Badakigu gure prezioen lehiakortasuna eta kalitatea aldi berean abantailatsuak direla bermatzen badugu bakarrik aurrera egiten dugula Top Suppliers Grey Black Silicon Carbide Sic Carborundum China High Purity-rentzat. Bizitzako esparru guztietako bezero berriak eta zaharrak ongi etorriak dira etorkizuneko erakunde harremanetarako eta elkarrekiko lorpenak lortzeko gurekin hitz egitera!
Badakigu gure prezioen lehiakortasuna eta kalitatea aldi berean abantailagarriak direla bermatzen badugu bakarrik aurrera egingo dugula.Txinako estaldura-materiala, Titanio dioxidoaGure enpresak "berrikuntza, harmonia, talde-lana eta partekatzea, ibilbideak, aurrerapen pragmatikoa" espiritua mantentzen du. Eman iezaguzu aukera bat eta gure gaitasuna frogatuko dugu. Zure laguntza eskuzabalarekin, uste dugu etorkizun distiratsu bat sor dezakegula zurekin batera.
Karbono / karbono konpositeak(aurrerantzean “C/C edo CFC”) karbonoz oinarritutako eta karbono-zuntzez eta bere produktuez (karbono-zuntz aurreformaz) indartutako material konposatu mota bat da. Karbonoaren inertzia eta karbono-zuntzaren erresistentzia handia ditu. Ezaugarri mekaniko onak, beroarekiko erresistentzia, korrosioarekiko erresistentzia, marruskaduraren moteltzea eta eroankortasun termiko eta elektrikoaren ezaugarriak ditu.
CVD-SiCEstaldurak egitura uniformea, material trinkoa, tenperatura altuarekiko erresistentzia, oxidazioarekiko erresistentzia, purutasun handikoa, azido eta alkaliekiko erresistentzia eta erreaktibo organikoa ditu ezaugarri, propietate fisiko eta kimiko egonkorrak dituelarik.
Grafitozko material puruekin alderatuta, grafitoa 400 °C-tan oxidatzen hasten da, eta horrek hauts-galera eragiten du oxidazioaren ondorioz, eta ondorioz, ingurumen-kutsadura sortzen da gailu periferikoetan eta huts-ganberetan, eta ingurune puruaren ezpurutasunak handitzen dira.
Hala ere, SiC estaldurak egonkortasun fisiko eta kimikoa mantendu dezake 1600 gradutan, eta oso erabilia da industria modernoan, batez ere erdieroaleen industrian.
Gure enpresak SiC estaldura prozesu zerbitzuak eskaintzen ditu CVD metodoaren bidez grafito, zeramika eta beste materialen gainazalean, karbono eta siliziozko gas bereziek tenperatura altuan erreakzionatzen baitute purutasun handiko SiC molekulak lortzeko, estalitako materialen gainazalean metatzen diren molekulak, SIC babes geruza eratuz. Sortutako SIC grafito oinarriari sendo lotuta dago, grafito oinarriari propietate bereziak emanez, horrela grafitoaren gainazala trinkoa, porositaterik gabekoa, tenperatura altuarekiko erresistentea, korrosioarekiko erresistentea eta oxidazioarekiko erresistentea bihurtuz.
Ezaugarri nagusiak:
1. Tenperatura altuko oxidazio-erresistentzia:
Oxidazioarekiko erresistentzia oso ona da oraindik ere 1600 °C-ko tenperaturan.
2. Purutasun handia: tenperatura altuko klorazio-baldintzetan lurrun kimikoaren bidez egindakoa.
3. Higaduraren aurkako erresistentzia: gogortasun handia, gainazal trinkoa, partikula finak.
4. Korrosioarekiko erresistentzia: azidoa, alkalia, gatza eta erreaktibo organikoak.
CVD-SIC estalduren zehaztapen nagusiak:
| SiC-CVD | ||
| Dentsitatea | (g/cc)
| 3.21 |
| Flexio-erresistentzia | (Mpa)
| 470 |
| Hedapen termikoa | (10-6/K) | 4
|
| Eroankortasun termikoa | (W/mK) | 300
|
