| CVD SiC薄膜基本식물리성能 CVD SiC의 기본 물리적 특성코팅 | |
| 성별 / 재산 | 典型数值 / 대표값 |
| 晶体结构 / 결정구조 | FCC β상多晶,主要为(111) 取向 |
| 크기 / 밀도 | 3.21g/cm³ |
| 정도 / 경도 | 2500 维氏硬도(500g 부하) |
| 晶粒大小 / 입자 크기 | 2~10μm |
| 정도 / 화학적 순도 | 99.99995% |
| 발열 / 열용량 | 640J·kg-1·케이-1 |
| 升华温도 / 승화온도 | 2700℃ |
| 抗弯强島 / 굴곡강도 | 415MPa RT 4점 |
| 杨氏模량 / 영률 | 430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃ |
| 导熭系数 / 써마엘전도도 | 300W·m-1·케이-1 |
| 热膨胀系数 / 열팽창(CTE) | 4.5×10-6K-1 |
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