சிவிடி-எஸ்ஐசிபூச்சு சீரான அமைப்பு, சிறிய பொருள், அதிக வெப்பநிலை எதிர்ப்பு, ஆக்சிஜனேற்ற எதிர்ப்பு, அதிக தூய்மை, அமிலம் மற்றும் கார எதிர்ப்பு மற்றும் கரிம மறுஉருவாக்கம் ஆகியவற்றின் பண்புகளைக் கொண்டுள்ளது, நிலையான இயற்பியல் மற்றும் வேதியியல் பண்புகளைக் கொண்டுள்ளது.

அதிக தூய்மை கொண்ட கிராஃபைட் பொருட்களுடன் ஒப்பிடும்போது, ​​கிராஃபைட் 400C இல் ஆக்சிஜனேற்றம் அடையத் தொடங்குகிறது, இது ஆக்சிஜனேற்றம் காரணமாக தூள் இழப்பை ஏற்படுத்தும், இதன் விளைவாக புற சாதனங்கள் மற்றும் வெற்றிட அறைகளுக்கு சுற்றுச்சூழல் மாசுபாடு ஏற்படுகிறது மற்றும் அதிக தூய்மையான சூழலின் அசுத்தங்களை அதிகரிக்கிறது.

இருப்பினும், SiC பூச்சு 1600 டிகிரியில் இயற்பியல் மற்றும் வேதியியல் நிலைத்தன்மையை பராமரிக்க முடியும், இது நவீன தொழில்துறையில், குறிப்பாக குறைக்கடத்தி துறையில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது.

எங்கள் நிறுவனம் கிராஃபைட், மட்பாண்டங்கள் மற்றும் பிற பொருட்களின் மேற்பரப்பில் CVD முறை மூலம் SiC பூச்சு செயல்முறை சேவைகளை வழங்குகிறது, இதனால் கார்பன் மற்றும் சிலிக்கான் கொண்ட சிறப்பு வாயுக்கள் அதிக வெப்பநிலையில் வினைபுரிந்து உயர் தூய்மையான SiC மூலக்கூறுகளைப் பெறுகின்றன, பூசப்பட்ட பொருட்களின் மேற்பரப்பில் படிந்த மூலக்கூறுகள், SIC பாதுகாப்பு அடுக்கை உருவாக்குகின்றன. உருவாக்கப்பட்ட SIC கிராஃபைட் தளத்துடன் உறுதியாக பிணைக்கப்பட்டுள்ளது, கிராஃபைட் தளத்திற்கு சிறப்பு பண்புகளை அளிக்கிறது, இதனால் கிராஃபைட்டின் மேற்பரப்பு கச்சிதமான, போரோசிட்டி இல்லாத, அதிக வெப்பநிலை எதிர்ப்பு, அரிப்பு எதிர்ப்பு மற்றும் ஆக்சிஜனேற்ற எதிர்ப்பு ஆகியவற்றை உருவாக்குகிறது.

முக்கிய அம்சங்கள்:

1. உயர் வெப்பநிலை ஆக்சிஜனேற்ற எதிர்ப்பு:

வெப்பநிலை 1600 C வரை அதிகமாக இருக்கும்போது ஆக்சிஜனேற்ற எதிர்ப்பு இன்னும் நன்றாக இருக்கும்.

2. அதிக தூய்மை: அதிக வெப்பநிலை குளோரினேஷன் நிலையில் இரசாயன நீராவி படிவு மூலம் தயாரிக்கப்படுகிறது.

3. அரிப்பு எதிர்ப்பு: அதிக கடினத்தன்மை, சிறிய மேற்பரப்பு, நுண்ணிய துகள்கள்.

4. அரிப்பு எதிர்ப்பு: அமிலம், காரம், உப்பு மற்றும் கரிம எதிர்வினைகள்.

CVD-SIC பூச்சுகளின் முக்கிய விவரக்குறிப்புகள்: