haute pureté
· Disponibilité sous forme complexe
· Utilisable sous atmosphère oxydante
Propriétés typiques du matériau de base en graphite :
| Densité apparente : | 1,85 g/cm3 |
| Résistivité électrique : | 11 μΩm |
| Résistance à la flexion : | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
| Dureté Shore : | 58 |
| Cendre: | <5 ppm |
| Conductivité thermique : | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |




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Q1 : Quels sont vos prix ?
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