Pandan fabrikasyon semi-kondiktè ap evolye nan direksyon pou pi piti jeyometri aparèy, pi gwo debi waf, ak estanda kontwòl kontaminasyon ki pi strik, ekipman pwosesis tèmik ap fè fas ak defi enjenyè san parèy. Pwosesis tankou LPCVD, oksidasyon tèmik, difizyon dopan, ak rekui tanperati ki wo kounye a mande non sèlman yon inifòmite tanperati ki pi sere, men tou yon tan ekipman ki pi long, mwens jenerasyon patikil, ak yon repetabilite pwosesis ki amelyore.
Malgre ke yo souvan neglije li konpare ak gaz pwosesis, tib founo, oswa pwodui chimik depo, palèt cantilever la detèmine fondamantalman kijan waf yo konpòte yo andedan anviwònman tanperati ki wo. Nan anpil faktori avanse, yo pa konsidere li kòm yon senp eleman konsomab ankò, men pito kòm yon materyèl kle pou pwosesis semi-kondiktè ki estab e ki ka repete.
Ki sa ki yon palèt cantilever SiC?
Yon Palèt Cantilever SiC se yon konpozan estriktirèl carbure Silisyòm ki gen anpil pite epi ki itilize prensipalman nan founo difizyon semi-kondiktè ak sistèm LPCVD. Li tipikman fèt kòm yon estrikti travès cantilever long ki kapab sipòte bato kwatz oswa wafer SiC pandan pwosesis tanperati ki wo.
Anjeneral, yo fabrike konpozan an lè l sèvi avèk:
● carbure Silisyòm rekristalize (RSiC)
● Silisyòm carbure depoze pa vapè chimik (CVD SiC)
● materyèl SiC ki gen gwo dansite epi ki lye pa reyaksyon
Selon done materyèl ki pibliye pa CoorsTek ak Saint-Gobain Performance Ceramics, materyèl SiC ki gen gwo pite tipikman montre:
● Konduktivite tèmik: apeprè 120–200 W/m·K nan tanperati chanm
● Tanperati maksimòm fonksyònman nan atmosfè inaktif: pi wo pase 1600°C.
● Koyefisyan ekspansyon tèmik (CTE): apeprè 4.0–4.5×10⁻⁶/K.
● Ekselan rezistans a HCl, NH₃, O₂, ak pwosesis chimik klorin.
Wòl Palèt Cantilever SiC nan Pwosesis LPCVD
Pami tout aplikasyon yo, sistèm LPCVD reprezante youn nan ka itilizasyon ki pi enpòtan pou pale Cantilever SiC yo.
Pwosesis tankou:
● depo polisilikon.
● Silisyòm nitrure (Si₃N₄).
● depo oksid anba presyon ba.
Tipikman opere ant 500°C ak 900°C, souvan anba sik pwosesis long ak anviwònman chimik trè reyaktif.
Anndan sistèm sa yo, palèt cantilever la fè plizyè fonksyon esansyèl an menm tan.
Premyèman, li bay yon transpò mekanik ki estab pou bato wafer k ap antre epi k ap sòti nan tib founo a. Paske founo vètikal modèn yo ka pote plizyè santèn wafer pa pakèt, menm yon ti defòmasyon nan pagay la ka lakòz move aliyman wafer la, espasman enstab, oswa akimilasyon estrès mekanik.
Dezyèmman, palèt la jwe yon wòl enpòtan nan inifòmite tèmik la. Konduktivite tèmik SiC a ki wo pèmèt chalè a distribye pi inifòmman sou estrikti sipò a, sa ki minimize gradyan tèmik lokalize ki ka afekte inifòmite depo a.
Twazyèmman, jenerasyon patikil ki ba enpòtan anpil. Patikil semi-kondiktè yo se asasen dirèk nan sede, espesyalman nan pwodiksyon lojik avanse ak semi-kondiktè pouvwa. Akòz estrikti seramik dans li yo ak gwo rezistans korozyon li, SiC ki gen gwo pite a diminye anpil risk pou patikil yo pèdi konpare ak materyèl tradisyonèl yo.
Nan liy pwodiksyon LPCVD avanse yo, estabilite dimansyonèl alontèm pagay la gen yon enpak dirèk sou:
● konsistans epesè fim nan.
● repetabilite ant wafer ak wafer.
● tan fonksyònman founo a.
Ningbo VET Energy espesyalize nan grafit avanse, seramik carbure Silisyòm, ak konpozan semi-kondiktè kouvri ak CVD ki fèt pou anviwònman fabrikasyon semi-kondiktè ki difisil.
Pwodwi semi-kondiktè debaz yo enkli:
● Pagèt Cantilever SiC
● SiC kouvwi Graphite Susceptor
● SiC kouvri wafer Carrier
● Konpozan Halfmoon kouvri ak SiC
● Kreuz konpoze kabòn-kabòn
● Felt Grafit Mou & Felt Grafit Rijid
Pwodui sa yo lajman itilize nan:
● Sistèm epitaksi
● Reaktè LPCVD yo
● Founo difizyon
● Sistèm kwasans kristal SiC
● Ekipman pou pwosesis tèmik ki fonksyone nan tanperati ki wo.
Avèk kwasans rapid nan fabrikasyon SiC ak semi-kondiktè avanse, demann pou konpozan founo ki gen gwo pite ak gwo estabilite ap kontinye ogmante. Nan kontèks sa a, teknoloji SiC Cantilever Paddle ap rete youn nan eleman fondamantal ki sipòte pwosesis semi-kondiktè pwochen jenerasyon an.
Dat piblikasyon: 14 Me 2026