Em dizanin ku em tenê wê demê pêş dikevin eger em karibin reqabet û kalîteya xwe ya hevbeş di heman demê de ji bo Dabînkerên Top ên Gewr Reş Silicon Carbide Sic Carborundum China High Purity garantî bikin. Em xerîdarên nû û berê ji her qadên jiyanê pêşwazî dikin ku ji bo têkiliyên rêxistinî yên pêşerojê yên pêşbînîkirî bi me re biaxivin û destkeftiyên hevbeş bi dest bixin!
Em dizanin ku em tenê wê demê pêş dikevin ger em karibin di heman demê de pêşbaziya bihayê û kalîteya xwe ya hevgirtî ji bo berjewendiyan garantî bikin.Materyalê Rûpêçê ya Çînê, Tîtanyûm DîoksîtŞîrketa me giyanê "nûjenî, aheng, xebata tîmî û parvekirin, rê û rêbazên pratîk" diparêze. Derfetekê bidin me û em ê şiyana xwe îspat bikin. Bi alîkariya we ya xweş, em bawer dikin ku em dikarin bi hev re pêşerojek geş biafirînin.
Karbon / kompozîtên karbonê(ji vir û pê ve wekî "C / C an CFC”) cureyekî materyalê kompozît e ku li ser bingeha karbonê ye û bi fîbera karbonê û berhemên wê (pêşforma fîbera karbonê) tê xurtkirin. Hem bêbandoriya karbonê û hem jî hêza bilind a fîbera karbonê heye. Taybetmendiyên mekanîkî yên baş, berxwedana germê, berxwedana korozyonê, şilkirina sürtûnê û taybetmendiyên rêvebirina germî û elektrîkê hene.
CVD-SiCRûpûş xwedî taybetmendiyên avahiya yekreng, materyalê kompakt, berxwedana germahiya bilind, berxwedana oksîdasyonê, paqijiya bilind, berxwedana asîd û alkalî û reaktîfa organîk e, bi taybetmendiyên fîzîkî û kîmyewî yên stabîl.
Li gorî materyalên grafîtê yên paqijiya bilind, grafît di 400°C de dest bi oksîdasyonê dike, ku ev yek dibe sedema windabûna tozê ji ber oksîdasyonê, di encamê de qirêjiya jîngehê ji bo cîhazên periferîk û odeyên valahiyê çêdibe, û qirêjiyên jîngeha paqijiya bilind zêde dibe.
Lêbelê, pêçandina SiC dikare aramiya fîzîkî û kîmyewî li 1600 pileyan biparêze, Ew bi berfirehî di pîşesaziya nûjen de, nemaze di pîşesaziya nîvconductor de, tê bikar anîn.
Şirketa me xizmetên pêvajoya pêçandina SiC bi rêbaza CVD li ser rûyê grafît, seramîk û materyalên din peyda dike, da ku gazên taybetî yên ku karbon û silîkonê dihewînin di germahiya bilind de reaksiyon bikin da ku molekulên SiC yên paqijiya bilind bistînin, molekul li ser rûyê materyalên pêçandî têne danîn, û qata parastinê ya SIC-ê pêk tînin. SIC-ya ku çêdibe bi zexmî bi bingeha grafîtê ve girêdayî ye, ku taybetmendiyên taybetî dide bingeha grafîtê, bi vî rengî rûyê grafîtê kompakt, bê porozîte, berxwedana germahiya bilind, berxwedana korozyonê û berxwedana oksîdasyonê dike.
Taybetmendiyên sereke:
1. Berxwedana oksîdasyonê ya germahiya bilind:
Berxwedana oksîdasyonê hîn jî pir baş e dema ku germahî bigihêje 1600 C.
2. Paqijiya bilind: bi danîna buxara kîmyewî di bin şert û mercên klorînê yên germahiya bilind de tê çêkirin.
3. Berxwedana li hember erozyonê: hişkbûna bilind, rûbera kompakt, perçeyên zirav.
4. Berxwedana li hember korozyonê: asîd, alkalî, xwê û reagentên organîk.
Taybetmendiyên sereke yên pêçanên CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Tîrbûn | (g/cc)
| 3.21 |
| Hêza xwarbûnê | (Mpa)
| 470 |
| Berfirehbûna germî | (10-6/K) | 4
|
| Gehînerîya germî | (W/mK) | 300
|
