Di xetên hilberîna mezinbûna krîstala SiC de, gelek endezyar li ser sêwirana herêma germ, xêzên kontrolkirina germahiyê û formulasyona tozê disekinin. Lê gava ku guherînên berhemê çêdibin, sedema bingehîn pir caran vedigere heman pêkhateyê - xaçerê. Ew ronahî dernaxe, nazivire, û di nexşeyan de wekî "parametreyek bingehîn" xuya nake. Lê heke tebeqeyek ji rûyê veqete, krîstalek li cîhek xelet çêbibe, an jî hinekî zêde karbon ji quncikekê derkeve, kêmasiyên ku li seranserê boule derdikevin tiştek eşkere dikin: ev pêkhate ji rolek piştgirî dûr e.
Hebûna zêde yaXalûlên grafîtê yên bi SiC pêçayîDi firneyên mezinbûna krîstalên nîvconductor de ravekirinek hêsan heye: germahî, atmosfer û şiddeta veguhastina materyalê di herêma mezinbûnê de sînorên performansa materyalê zêde dikin. Grafît di warê berxwedana germî, makînekirin û veguhastina germê de pir baş e - lê ew bi mîzaca xwe tê: volatîlîzasyon, permeabilîtî., reaksiyona kîmyewî bi cureyên buharê an qirêjiyan re, û xetereyên neçar ên tozbûn û çêbûna perçeyan. Pêça SiC wekî astengiyek hişk li dijî van xalên êşê tevdigere.
Çima li ser Kulîlkên Grafîtê Pêçek SiC bikar bînin?
Sê sedemên sereke:
1. Kêmkirina volatîlîzasyon û reaktîvîteya karbonê
Grafît di germahiyên bilind de, hetta di bin gaza bêbandor de jî, dest bi sublîmasyonê dike. Karbona ku derdikeve di dema mezinbûna PVT de kîmyaya qonaxa buharê diguherîne, destwerdanê li kînetîkên depoyê dike û çêbûna kêmasiyan an jî meylên mezinbûna nearam pêş dixe.
2. Çavkaniyên qirêjbûnê sînordar bikin
Tew grafîta paqijiya bilind a bi awayekî îzostatîkî hatiye pêçandin jî xwedî mîkro-poran e û meyla wê ya xwezayî heye ku cureyên wekî pêşmadeyên buharê, berhemên alîgir, an şilbûnê bikişîne. Ev dikarin paşê di dema xebitandina di germahiya bilind de werin berdan, ku paqijiya krîstalê dixe xeterê. Pêçek SiC poran digire û paqijiya jîngehê zêde dike.
3. Temenê dirêj bike û şikestinê tepeser bike
Piştî gelek ceribandinan, rûyên grafîtê meyla hilweşandinê dikin: tozbûn, qelişîn, mîkroşikestin, û asêbûna materyalê. Ev dibe sedema qirêjbûna perçeyan û berhemdariya kêmtir. Pêçek SiC ya zexm dikare mekanîzmayên têkçûnê yên weha bi girîngî dereng bixe, yekparçeyî û pêbaweriya rûyê biparêze.
Kontrola Pêvajoya Pêçandinê Baweriya Crucible Diyar Dike
Rêbaza pêçandina sereke ev e Nexweşiyên dil û damaran(Depozîsyona Buxara Kîmyayî) ya SiC ya polîkrîstalîn. Ew gihîştî û ji hêla germî ve sabît e. Lêbelê, hebûna pêçekê têrê nake - cûdahiya rastîn di performansa zeviyê de bi hûrguliyên piçûk ên wekî:
● Yekrengiya stûriya pêçandinê
Geometrîyên tevlihev ên xaçerêyî - gav, xêz, fîlet - deverên siya an jî kêm-çûn diafirînin ku tê de qalindahiya pêçanê dikare ji normên diyarkirî kêmtir bibe. Ev deverên zirav di bin zexta germî de dibin yên yekem ku hilweşin.
Çare:Pêşkêşvanê pêçanê divê xwedî pergalên kontrolkirina qada herikîna 3D ya rastîn û zivirîna dînamîk be da ku veşartina yekreng, hetta li ser perçeyên tevlihev jî, misoger bike.
● Densiya pêçandinê û rakirina qulika pin
Eger parametreyên CVD (guherînên germahiyê, rêjeyên gazê, dema mayînê) bi baldarî neyên kontrol kirin, dibe ku qulên mîkroskopîk çêbibin. Ev dibin xalên destpêkirina têkçûnê dema ku karbon direve û korozyona herêmî çêdibe.
Servekirin:Qalindahiya bingehîn û vekolîna dîtbarî têrê nakin. Ji bo tespîtkirina porozîteya veşartî, ceribandinên rijandina helyûmê an ceribandina windakirina giraniya mayî li seranserê gelek çerxên germî bikar bînin.
● Hêza pêvekirinê û berxwedana stresa germî
SiC û grafît xwedî katsayiyên berfirehbûna germî yên cuda ne. Ger zexta mayî di pêçanê de neyê kêmkirin, an jî hişkbûna/pêş-dermankirina rûyê têrê neke, di dema çerxandina germî de dibe ku veqetandin çêbibe.
Rêbazên çêtirîn:Berî pêçandinê, paqijkirina bi teqîna qûmê û paqijkirina bi ultrasonê ve kontrol bikin, û berxwedana stresa germî bi çerxandina rastîn a firnê piştrast bikin.
Modên Têkçûnê yên Hevpar û Bandora Wan li ser Krîstal
| Moda Têkçûna Crucible | Encamên Potansiyel |
|---|---|
| Çala Pin → Reva karbonê ya herêmî | Depozîtasyona bêkontrol → Dendika kêmasiyên bilind |
| Rakirina pêçanê | Gemarbûna perçeyên SiC → Kêmasiyên perçeyan, çêbûna navikên parazît |
| Berhevkirina depoya dîwarê hundir | Berhevkirina stresa germî → Şikestinên herêmî, şikestinên qiraxan |
| Rengveguherîn/spîbûna rû | Berhevkirina berhemên alî → Têketina nepakiyê, guherîna rengan |
Di hilberînê de, gava ku kelepçe xera dibe, bandora wê pir caran ne tenê çend ppm e, lê belê windabûna tevahî ya beş û çend hefteyan ji bo têkçûna kapasîteyê ye. Ev ne tenê pirsgirêkek maddî ye - ew pirsgirêkek aramiya pergalê ye.
Dema weşandinê: 21ê rêbendana 2026an