Pêşkêşkirina OEM Çînê Silicon Carbide ya Kesk a Hêja ji bo Pêçandina Girêdayî

Danasîna Kurt:

Pêçandina SiC ya substrata grafîtê ji bo sepanên nîvconductor perçeyek bi paqijiyek bilind û berxwedana li hember atmosfera oksîdasyonê çêdike. CVD SiC an CVI SiC li ser Grafîta perçeyên bi sêwirana hêsan an tevlihev tê sepandin. Pêçandin dikare bi qalindahiyên cûda û li ser perçeyên pir mezin were sepandin.


  • Cihê Jêderkê:Zhejiang, Çîn (Girtî)
  • Hejmara Modelê:Hejmara Modelê:
  • Pêkhateya Kîmyayî:Grafîta pêçayî ya SiC
  • Hêza xwarbûnê:470Mpa
  • Gehînerîya germî:300 W/mK
  • Çêwe:Lhevderketî
  • Karkirin:CVD-SiC
  • Bikaranînî:Nîvconductor / Fotovoltaic
  • Tîrbûn:3.21 g/cc
  • Berfirehbûna germî:4 10-6/K
  • Xwelî: <5ppm
  • Mînak:Berdest e
  • Koda HS:6903100000
  • Hûrguliyên Berhemê

    Etîketên Berheman

    Ji bo ku em razîbûna zêde ya xerîdaran bicîh bînin, me ekîba xwe ya bihêz heye ku piştgiriya me ya giştî ya çêtirîn pêşkêş bike, ku tê de kirrûbirra, dahat, çêkirin, hilberîn, rêveberiya hêja, pakkirin, embarkirin û lojîstîk ji bo Dabînkirina OEM China ya Silicon Carbide ya Kesk a Silicon a Hêja ji bo Materyalên Abrazîv ên Bi Pêçayî hene, qalîteya bilind, xizmeta di wextê xwe de û rêjeya êrîşkar, hemîyan di warê materyalên pêşkeftî de, tevî pêşbaziya dijwar a navneteweyî, navûdengek hêja ji me re qezenc dikin.

    Danasîna Berhemê

    Avantajên taybetî yên süsceptorên grafîtê yên bi pêçandina SiC-ê paqijiya pir bilind, pêçandina homojen û temenê karûbarê hêja ne. Her wiha berxwedana wan a kîmyewî û taybetmendiyên aramiya germî yên bilind hene.

    Pêçandina SiC ya substrata grafîtê ji bo sepanên nîvconductor perçeyek bi paqijiyek bilind û berxwedana li hember atmosfera oksîdasyonê çêdike.
    CVD SiC an CVI SiC li ser Grafîtê perçeyên bi sêwirana sade an tevlihev tê sepandin. Rûpûşkirin dikare bi qalindahiyên cûda û li ser perçeyên pir mezin were sepandin.

    Pêçandina SiC/pêçandina MOCVD Susceptor

    Taybetmendî:
    · Berxwedana Şoka Germahî ya Hêja
    · Berxwedana Şoka Fizîkî ya Hêja
    · Berxwedana Kîmyewî ya Hêja
    · Paqijiya Zêde Bilind
    · Berdestbûn di Şiklê Aloz de
    · Di bin Atmosfera Oksîdasyonê de tê bikaranîn

    Bikaranînî:

    2

     

    Taybetmendiyên Tîpîk ên Materyalê Grafîtê yê Bingehîn:

    Tîrbûna Xuya: 1.85 g/cm3
    Berxwedana Elektrîkê: 11 μΩm
    Hêza Bertengbûnê: 49 MPa (500kgf/cm2)
    Hişkbûna Kêlekê: 58
    Xwelî: <5ppm
    Gehîneriya Termal: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

    Karbon ji bo hemî reaktorên epitaksî yên heyî süsceptor û pêkhateyên grafît peyda dike. Portfoliyoya me süsceptorên bermîl ji bo yekîneyên sepandî û LPE, süsceptorên pancake ji bo yekîneyên LPE, CSD, û Gemini, û süsceptorên yek-wafer ji bo yekîneyên sepandî û ASM vedihewîne. Bi hevberkirina hevkariyên xurt bi OEM-ên pêşeng, pisporiya materyalan û zanîna çêkirinê re, VET sêwirana çêtirîn ji bo serîlêdana we pêşkêş dike.

     


  • Pêşî:
  • Piştî:

  • Sohbeta Serhêl a WhatsAppê!