Fornecimento OEM da China de excelente carbeto de silício verde (Sic) para revestimento aderido.

Descrição resumida:

O revestimento de SiC em substrato de grafite para aplicações em semicondutores produz uma peça com pureza superior e resistência a atmosferas oxidantes. O SiC depositado por CVD ou CVI é aplicado em grafite para peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças de grandes dimensões.


  • Local de origem:Zhejiang, China (continente)
  • Número do modelo:Número do modelo:
  • Composição química:grafite revestido com SiC
  • Resistência à flexão:470Mpa
  • Condutividade térmica:300 W/mK
  • Qualidade:Perfeito
  • Função:CVD-SiC
  • Aplicativo:Semicondutores / Fotovoltaicos
  • Densidade:3,21 g/cc
  • Expansão térmica:4 10-6/K
  • Cinzas: <5 ppm
  • Amostra:Disponível
  • Código HS:6903100000
  • Detalhes do produto

    Etiquetas do produto

    Para atender às expectativas de satisfação dos clientes, contamos com uma equipe robusta que oferece o melhor suporte integral, incluindo marketing, vendas, desenvolvimento, produção, gestão de excelência, embalagem, armazenagem e logística para o fornecimento de carboneto de silício verde (Sic) de excelente qualidade para abrasivos revestidos e aglomerados, fabricado na China para OEMs. Alta qualidade, serviço pontual e preços competitivos nos garantem uma excelente reputação no setor de materiais avançados, mesmo diante da intensa concorrência internacional.

    Descrição do produto

    As vantagens especiais dos nossos susceptores de grafite revestidos com SiC incluem pureza extremamente alta, revestimento homogêneo e excelente vida útil. Eles também apresentam alta resistência química e estabilidade térmica.

    O revestimento de SiC em substrato de grafite para aplicações em semicondutores produz uma peça com pureza superior e resistência a atmosferas oxidantes.
    A deposição química de silício (SiC) por CVD ou CVI é aplicada ao grafite em peças de design simples ou complexo. O revestimento pode ser aplicado em diversas espessuras e em peças de grandes dimensões.

    Revestimento de SiC/Susceptor MOCVD revestido

    Características:
    • Excelente resistência ao choque térmico
    • Excelente resistência a impactos físicos
    • Excelente resistência química
    • Pureza super elevada
    • Disponibilidade em formatos complexos
    • Pode ser usado em atmosfera oxidante.

    Aplicativo:

    2

     

    Propriedades típicas do material base de grafite:

    Densidade aparente: 1,85 g/cm³
    Resistividade elétrica: 11 μΩm
    Resistência à flexão: 49 MPa (500 kgf/cm²)
    Dureza da costa: 58
    Cinzas: <5 ppm
    Condutividade térmica: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

    A Carbon fornece susceptores e componentes de grafite para todos os reatores de epitaxia atuais. Nosso portfólio inclui susceptores cilíndricos para unidades de epitaxia aplicada e LPE, susceptores planos para unidades LPE, CSD e Gemini, e susceptores de wafer único para unidades de epitaxia aplicada e ASM. Combinando parcerias sólidas com OEMs líderes, conhecimento especializado em materiais e know-how de fabricação, a VET oferece o design ideal para sua aplicação.

     


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