Lieferung von OEM China Ausgezeichnetes Sic Green Siliziumkarbid für gebundene Beschichtung

Kurze Beschreibung:

Die SiC-Beschichtung von Graphitsubstraten für Halbleiteranwendungen erzeugt Bauteile mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegen oxidierende Atmosphäre. CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit einfacher oder komplexer Bauteile aufgebracht. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Dicken und auf sehr große Bauteile aufgebracht werden.


  • Herkunftsort:Zhejiang, China (Festland)
  • Modellnummer:Modellnummer:
  • Chemische Zusammensetzung:SiC-beschichteter Graphit
  • Biegefestigkeit:470 MPa
  • Wärmeleitfähigkeit:300 W/mK
  • Qualität:Perfekt
  • Funktion:CVD-SiC
  • Anwendung:Halbleiter/Photovoltaik
  • Dichte:3,21 g/cm³
  • Wärmeausdehnung:4 10-6/K
  • Asche: <5 ppm
  • Probe:Verfügbar
  • HS-Code:6903100000
  • Produktdetail

    Produkt Tags

    Um die über den Erwartungen liegenden Erwartungen unserer Kunden zu erfüllen, verfügen wir über ein starkes Team, das unseren besten Rundum-Support bietet, der Marketing, Vertrieb, Entwicklung, Produktion, exzellentes Management, Verpackung, Lagerung und Logistik für die Versorgung mit erstklassigem grünem Siliziumkarbid (SIC) von OEM China für gebundene beschichtete Schleifmittel umfasst. Hohe Qualität, pünktlicher Service und ein aggressiver Preis sichern uns trotz der intensiven internationalen Konkurrenz einen ausgezeichneten Ruf im Bereich der modernen Materialien.

    Produktbeschreibung

    Besondere Vorteile unserer SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren sind ihre extrem hohe Reinheit, homogene Beschichtung und hervorragende Lebensdauer. Zudem zeichnen sie sich durch eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität aus.

    Durch die SiC-Beschichtung eines Graphitsubstrats für Halbleiteranwendungen entsteht ein Teil mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.
    CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von einfachen oder komplexen Konstruktionsteilen aufgebracht. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Dicken und auf sehr große Teile aufgetragen werden.

    SiC-Beschichtung/beschichteter MOCVD-Suszeptor

    Merkmale:
    · Ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit
    · Hervorragende physikalische Stoßfestigkeit
    · Ausgezeichnete chemische Beständigkeit
    · Superhohe Reinheit
    · Verfügbarkeit in komplexer Form
    · Verwendbar unter oxidierender Atmosphäre

    Anwendung:

    2

     

    Typische Eigenschaften des Graphit-Basismaterials:

    Scheinbare Dichte: 1,85 g/cm³
    Elektrischer Widerstand: 11 μΩm
    Biegefestigkeit: 49 MPa (500 kgf/cm²)
    Shore-Härte: 58
    Asche: <5 ppm
    Wärmeleitfähigkeit: 116 W/mK (100 kcal/mh-℃)

    Carbon liefert Suszeptoren und Graphitkomponenten für alle gängigen Epitaxiereaktoren. Unser Portfolio umfasst Barrel-Suszeptoren für angewandte und LPE-Einheiten, Pancake-Suszeptoren für LPE-, CSD- und Gemini-Einheiten sowie Single-Wafer-Suszeptoren für angewandte und ASM-Einheiten. Durch die Kombination aus starken Partnerschaften mit führenden OEMs, Materialexpertise und Fertigungs-Know-how bietet VET das optimale Design für Ihre Anwendung.

     


  • Vorherige:
  • Nächste:

  • WhatsApp Online Chat!