ဆီလီကွန်ကာဗိုက် SSIC RBSIC SiC Tube ဆီလီကွန်ပိုက်
ဖိအားကင်းစင်သော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SSIC)အလွန်ကောင်းမွန်သော SiC အမှုန့်ကို sintering additives များပါ ၀ င်သည်။ အခြားကြွေထည်ပစ္စည်းများအတွက် ပုံမှန်ဖွဲ့စည်းပုံနည်းလမ်းများကို အသုံးပြု၍ ပြုပြင်ပြီး 2,000 မှ 2,200 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် မငြိမ်မသက်ဓာတ်ငွေ့လေထုတွင် လောင်ကျွမ်းစေပါသည်။ ထို့အပြင် စပါးအရွယ်အစား < 5 um ရှိသော စပါးအရွယ်အစား 1.5 မီလီမီတာအထိရှိသော ဂျုံကြမ်းဗားရှင်းများကို ရရှိနိုင်ပါသည်။
SSIC သည် အလွန်မြင့်မားသောအပူချိန်များ (ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 1,600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အထိ) အဆက်မပြတ်နီးပါးရှိနေသော မြင့်မားသောခွန်အားဖြင့် ခွဲခြားသိမြင်နိုင်သည် ။
ထုတ်ကုန်အားသာချက်များ
မြင့်မားသောအပူချိန် oxidation ခုခံ
အလွန်ကောင်းမွန်သော Corrosion ခုခံမှု
Abrasion ခံနိုင်ရည်ကောင်းသည်။
မြင့်မားသောအပူကူးယူနိုင်စွမ်း
ကိုယ်ပိုင်ချောဆီ၊ သိပ်သည်းဆနည်း
မြင့်မားမာကျော
စိတ်ကြိုက်ဒီဇိုင်း။
နည်းပညာဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ-
| ပစ္စည်းများ | ယူနစ် | ဒေ |
| မာကျောခြင်း။ | HS | ≥110 |
| Porosity နှုန်း | % | <0.3 |
| သိပ်သည်းမှု | g/cm3 | ၃.၁၀-၃.၁၅ |
| နှိမ်သည်။ | MPa | >၂၂၀၀ |
| ကျိုးပဲ့ခိုင်ခန့်မှု | MPa | > ၃၅၀ |
| ချဲ့ထွင်ခြင်း၏ကိန်းဂဏန်း | 10/°C | 4.0 |
| Sic အကြောင်းအရာ | % | ≥99 |
| အပူစီးကူးမှု | W/mk | >၁၂၀ |
| Elastic Modulus | ဂျီပီ | ≥400 |
| အပူချိန် | °C | ၁၃၈၀ |


-
China Sintered Silicon Carbid အတွက် တရုတ်စက်ရုံ...
-
CVD SiC Coated ကာဗွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစပ် CFC လှေ...
-
CVD sic coating စီစီပေါင်းစပ်တံ၊ ဆီလီကွန်ကာဘီ...
-
စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကာဗွန်ဂရပ်ဖိုက်ဘုရှ်ကွင်းများ၊ ဆီလီကွန်...
-
Refractory Ceramic Bonded Silicon Carbide SiC C...
-
S အတွက် Silicon Carbide Coated Graphite Substrate...
-
CVD Silicon Carbide Coating MOCVD Susceptor
-
Metal Me အတွက် High Temperature Graphite Crucible...
-
Melti အတွက် Silicon Carbide Sic Graphite Crucible...
-
Silicon Carbide SiC Graphite Crucible, Ceramic...
-
Silicon Carbide SSIC RBSIC SiC Tube Silicon Tube
-
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် sic လက်စွပ် 3mm ဆီလီကွန်လက်စွပ်
-
ဈေးနှုန်းချိုသာသော ဂရပ်ဖိုက်ပြွန်၊ ချွေးပေါက်နည်းသော ကြီးမားသော dia...








