Revêtement SiC recouvert d'un substrat en graphite pour semi-conducteur, revêtement en carbure de silicium, suscepteur MOCVD

Brève description:

Le revêtement SiC du substrat en graphite pour les applications semi-conducteurs produit une pièce d'une pureté et d'une résistance supérieures à l'atmosphère oxydante.CVD SiC ou CVI SiC est appliqué au graphite de pièces de conception simple ou complexe.Le revêtement peut être appliqué en différentes épaisseurs et sur de très grandes pièces.


  • Lieu d'origine :Zhejiang, Chine (continentale)
  • Numéro de modèle:Numéro de modèle:
  • Composition chimique:Graphite revêtu de SiC
  • Résistance à la flexion:470Mpa
  • Conductivité thermique:300 W/mK
  • Qualité:Parfait
  • Fonction:CVD-SiC
  • Application:Semi-conducteur/Photovoltaïque
  • Densité:3,21 g/cc
  • Dilatation thermique:4 10-6/K
  • Cendre: <5 ppm
  • Échantillon:Disponible
  • Code SH :6903100000
  • Détail du produit

    Mots clés du produit

    Description du produit

    Les avantages particuliers de nos suscepteurs en graphite à revêtement SiC incluent une pureté extrêmement élevée, un revêtement homogène et une excellente durée de vie.Ils possèdent également des propriétés élevées de résistance chimique et de stabilité thermique.

    Le revêtement SiC du substrat en graphite pour les applications semi-conducteurs produit une pièce d'une pureté et d'une résistance supérieures à l'atmosphère oxydante.
    CVD SiC ou CVI SiC est appliqué au graphite de pièces de conception simple ou complexe.Le revêtement peut être appliqué en différentes épaisseurs et sur de très grandes pièces.

    Revêtement SiC/suscepteur MOCVD revêtu

    Caractéristiques:
    · Excellente résistance aux chocs thermiques
    · Excellente résistance aux chocs physiques
    · Excellente résistance chimique
    · Très haute pureté
    · Disponibilité sous forme complexe
    · Utilisable sous Atmosphère Oxydante

    Application:

    2

     

    Propriétés typiques du matériau de base en graphite :

    Densité apparente: 1,85 g/cm3
    Résistivité électrique: 11 μΩm
    Résistance à la flexion : 49 MPa (500 kgf/cm2)
    Dureté Shore : 58
    Cendre: <5 ppm
    Conductivité thermique: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

    Carbone fournit des suscepteurs et des composants en graphite pour tous les réacteurs d'épitaxie actuels.Notre gamme comprend des suscepteurs en baril pour les unités appliquées et LPE, des suscepteurs en crêpe pour les unités LPE, CSD et Gemini, ainsi que des suscepteurs monoplaquettes pour les unités appliquées et ASM. En combinant des partenariats solides avec des équipementiers de premier plan, une expertise en matériaux et un savoir-faire en matière de fabrication, SGL offre la conception optimale pour votre application.

     


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