Carbure de silicium fritté sans pression (SSIC)Il est fabriqué à partir d'une poudre de SiC très fine contenant des additifs de frittage. Il est mis en œuvre selon des procédés de formage typiques des autres céramiques et fritté entre 2 000 et 2 200 °C sous atmosphère de gaz inerte. Outre des versions à grains fins (< 5 µm), des versions à grains grossiers (jusqu'à 1,5 mm) sont disponibles.

Le SSIC se distingue par une résistance élevée qui reste presque constante jusqu'à des températures très élevées (environ 1 600 °C), maintenant cette résistance sur de longues périodes !

Avantages du produit :

Résistance à l'oxydation à haute température

Excellente résistance à la corrosion

Bonne résistance à l'abrasion

Coefficient de conductivité thermique élevé
Autolubrification, faible densité
Dureté élevée
Conception personnalisée.

Caractéristiques techniques :