Tha susbaint gualain gach briseadh sampall sintéirichte eadar-dhealaichte, le susbaint gualain de A-2.5 awt.% san raon seo, a’ cruthachadh stuth dùmhail le cha mhòr gun phòran, a tha air a dhèanamh suas de ghràineanan silicon carbide air an sgaoileadh gu cothromach agus silicon saor. Le àrdachadh ann an cur-ris gualain, bidh susbaint silicon carbide sintéirichte ath-bhualadh ag àrdachadh mean air mhean, bidh meud gràinean silicon carbide ag àrdachadh, agus tha silicon carbide ceangailte ri chèile ann an cumadh cnàimhneach. Ach, faodaidh cus susbaint gualain leantainn gu gualain a tha air fhàgail anns a’ bhodhaig shintéirichte. Nuair a thèid an gualain dubh a mheudachadh tuilleadh gu 3a, chan eil sintearachd an t-sampall iomlan, agus nochdaidh “eadar-fhilleadh” dubha a-staigh.
Nuair a bhios carbon ag ath-bhualadh le silicon leaghte, tha an ìre leudachaidh meud aige 234%, a tha a’ dèanamh meanbh-structar carbide silicon sintichte ath-bhualadh ceangailte gu dlùth ri susbaint a’ charboin anns a’ bhileag. Nuair a tha susbaint a’ charboin anns a’ bhileag beag, chan eil an carbide silicon a thig bhon ath-bhualadh silicon-carbon gu leòr airson na pores timcheall air a’ phùdar charboin a lìonadh, agus mar thoradh air sin bidh meud mòr de silicon saor anns an sampall. Le àrdachadh ann an susbaint a’ charboin anns a’ bhileag, faodaidh carbide silicon sintichte ath-bhualadh na pores timcheall air a’ phùdar charboin a lìonadh gu tur agus an carbide silicon tùsail a cheangal ri chèile. Aig an àm seo, bidh susbaint an t-silicon shaor anns an sampall a’ lùghdachadh agus bidh dùmhlachd a’ chuirp shintichte ag àrdachadh. Ach, nuair a bhios barrachd charboin anns a’ bhileag, bidh an carbide silicon àrd-sgoile a thig bhon ath-bhualadh eadar carbon agus silicon a’ cuairteachadh an tònair gu luath, ga dhèanamh duilich don t-silicon leaghte conaltradh ris an tònair, agus mar thoradh air sin bidh carbon air fhàgail anns a’ bhodhaig shintichte.
A rèir thoraidhean XRD, is e α-SiC, β-SiC agus silicon saor co-dhèanamh ìre an sic air a shintéireachadh le ath-bhualadh.
Ann am pròiseas sintering ath-bhualadh aig teòthachd àrd, bidh ataman gualain a’ gluasad chun staid thùsail air uachdar SiC β-SiC le cruthachadh α-àrd-sgoile silicon leaghte. Leis gur e ath-bhualadh exothermic àbhaisteach a th’ anns an ath-bhualadh silicon-gualain le meud mòr de theas ath-bhualadh, bidh fuarachadh luath às deidh ùine ghoirid de ath-bhualadh àrd-teòthachd gun spionnadh ag àrdachadh fo-shàthachadh gualain a tha air a sgaoileadh ann an silicon leaghaidh, gus am bi na mìrean β-SiC a’ sileadh ann an cruth gualain, agus mar sin a’ leasachadh feartan meacanaigeach an stuth. Mar sin, tha grinneas gràin β-SiC àrd-sgoile buannachdail airson neart lùbadh a leasachadh. Anns an t-siostam co-dhèanta Si-SiC, bidh susbaint an t-silicon shaor anns an stuth a’ lùghdachadh le àrdachadh susbaint gualain anns an stuth amh.
Co-dhùnadh:
(1) Bidh slaodachd an t-slaodaidh shintearachd ath-ghnìomhach ullaichte ag àrdachadh le àrdachadh na tha de charbon dubh ann; Tha an luach pH alcalin agus ag àrdachadh mean air mhean.
(2) Le àrdachadh ann an susbaint gualain anns a’ bhodhaig, dh’àrdaich dùmhlachd agus neart lùbadh a’ cheirmeag shintearachd ath-bhualadh a chaidh ullachadh leis an dòigh brùthaidh an toiseach agus an uairsin lùghdaich iad. Nuair a tha meud a’ charboin dhubh 2.5 uiread na meud tùsail, tha neart lùbadh trì-phuing agus dùmhlachd mòr-chuid a’ bhileag uaine às deidh sintearachd ath-bhualadh glè àrd, is iad sin 227.5mpa agus 3.093g/cm3, fa leth.
(3) Nuair a thèid corp le cus gualain a shintearachd, nochdaidh sgàinidhean agus raointean “ceapaire” dubha ann am bodhaig a’ chuirp. Is e an t-adhbhar airson an sgàineadh nach eil an gas silicon ocsaid a thèid a chruthachadh rè pròiseas an t-sintearachd ath-bhualaidh furasta a leigeil ma sgaoil, bidh e a’ cruinneachadh mean air mhean, bidh an cuideam ag èirigh, agus bidh a bhuaidh jacking ag adhbhrachadh sgàineadh a’ bhilleit. Anns an raon “ceapaire” dubh taobh a-staigh an t-sintearachd, tha tòrr gualain nach eil an sàs anns an ath-bhualadh.
Àm puist: 10 Iuchar 2023