Nuntii

Cur silicium tam durum sed tam fragile est?
ab administratore die XXIV mensis Decembris anni MMX
Silicium est crystallum atomicum, cuius atomi inter se vinculis covalentibus connexi sunt, structuram reticulatam spatialem formantes. In hac structura, vincula covalentia inter atomos valde directionalia sunt et magnam energiam vinculorum habent, quod silicium magnam duritiem ostendere facit cum viribus externis resistit...
Plura lege
Cur parietes laterales flectuntur durante corrosione sicca?
ab administratore die XXIV mensis Decembris anni MMIII
Inuniformitas bombardamenti ionici. Corrosio sicca plerumque processus est qui effectus physicos et chemicos coniungit, in quo bombardamentus ionicus methodus corrosionis physicae magni momenti est. Per processum corrosionis, angulus incidentiae et distributio energiae ionum inaequales esse possunt. Si ion incidens...
Plura lege
Introductio ad tres communes technologias CVD
ab administratore die XXIV mensis Decembris anni MMIII
Depositio vaporis chemici (DVC) est technologia latissime adhibita in industria semiconductorum ad deponendas varias materias, inter quas amplam seriem materiarum insulantium, plurimae materiae metallicae et materiae ex mixtura metallorum. DVC est technologia traditionalis praeparationis pelliculae tenuis. Eius principium...
Plura lege
Num adamas alia instrumenta semiconducentia magnae potentiae substituere potest?
ab administratore die XXIV mensis Novembris, anno XXV
Materiae semiconductrices, ut fundamentum instrumentorum electronicorum modernorum, mutationes inauditas subeunt. Hodie, adamas paulatim magnum potentiale suum ut materia semiconductrix quartae generationis ostendit, propter suas excellentes proprietates electricas et thermicas necnon stabilitatem sub extremis pressionibus...
Plura lege
Quid est mechanismus planarizationis CMP?
ab administratore die XXIV mensis Novembris, anno XXV
Dual-Damascenum est technologia processus ad fabricandas interconnexiones metallicas in circuitibus integratis adhibita. Est ulterius progressus processus Damasceni. Per formationem foraminum perviarum et sulcorum simul in eodem gradu processus et impletionem earum metallo, fabricatio integrata m...
Plura lege
Graphite cum obductione TaC
ab administratore die XXIV mensis Novembris, anno XXI
I. Exploratio parametrorum processus 1. Systema TaCl5-C3H6-H2-Ar 2. Temperatura depositionis: Secundum formulam thermodynamicam, computatur ut cum temperatura maior sit quam 1273K, energia libera Gibbsiana reactionis sit valde humilis et reactio relative completa. Rea...
Plura lege
Processus et technologia instrumentorum ad crescendum crystallum carburi silicii
ab administratore die XXIV mensis Novembris, anno XXI
1. Via technologiae accretionis crystallorum SiC PVT (methodus sublimationis), HTCVD (CVD temperaturae altae), LPE (methodus phasis liquidae) sunt tres communes methodi accretionis crystallorum SiC; Methodus in industria notissima est methodus PVT, et plus quam 95% crystallorum singularium SiC per PVT accrescunt...
Plura lege
Praeparatio et Emendatio Efficaciae Materiorum Compositorum Silicio Carbonis Porosorum
ab administratore die XXIV mensis Novembris anni MMXIII
Accumulatores lithium-ionici praecipue in directionem densitatis energiae altae evolvuntur. Temperatura ambiente, materiae electrodi negativi silicii fundati cum lithio miscentur ut productum lithium dives Li3.75Si phasis producant, cum capacitate specifica usque ad 3572 mAh/g, quae multo altior est quam theoria...
Plura lege
Oxidatio Thermalis Silicii Crystallini Singularis
ab administratore die XXIV mensis Novembris anni MMXIII
Formatio dioxidi silicii in superficie silicii oxidatio appellatur, et creatio dioxidi silicii stabilis et valide adhaerentis ad ortum technologiae planaris circuiti integrati silicii duxit. Quamquam multae sunt rationes ad dioxidum silicii directe in superficie silicii crescendum...
Plura lege