Awọn olupese oke Grey Dudu Silicon Carbide Sic Carborundum China High Purity

Àpèjúwe Kúkúrú:


Àlàyé Ọjà

Àwọn àmì ọjà

A mọ̀ pé a ń ṣe àṣeyọrí nìkan bí a bá lè ṣe ìdánilójú pé iye owó wa àti pé a ní àǹfààní ní àkókò kan náà fún àwọn Olùpèsè tó ga jùlọ Grey Black Silicon Carbide Sic Carborundum China High Purity, A ń gba àwọn oníbàárà tuntun àti àwọn oníbàárà tó ti wà tẹ́lẹ̀ láti gbogbo ìgbésí ayé wa láti bá wa sọ̀rọ̀ fún àwọn ìbáṣepọ̀ àjọ tó ṣeé fojú rí lọ́jọ́ iwájú àti láti gba àṣeyọrí gbogbogbòò!
A mọ̀ pé a lè ṣe àṣeyọrí nìkan tí a bá lè rí i dájú pé àpapọ̀ ìdíje owó wa àti dídára wa ní àǹfààní ní àkókò kan náà fúnOhun elo Aṣọ China, Títáímọ́nì Díọ́kísdìIlé-iṣẹ́ wa ń gbé ẹ̀mí “àtúnṣe tuntun, ìṣọ̀kan, iṣẹ́ ẹgbẹ́ àti pípín, àwọn ipa ọ̀nà, ìlọsíwájú tó ṣeé ṣe”. Fún wa ní àǹfààní, a ó sì fi agbára wa hàn. Pẹ̀lú ìrànlọ́wọ́ rere yín, a gbàgbọ́ pé a lè ṣẹ̀dá ọjọ́ iwájú tó dára pẹ̀lú yín papọ̀.

Àpèjúwe Ọjà

Àwọn àkópọ̀ erogba / erogba(tí a ń pè ní “"C/C tàbí CFC") jẹ́ irú ohun èlò àdàpọ̀ kan tí a gbé ka orí erogba tí a sì fi okun erogba àti àwọn ọjà rẹ̀ (preform carbon fiber) fún un lágbára. Ó ní inertia ti erogba àti agbára gíga ti okun erogba. Ó ní àwọn ànímọ́ ẹ̀rọ tí ó dára, resistance ooru, resistance ipata, ideru ìfọ́mọ́ra àti àwọn ànímọ́ conductivity ooru àti itanna.

CVD-SiCìbòrí náà ní àwọn ànímọ́ bí ìṣètò ìṣọ̀kan, ohun èlò kékeré, resistance otutu gíga, resistance oxidation, ìwà mímọ́ gíga, resistance acid & alkali àti reagent organic, pẹ̀lú àwọn ohun-ini ti ara àti kemikali tí ó dúró ṣinṣin.

Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn ohun èlò graphite tí ó mọ́ tónítóní, graphite bẹ̀rẹ̀ sí í bàjẹ́ ní 400C, èyí tí yóò fa pípadánù lulú nítorí ìfọ́sídájú, èyí tí yóò yọrí sí ìbàjẹ́ àyíká sí àwọn ẹ̀rọ àyíká àti àwọn yàrá afẹ́fẹ́, àti pé yóò mú kí àwọn ohun àìmọ́ ti àyíká tí ó mọ́ tónítóní pọ̀ sí i.

Sibẹsibẹ, ibora SiC le ṣetọju iduroṣinṣin ti ara ati kemikali ni awọn iwọn 1600, O ti lo ni ibigbogbo ni ile-iṣẹ ode oni, paapaa ni ile-iṣẹ semiconductor.

Ilé-iṣẹ́ wa ń ṣe iṣẹ́ ìtọ́jú SiC nípasẹ̀ ọ̀nà CVD lórí ojú graphite, àwọn ohun èlò amọ̀ àti àwọn ohun èlò míràn, kí àwọn gáàsì pàtàkì tí ó ní erogba àti silicon lè ṣiṣẹ́ ní iwọ̀n otútù gíga láti gba àwọn ohun èlò SiC mímọ́ tó ga, àwọn ohun èlò tí a gbé sórí ojú àwọn ohun èlò tí a fi bo, tí wọ́n sì ń ṣe àkójọ ààbò SIC. SIC tí a ṣe ni a so mọ́ ìpìlẹ̀ graphite dáadáa, tí ó fún ìpìlẹ̀ graphite ní àwọn ànímọ́ pàtàkì, nípa bẹ́ẹ̀, ó ń jẹ́ kí ojú graphite náà jẹ́ kékeré, láìsí Porosity, resistance otutu gíga, resistance ipata àti resistance oxidation.

 Ṣíṣe àwọ̀ SiC lórí ojú graphite tí ó ní àwọn ohun tí ó lè fa ìfàsẹ́yìn MOCVD

Awọn ẹya pataki:

1. Agbara ifoyina otutu giga:

Agbara oxidation naa tun dara pupọ nigbati iwọn otutu ba ga to 1600 C.

2. Ìmọ́tótó gíga: tí a ṣe nípasẹ̀ ìforúkọsílẹ̀ èéfín kẹ́míkà lábẹ́ ipò chlorine tí ó wà ní iwọ̀n otútù gíga.

3. Àìlègbé ìfọ́: líle gíga, ojú tí ó kéré, àwọn pàtákì díẹ̀.

4. Àìlera ìbàjẹ́: ásíìdì, alkali, iyọ̀ àti àwọn ohun èlò ìṣàn ara.

 

Àwọn Ìlànà Pàtàkì ti Àwọn Àwọ̀ CVD-SIC:

SiC-CVD

Ìwọ̀n

(g/cc)

3.21

Agbára ìrọ̀rùn

(Mpa)

470

Ìfẹ̀sí ooru

(10-6/K)

4

Agbara itusilẹ ooru

(W/mK)

300

Àwọn Àwòrán Kíkúnrẹ́rẹ́

Ṣíṣe àwọ̀ SiC lórí ojú graphite tí ó ní àwọn ohun tí ó lè fa ìfàsẹ́yìn MOCVDṢíṣe àwọ̀ SiC lórí ojú graphite tí ó ní àwọn ohun tí ó lè fa ìfàsẹ́yìn MOCVDṢíṣe àwọ̀ SiC lórí ojú graphite tí ó ní àwọn ohun tí ó lè fa ìfàsẹ́yìn MOCVDṢíṣe àwọ̀ SiC lórí ojú graphite tí ó ní àwọn ohun tí ó lè fa ìfàsẹ́yìn MOCVDṢíṣe àwọ̀ SiC lórí ojú graphite tí ó ní àwọn ohun tí ó lè fa ìfàsẹ́yìn MOCVD

Ìwífún Ilé-iṣẹ́

111

Awọn Ẹrọ Ile-iṣẹ

222

Ilé ìkópamọ́

333

Àwọn ìwé-ẹ̀rí

Àwọn ìwé-ẹ̀rí22

 


  • Ti tẹlẹ:
  • Itele:

  • Iwiregbe lori ayelujara WhatsApp!