Fantatray fa miroborobo izahay raha afaka miantoka ny fifaninanana amin'ny vidiny sy ny kalitao miaraka amin'izay ho an'ny mpamatsy ambony indrindra Grey Black Silicon Carbide Sic Carborundum China High Purity, mandray ireo mpanjifa vaovao sy teo aloha avy amin'ny lafim-piainana rehetra izahay mba hiresaka aminay ho an'ny fifandraisana ara-drafitra amin'ny ho avy ary hahazoana fahombiazana iraisana!
Fantatsika fa tsy hahomby isika raha tsy afaka miantoka ny fifaninanana amin'ny vidiny sy ny kalitao miaraka amin'izay.Akora fandokoana sinoa, Dioksidan'ny titane, Ny orinasanay dia mitazona ny toe-tsaina "fanavaozana, firindrana, fiaraha-miasa sy fizarana ekipa, lalana, fandrosoana azo ampiharina". Omeo fahafahana izahay dia hanaporofo ny fahaizanay. Noho ny fanampianao tsara dia mino izahay fa afaka mamorona hoavy mamirapiratra miaraka aminao.
Karbonina / akora karbonina(antsoina etoana hoe "C / C na CFC) dia karazana fitaovana mitambatra izay mifototra amin'ny karbônina ary nohamafisin'ny fibre karbônina sy ny vokatra azo avy aminy (fibre karbônina efa vita). Manana ny tsy fahatomombanan'ny karbônina sy ny tanjaky ny fibre karbônina izy io. Manana toetra mekanika tsara izy io, mahatohitra hafanana, mahatohitra harafesina, mampihena ny fikikisana ary manana toetra tsara amin'ny fitondrana hafanana sy herinaratra.
CVD-SiCNy coating dia manana ny toetran'ny rafitra mitovy, fitaovana voalamina tsara, fanoherana ny mari-pana avo, fanoherana ny oksidasiona, fahadiovana avo, fanoherana ny asidra sy ny alkali ary reagent organika, miaraka amin'ny fananana ara-batana sy simika marin-toerana.
Raha ampitahaina amin'ny fitaovana grafita madio avo lenta, ny grafita dia manomboka mi-oxidize amin'ny 400°C, izay hiteraka fahaverezan'ny vovoka noho ny oxidation, ka miteraka fahalotoan'ny tontolo iainana amin'ny fitaovana peripheral sy ny efitrano banga, ary mampitombo ny fahalotoan'ny tontolo iainana madio avo lenta.
Na izany aza, ny coating SiC dia afaka mitazona ny fahamarinan-toerana ara-batana sy simika amin'ny 1600 degre, ampiasaina betsaka amin'ny indostria maoderina izy io, indrindra amin'ny indostrian'ny semiconductor.
Manome tolotra fanodinana SiC amin'ny alalan'ny fomba CVD eo amin'ny velaran'ny grafita, seramika ary fitaovana hafa ny orinasanay, mba hahafahan'ny entona manokana misy karbônina sy silikônina mihetsika amin'ny mari-pana avo mba hahazoana molekiola SiC madio avo lenta, ireo molekiola napetraka eo amin'ny velaran'ny fitaovana voarakotra, ka mamorona sosona fiarovana SIC. Ny SIC miforona dia miraikitra mafy amin'ny fotony grafita, ka manome toetra manokana ho an'ny fotony grafita, ka mahatonga ny velaran'ny grafita ho matevina, tsy misy porosity, mahatohitra ny mari-pana avo, mahatohitra ny harafesina ary mahatohitra ny oksidasiona.
Endri-javatra fototra:
1. Fanoherana ny oksidasiona amin'ny mari-pana avo lenta:
mbola tena tsara ny fanoherana ny oksidasiona na dia avo dia avo aza ny mari-pana hatramin'ny 1600 C.
2. Fahadiovana avo lenta: vita amin'ny fametrahana etona simika eo ambanin'ny fepetra faklorina amin'ny mari-pana avo.
3. Fanoherana ny fahasimbana: hamafin'ny tany avo, velarana matevina, poti-javatra madinika.
4. Fanoherana ny harafesina: asidra, alkali, sira ary akora organika.
Ireo toetra mampiavaka ny coatings CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| hakitroky | (g/cc)
| 3.21 |
| Tanjaky ny fihenjanana | (Mpa)
| 470 |
| Fanitarana mafana | (10-6/K) | 4
|
| Fitondran-tena mafana | (W/mK) | 300
|
