GDE એ ગેસ ડિફ્યુઝન ઇલેક્ટ્રોડનું સંક્ષેપ છે, જેનો અર્થ ગેસ ડિફ્યુઝન ઇલેક્ટ્રોડ થાય છે. ઉત્પાદન પ્રક્રિયામાં, ઉત્પ્રેરકને ગેસ ડિફ્યુઝન સ્તર પર સહાયક શરીર તરીકે કોટેડ કરવામાં આવે છે, અને પછી GDE ને પ્રોટોન મેમ્બ્રેનની બંને બાજુએ ગરમ દબાવીને મેમ્બ્રેન ઇલેક્ટ્રોડ બનાવવા માટે ગરમ દબાવવામાં આવે છે.
આ પદ્ધતિ સરળ અને પરિપક્વ છે, પરંતુ તેના બે ગેરફાયદા છે. પ્રથમ, તૈયાર કરેલું ઉત્પ્રેરક સ્તર જાડું હોય છે, જેના માટે વધુ Pt લોડની જરૂર પડે છે, અને ઉત્પ્રેરક ઉપયોગ દર ઓછો હોય છે. બીજું, ઉત્પ્રેરક સ્તર અને પ્રોટોન પટલ વચ્ચેનો સંપર્ક ખૂબ નજીક નથી, જેના પરિણામે ઇન્ટરફેસ પ્રતિકાર વધે છે, અને પટલ ઇલેક્ટ્રોડનું એકંદર પ્રદર્શન ઊંચું નથી. તેથી, GDE પટલ ઇલેક્ટ્રોડ મૂળભૂત રીતે દૂર કરવામાં આવ્યું છે.
કાર્ય સિદ્ધાંત:
કહેવાતા ગેસ વિતરણ સ્તર ઇલેક્ટ્રોડની મધ્યમાં સ્થિત છે. ખૂબ ઓછા દબાણ સાથે, ઇલેક્ટ્રોલાઇટ્સ આ છિદ્રાળુ સિસ્ટમમાંથી વિસ્થાપિત થાય છે. નાનો પ્રવાહ પ્રતિકાર ખાતરી કરે છે કે ગેસ ઇલેક્ટ્રોડની અંદર મુક્તપણે વહે છે. સહેજ વધારે હવાના દબાણ પર, છિદ્ર પ્રણાલીમાં ઇલેક્ટ્રોલાઇટ્સ કાર્યકારી સ્તર સુધી મર્યાદિત હોય છે. સપાટીના સ્તરમાં જ એટલા બારીક છિદ્રો હોય છે કે ગેસ ઇલેક્ટ્રોડમાંથી ઇલેક્ટ્રોલાઇટમાં પ્રવેશી શકતો નથી, ટોચના દબાણ પર પણ. આ ઇલેક્ટ્રોડ વિક્ષેપ અને ત્યારબાદ સિન્ટરિંગ અથવા ગરમ દબાવીને બનાવવામાં આવે છે. બહુસ્તરીય ઇલેક્ટ્રોડ ઉત્પન્ન કરવા માટે, બારીક દાણાવાળા પદાર્થોને મોલ્ડમાં વિખેરવામાં આવે છે અને સુંવાળું કરવામાં આવે છે. પછી, અન્ય સામગ્રીને બહુવિધ સ્તરોમાં લાગુ કરવામાં આવે છે અને દબાણ લાગુ કરવામાં આવે છે.
પોસ્ટ સમય: ફેબ્રુઆરી-27-2023