Nagsusuplay ng OEM China na Mahusay na Sic Green Silicon Carbide para sa Bonded Coated

Itinatampok na Larawan ng Bonded Coated na may Mataas na Kalidad na Sic Green Silicon Carbide mula sa Tsina

Maikling Paglalarawan:

Ang SiC coating ng Graphite substrate para sa mga aplikasyon ng Semiconductor ay nakakagawa ng isang bahagi na may superior na kadalisayan at resistensya sa oxidizing atmosphere. Ang CVD SiC o CVI SiC ay inilalapat sa Graphite ng mga simple o kumplikadong disenyo ng mga bahagi. Ang coating ay maaaring ilapat sa iba't ibang kapal at sa napakalaking mga bahagi.

Lugar ng Pinagmulan:Zhejiang, China (Mainland)

Numero ng Modelo:Numero ng Modelo:

Komposisyong Kemikal:SiC coated grapayt

Lakas ng pagbaluktot:470Mpa

Kondaktibiti ng init:300 W/mK

Kalidad:Perpekto

Tungkulin:CVD-SiC

Aplikasyon:Semikonduktor /Photovoltaic

Densidad:3.21 g/cc

Pagpapalawak ng init:4 10-6/K

Abo: <5ppm

Halimbawa:Magagamit

Kodigo ng HS:6903100000

Magpadala ng email sa amin I-download bilang PDF

Detalye ng Produkto

Mga Tag ng Produkto

Upang matugunan ang labis na inaasahang kasiyahan ng mga customer, mayroon kaming matibay na pangkat upang mag-alok ng aming pinakamahusay na pangkalahatang suporta na kinabibilangan ng marketing, kita, pagbuo, produksyon, mahusay na pamamahala, pag-iimpake, pag-iimbak at logistik para sa Supply OEM China Excellent Sic Green Silicon Carbide para sa Bonded Coated Abrasives. Mataas na kalidad, napapanahong serbisyo at agresibong rate, lahat ng ito ay nagbibigay sa amin ng mahusay na katanyagan sa advanced na larangan ng materyal sa kabila ng matinding kompetisyon sa internasyonal.

Ang mga espesyal na bentahe ng aming SiC-coated graphite susceptors ay kinabibilangan ng napakataas na kadalisayan, homogenous coating, at mahusay na buhay ng serbisyo. Mayroon din silang mataas na kemikal na resistensya at thermal stability properties.

Ang SiC coating ng Graphite substrate para sa mga aplikasyon ng Semiconductor ay nakakagawa ng bahaging may superior na kadalisayan at resistensya sa oxidizing atmosphere.
Ang CVD SiC o CVI SiC ay inilalapat sa Graphite ng mga simple o kumplikadong disenyo ng mga bahagi. Ang patong ay maaaring ilapat sa iba't ibang kapal at sa napakalaking mga bahagi.

SiC coating/coated MOCVD Susceptor

Mga Tampok:
· Napakahusay na Paglaban sa Thermal Shock
· Napakahusay na Pisikal na Paglaban sa Pagkabigla
· Napakahusay na Paglaban sa Kemikal
· Napakataas na Kadalisayan
· Availability sa Complex na Hugis
· Magagamit sa ilalim ng Oxidizing Atmosphere

Aplikasyon:

Karaniwang mga Katangian ng Materyal na Base Graphite:

Tila Densidad:	1.85 g/cm3
Resistivity ng Elektrisidad:	11 μΩm
Lakas ng Pagbaluktot:	49 MPa (500kgf/cm2)
Katigasan ng Baybayin:	58
Abo:	<5ppm
Konduktibidad ng Termal:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Ang Carbon ay nagsusuplay ng mga susceptor at graphite component para sa lahat ng kasalukuyang epitaxy reactor. Kasama sa aming portfolio ang mga barrel susceptor para sa mga applied at LPE unit, pancake susceptor para sa mga LPE, CSD, at Gemini unit, at single-wafer susceptor para sa mga applied at ASM unit. Sa pamamagitan ng pagsasama-sama ng matibay na pakikipagsosyo sa mga nangungunang OEM, kadalubhasaan sa mga materyales, at kaalaman sa pagmamanupaktura, nag-aalok ang VET ng pinakamainam na disenyo para sa iyong aplikasyon.