Siliciumcarbide SSIC RBSIC SiC-buis Siliciumbuis

Korte beschrijving:

Drukloos gesinterd siliciumcarbide (SSIC)Wordt geproduceerd met zeer fijn SiC-poeder met sinteradditieven. Het wordt verwerkt met behulp van voor andere keramiek typische vormgevingsmethoden en gesinterd bij 2000 tot 2200 °C in een inerte gasatmosfeer. Naast fijnkorrelige versies met korrelgroottes < 5 µm zijn er grofkorrelige versies met korrelgroottes tot 1,5 mm beschikbaar.

Stuur ons een e-mail Downloaden als PDF

Productdetails

Productlabels

Siliciumcarbide SSIC RBSIC SiC-buis Siliciumbuis

Drukloos gesinterd siliciumcarbide (SSIC)Wordt geproduceerd met zeer fijn SiC-poeder met sinteradditieven. Het wordt verwerkt met behulp van voor andere keramiek typische vormgevingsmethoden en gesinterd bij 2.000 tot 2.200 °C in een inerte gasatmosfeer. Naast fijnkorrelige versies met korrelgroottes < 5 µm zijn er grofkorrelige versies met korrelgroottes tot 1,5 mm beschikbaar.

SSIC onderscheidt zich door een hoge sterkte die zelfs bij zeer hoge temperaturen (circa 1.600° C) vrijwel constant blijft en die sterkte ook over lange tijd behoudt!

Productvoordelen:

Hoge temperatuur oxidatiebestendigheid

Uitstekende corrosiebestendigheid

Goede slijtvastheid

Hoge warmtegeleidingscoëfficiënt
Zelf-smerend, lage dichtheid
Hoge hardheid
Aangepast ontwerp.

Technische eigenschappen:

Artikelen	Eenheid	Gegevens
Hardheid	HS	≥110
Porositeitsgraad	%	<0,3
Dikte	g/cm3	3.10-3.15
Samendrukkend	MPa	>2200
Breuksterkte	MPa	>350
Uitzettingscoëfficiënt	10/°C	4.0
Inhoud van Sic	%	≥99
Thermische geleidbaarheid	W/mk	>120
Elastische modulus	GPa	≥400
Temperatuur	°C	1380