સિલિકોન એપિટાક્સી (Si Epi) માટે CVD SiC કોટેડ ઘટકો

સિંગલ-વેફર અને બેચ સિલિકોન એપિટેક્સિયલ ડિપોઝિશન સિસ્ટમ્સ માટે પ્રિસિઝન-એન્જિનિયર્ડ, અમારા CVD SiC કોટેડ સસેપ્ટર્સ, સેટેલાઇટ ડિસ્ક અને થર્મલ ફિલ્ડ ઘટકો ઉત્કૃષ્ટ થર્મલ એકરૂપતા અને શૂન્ય આઉટગેસિંગ પ્રદાન કરે છે. ઉચ્ચ-ઘનતા ક્યુબિક β-SiC કોટિંગ સ્તર ઉચ્ચ-શુદ્ધતા ગ્રેફાઇટ સબસ્ટ્રેટને સંપૂર્ણપણે સમાવી લે છે, પ્રતિક્રિયાશીલ ગેસ એચિંગ (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) ને અટકાવે છે અને ઉચ્ચ-તાપમાન Si Epi પ્રોસેસિંગ (1000°C - 1200°C) દરમિયાન અતિ-નીચા ધાતુની અશુદ્ધિ સ્તર (< 5 ppm) ની ખાતરી આપે છે.