SiC लेपित ससेटपोर विभिन्न अर्धचालक विनिर्माण प्रक्रियाओं में उपयोग किया जाने वाला एक प्रमुख घटक है। हम अत्यंत उच्च शुद्धता, अच्छी कोटिंग एकरूपता और उत्कृष्ट सेवा जीवन के साथ-साथ उच्च रासायनिक प्रतिरोध और थर्मल स्थिरता गुणों के साथ SiC लेपित ससेटपोर बनाने के लिए अपनी पेटेंट तकनीक का उपयोग करते हैं।
हमारे उत्पादों की विशेषताएं:
1. 1700℃ तक उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध।
2. उच्च शुद्धता और तापीय एकरूपता
3. उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, नमक और कार्बनिक अभिकर्मक।
4. उच्च कठोरता, सघन सतह, महीन कण।
5. लंबी सेवा जीवन और अधिक टिकाऊ
| सीवीडी SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC के बुनियादी भौतिक गुणकलई करना | |
| 性质 / संपत्ति | 典型数值 / विशिष्ट मूल्य |
| यह बहुत अच्छा है / क्रिस्टल की संरचना | एफसीसी β चरण多晶,主要为(111）取向 |
| 密度 / घनत्व | 3.21 ग्राम/सेमी³ |
| 硬度 / कठोरता | 2500 ग्राम वजन (500 ग्राम लोड) |
| 晶粒大小 / अनाज आकार | 2~10μm |
| 纯度 /रासायनिक शुद्धता | 99.99995% |
| 热容 / ताप की गुंजाइश | 640 जे·किग्रा-1·के-1 |
| 升华温度 / ऊर्ध्वपातन तापमान | 2700℃ |
| 抗弯强度 / आनमनी सार्मथ्य | 415 एमपीए आरटी 4-पॉइंट |
| 杨氏模量 /यंग का मापांक | 430 जीपीए 4पीटी बेंड, 1300℃ |
| 导热系数 / थर्माएलप्रवाहकत्त्व | 300W·m-1·के-1 |
| 热膨胀系数 / थर्मल विस्तार (सीटीई) | 4.5×10-6K-1 |
हमारे कारखाने का दौरा करने के लिए आपका हार्दिक स्वागत है, आइए आगे चर्चा करें!
