Supports de plaquettes en graphite pour dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD) avec revêtement SiC, suscepteurs en graphite pour épitaxie SiC

Description courte :

 


  • Lieu d'origine :Zhejiang, Chine (continentale)
  • Numéro de modèle :Bateau3004
  • Composition chimique :graphite recouvert de SiC
  • Résistance à la flexion :470 MPa
  • Conductivité thermique :300 W/mK
  • Qualité:Parfait
  • Fonction:CVD-SiC
  • Application:Semiconducteur / Photovoltaïque
  • Densité:3,21 g/cm³
  • Dilatation thermique :4 10-6/K
  • Cendre: <5 ppm
  • Échantillon:Disponible
  • Code SH :6903100000
  • Détails du produit

    Étiquettes de produit

    Supports de plaquettes MOCVD en graphite revêtus de SiC,Suscepteurs en graphitepour l'épitaxie du SiC,
    Les sources de carbone sont des suscepteurs, ÉPITAXIE ET ​​MOCVD, suscepteurs d'épitaxie, Le graphite fournit des suscepteurs, Suscepteurs en graphite, Plateaux en graphite,

    Description du produit

    Le revêtement CVD-SiC présente les caractéristiques suivantes : structure uniforme, matériau compact, résistance aux hautes températures, résistance à l'oxydation, haute pureté, résistance aux acides et aux alcalis et aux réactifs organiques, avec des propriétés physiques et chimiques stables.

    Comparé aux matériaux en graphite de haute pureté, le graphite commence à s'oxyder à 400 °C, ce qui entraîne une perte de poudre due à l'oxydation, provoquant une pollution environnementale des dispositifs périphériques et des chambres à vide, et augmentant les impuretés dans l'environnement de haute pureté.

    Cependant, le revêtement SiC peut maintenir une stabilité physique et chimique à 1600 degrés. Il est largement utilisé dans l'industrie moderne, notamment dans l'industrie des semi-conducteurs.

    Notre entreprise propose des services de revêtement SiC par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur graphite, céramique et autres matériaux. Ce procédé utilise des gaz spécifiques contenant du carbone et du silicium qui réagissent à haute température pour obtenir des molécules de SiC de haute pureté. Ces molécules se déposent ensuite sur la surface des matériaux revêtus, formant une couche protectrice de SiC. Cette couche de SiC adhère fortement au support en graphite, lui conférant des propriétés particulières : une surface compacte, non poreuse, résistante aux hautes températures, à la corrosion et à l’oxydation.

    Application:

    2

    Caractéristiques principales :

    1. Résistance à l'oxydation à haute température :

    La résistance à l'oxydation reste très bonne même à des températures atteignant 1700 °C.

    2. Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur dans des conditions de chloration à haute température.

    3. Résistance à l'érosion : dureté élevée, surface compacte, particules fines.

    4. Résistance à la corrosion : acides, bases, sels et réactifs organiques.

    Principales caractéristiques des revêtements CVD-SIC :

    SiC-CVD

    Densité

    (g/cc)

    3.21

    Résistance à la flexion

    (Mpa)

    470

    dilatation thermique

    (10-6/K)

    4

    conductivité thermique

    (W/mK)

    300

    Capacité d'approvisionnement :

    10 000 pièces par mois
    Emballage et livraison :
    Emballage : Emballage standard et robuste
    Sac en polyéthylène + Boîte + Carton + Palette
    Port:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghai
    Délai de mise en œuvre:

    Quantité (pièces) 1 – 1000 >1000
    Durée estimée (jours) 15 À négocier


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