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Substrato di grafite per semiconduttori, Sosceptor MOCVD, Rivestimento in SiC, Rivestimento in SiC, Rivestimento in carburo di silicio per semiconduttori,
rivestimento SiC diSubstrato di grafite per semiconduttoriLe applicazioni producono un componente con purezza superiore e resistenza all'atmosfera ossidante.
Il rivestimento in SiC CVD o CVI viene applicato alla grafite di componenti dal design semplice o complesso. Il rivestimento può essere applicato in spessori variabili e anche su componenti di grandi dimensioni.

Caratteristiche:
· Eccellente resistenza agli shock termici
· Eccellente resistenza agli urti fisici
· Eccellente resistenza chimica
· Purezza elevatissima
· Disponibilità in forme complesse
· Utilizzabile in atmosfera ossidante
Proprietà tipiche del materiale base in grafite:
| Densità apparente: | 1,85 g/cm³ |
| Resistività elettrica: | 11 μΩm |
| Resistenza alla flessione: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
| Durezza Shore: | 58 |
| Cenere: | <5 ppm |
| Conduttività termica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |




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