Sgrùdadh Cùise: Co-phàirtean Grafait Àrd-ghlan airson Achaidhean Teirmeach Monocrystalline 32-òirleach ann am Fàs Silicon Seòrsa-N

Ro-ràdh: Dùbhlan Achaidh Teirmeach 32-òirleach ann am Fàs Silicon Seòrsa-N Àrd-Èifeachdais

Mar a bhios gnìomhachas nam photovoltaics ag atharrachadh gu luath bho PERC seòrsa-P gu ceallan grèine TOPCon agus Heterojunction (HJT) seòrsa-N, tha an t-iarrtas airson uaifearan silicon nas purrachd air a dhol suas gu mòr. Feumaidh fo-stratan silicon seòrsa-N fad-beatha giùlain mion-chuid fìor àrd (mar as trice >300 μs) agus truailleadh neo-ghlainead meatailt gluasaid faisg air neoni.

Gus an toradh a mheudachadh, tha luchd-saothrachaidh wafer silicon a’ leudachadh meudan crucible gu 32 òirleach agus nas fhaide. Ach, tha dùbhlain innleadaireachd mòra ann nuair a bhios tu ag obair aig teòthachd nas àirde na 1,450 ° C ann an raon teirmeach 32 òirleach:

1. Crìonadh Teirmeach & Neo-chothromachd:Bidh caiseadan teirmeach mòra ag adhbhrachadh deformachadh structarail agus sgàineadh ann an teasadairean agus peidestalan grafait àbhaisteach.
2. Truailleadh Meatailt Luath-luaineach:Bidh eileamaidean neo-ghlainead beaga (Fe, Ni, Cu, V) ann an grafait àbhaisteach a’ falmhachadh nuair a bhios criostalan air an tarraing airson ùine mhòr, a’ gluasad gu dìreach a-steach don t-silicon leaghte agus ag adhbhrachadh crìonadh mòr fad-beatha giùlan mion-chuid.

Fuasgladh Innleadaireachd: Sgàilean Grafait Isostatach Ultra-ghlan & SiC CVD

Gus faighinn thairis air na cnapan-starra teicnigeach seo, chuir VeTek Semiconductor ùrachadh stuthan coileanta an sàs air feadh an t-seanadh achaidh teirmeach 32-òirleach gu lèir, anns an robh grafait isostatach àrd-dùmhlachd air a chur fo ghlanadh halogen aig teòthachd àrd agus còmhdach dìona CVD Silicon Carbide (SiC).

1. Glanadh domhainn halogain (susbaint luaithre ≤ 2-5 ppm)

Tha luaithre mhòr ann an grafait gnìomhachais àbhaisteach eadar 50 ppm agus 200 ppm. Aig 1,450°C fo fhalamh, bidh na h-eileamaidean lorg seo a’ luaineachadh. Bidh am Pròiseas Glanaidh Gas Halogen Àrd-Teòthachd againn fhèin ag atharrachadh neo-chunbhalachdan meatailteach gu bhith nan todhar halogen luaineach (clòraidean/fluoraidean) aig teòthachd os cionn 2,400°C.

• Deuchainn Speictreamachd Tomad Sgaoilidh Glow (GDMS)a’ dearbhadh gu bheil neo-chunbhalachdan meatailteach iomlan (Fe, Cr, Ni, Cu, V) air an lughdachadh gu nas lugha na 0.5 ppm, a’ coileanadh susbaint luaithre iomlan de ≤ 2 ppm.
• Toradh:A’ cur às do sgaoileadh gas meatailteach sa chùl-raon, a’ dìon amar an t-silicon leaghte bho thruailleadh rè 120+ uair a thìde de chuairtean tarraing leantainneach.

2. Structar Grafait Isostatach Àrd-Dùmhlachd airson Seasmhachd Teirmeach

Tha na pàirtean, nam measg an teasadair grafait, an glacadair crois-bhùird, agus am baraille inslitheachaidh, air an innealachadh à grafait isostatach àrd-dùmhlachd (1.85 g/cm³), gràin-mhìn (meud gràin <10 μm). Bidh brùthadh isostatach a’ dèanamh cinnteach à leudachadh teirmeach isotropic (CTE) cunbhalach, a’ cur casg air cuideam teirmeach ionadail, lùbadh, agus sgàineadh meacanaigeach fo chuairtean teirmeach ath-aithris.

3. Còmhdach dìonach CVD Silicon Carbide (SiC)

Tha co-phàirtean deatamach a tha fosgailte do cheò silicon agus gasaichean purgaidh creimneach air an còmhdach le sreath dùmhail 50–80 μm de Silicon Carbide (SiC) airson Tasgadh Ceimigeach Ceò (CVD).

• Bacadh Creimeadh:A’ cur casg air ath-bhualadh ceimigeach dìreach eadar ceò silicon luaineach (SiO2) agus an t-substrate grafait (SiO2 + 2C → SiC + CO2), a’ cur às do chreimeadh uachdar agus gineadh duslach gualain.
• Mionaideachd Geoimeatrach:A’ cumail suas geoimeatraidh achaidh teirmeach mionaideach thairis air eadar-amaichean seirbheis 30% nas fhaide.

Dàta Coileanaidh Tomhaiste & Dearbhadh Deuchainnean Achaidh

Chaidh deuchainn achaidh coimeasach 6-mìosan a dhèanamh air 50 àmhainn CZ 32-òirleach aig sgèile cinneasachaidh aig goireas saothrachaidh uaifearan silicon TOPCon ìre 1. Gu h-ìosal tha an comharra-tomhais coileanaidh a’ dèanamh coimeas eadar co-phàirtean grafait àbhaisteach an aghaidh fuasgladh achaidh teirmeach glan VeTek Semiconductor:

Ceistean Bitheanta (FAQ)

Co-dhùnadh & Co-chomhairle Theicnigeach

Tha ùrachadh gu co-phàirtean grafait isostatach air an glanadh gu mòr le dìon CVD SiC a’ toirt seachad slighe dhìreach, tomhaiste gu bhith a’ fuasgladh bhacaidhean toraidh agus neo-ghlainead ann am fàs silicon monocrystalline seòrsa-N 32-òirleach. Le leasachadh 18% ann an toradh prìomh agus fad-beatha raon teirmeach leudaichte 30%, faodaidh luchd-saothrachaidh wafer grèine ROI mòr a choileanadh.