SiC એપિટેક્સિયલ ભાગો

SiC એપિટેક્સિયલ ગ્રોથ માટે અદ્યતન CVD કોટિંગ્સ

ભારે થર્મલ તણાવ (૧૫૦૦°C - ૧૭૦૦°C) હેઠળ કાર્યરત ઉચ્ચ-શક્તિવાળા સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણ પ્રક્રિયાઓ માટે તૈયાર કરાયેલ, અમારા CVD SiC અને TaC કોટેડ પ્લેનેટરી સસેપ્ટર્સ, સેટેલાઇટ ડિસ્ક અને ગેસ ડિફ્લેક્ટર્સ શ્રેષ્ઠ બનાવવા માટે બનાવવામાં આવ્યા છે. કણોનું ઉત્પાદન, સપાટીના અધોગતિ અને પ્રતિક્રિયાશીલ ગેસ એચિંગ (H₂, SiH₄, C₃H∯) ને રોકવા માટે રચાયેલ, અમારા અદ્યતન કોટિંગ્સ લાંબા કાર્યકારી જીવનકાળ, શ્રેષ્ઠ ડોપન્ટ નિયંત્રણ અને ઉચ્ચ ફિલ્મ જાડાઈ એકરૂપતા સુનિશ્ચિત કરે છે.6-ઇંચ અને 8-ઇંચ SiC એપિટેક્સિયલ વેફર્સ.

અતિ-ઉચ્ચ તાપમાન સ્થિરતા

ગંભીર H₂/સાઇલેન ઘટાડતા વાતાવરણમાં 1700°C સુધી થર્મલી સ્થિર.

ગ્રેડિયન્ટ CTE મેચિંગ

ઝડપી થર્મલ ચક્ર દરમિયાન કોટિંગ ડિલેમિનેશન, માઇક્રો-ક્રેકિંગ અને સ્પેલિંગને દૂર કરે છે.

8-ઇંચ વેફર સ્કેલ રેડીનેસ

આગામી પેઢીના હાઇ-થ્રુપુટ SiC Epi રિએક્ટર (LPE, Aixtron, Nuflare) માટે તૈયાર કરાયેલ પ્રિસિઝન CNC મશીનિંગ.

ટેકનિકલ પરિમાણ સ્પષ્ટીકરણ મૂલ્ય માનક / પરીક્ષણ પદ્ધતિ
કોટિંગ સામગ્રી વિકલ્પો CVD SiC / ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ (TaC) ઉચ્ચ-શુદ્ધતા હર્મેટિક સ્તર
બેઝ સબસ્ટ્રેટ શુદ્ધ આઇસોસ્ટેટિક ગ્રેફાઇટ જથ્થાબંધ અશુદ્ધિ < 5 પીપીએમ
થર્મલ શોક પ્રતિકાર ડેલ્ટા T > 500°C રેમ્પ રેટ કોઈ તિરાડ / છાલ નહીં
સપાટીની ખરબચડીતા (Ra) ≤ 0.4 μm (મિરર પોલિશ્ડ) વેફર ચોંટતા અને કણોને અટકાવે છે
વોટ્સએપ ઓનલાઈન ચેટ!