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Substrato de grafite para semicondutores, Susceptor MOCVD, Revestido com SiC, Revestimento de SiC, Revestimento de carbeto de silício para semicondutores,
revestimento de SiC deSubstrato de grafite para semicondutoresA aplicação resulta em uma peça com pureza superior e resistência à atmosfera oxidante.
A deposição química de silício (SiC) por CVD ou CVI é aplicada ao grafite em peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças de grandes dimensões.

Características:
• Excelente resistência ao choque térmico
• Excelente resistência a impactos físicos
• Excelente resistência química
• Pureza super elevada
• Disponibilidade em formatos complexos
• Pode ser usado em atmosfera oxidante.
Propriedades típicas do material base de grafite:
| Densidade aparente: | 1,85 g/cm³ |
| Resistividade elétrica: | 11 μΩm |
| Resistência à flexão: | 49 MPa (500 kgf/cm²) |
| Dureza da costa: | 58 |
| Cinzas: | <5 ppm |
| Condutividade térmica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |




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