Tiùb Silicon Carbide SSIC RBSIC SiC Tiùb Silicon

Tuairisgeul Goirid:

Carbide silicon sintéirichte gun chuideam (SSIC)air a dhèanamh le bhith a’ cleachdadh pùdar SiC glè mhìn anns a bheil stuthan cur-ris sintering. Tha e air a phròiseasadh le bhith a’ cleachdadh dhòighean cruthachaidh àbhaisteach airson ceirmeag eile agus air a shintering aig 2,000 gu 2,200° C ann an àile gas neo-ghnìomhach. A bharrachd air dreachan mìn-ghràin, le meudan gràin < 5 um, tha dreachan garbh-ghràin le meudan gràin suas ri 1.5 mm rim faighinn.

Cuir post-d thugainn Luchdaich sìos mar PDF

Mion-fhiosrachadh Toraidh

Tagaichean Bathar

Carbaid Silicon SSIC RBSIC Tiùb SiC Tiùb Silicon

Tha SSIC air a chomharrachadh le neart àrd a chumas cha mhòr seasmhach suas ri teòthachd glè àrd (timcheall air 1,600° C), a’ cumail suas an neart sin thar ùine mhòr!

Buannachdan toraidh:

Frith-aghaidh ocsaididh aig teòthachd àrd

Frith-aghaidh creimeadh sàr-mhath

Deagh strì an aghaidh sgrìobadh

Co-èifeachd àrd giùlain teas
Fèin-lubricity, dùmhlachd ìosal
Cruas àrd
Dealbhadh gnàthaichte.

Feartan teicnigeach:

Nithean	Aonad	Dàta
Cruas	HS	≥110
Ìre Porosity	%	<0.3
Dlùths	g/cm3	3.10-3.15
teannachaidh	MPa	>2200
Neart Brisidh	MPa	>350
Co-èifeachd leudachaidh	10/°C	4.0
Susbaint Sic	%	≥99
Seoltachd teirmeach	W/mk	>120
Modúl Leaghach	GPa	≥400
Teòthachd	°C	1380