വാർത്തകൾ

സിലിക്കൺ കാർബൈഡിനുള്ള സാങ്കേതിക തടസ്സങ്ങൾ എന്തൊക്കെയാണ്?
അഡ്മിൻ എഴുതിയത് 24-05-22 ന്
ഇന്റഗ്രേറ്റഡ് സർക്യൂട്ട് നിർമ്മാണത്തിന് അടിസ്ഥാനമായ പരമ്പരാഗത സിലിക്കൺ (Si), ജെർമേനിയം (Ge) എന്നിവയാണ് ആദ്യ തലമുറയിലെ സെമികണ്ടക്ടർ വസ്തുക്കളെ പ്രതിനിധീകരിക്കുന്നത്. ലോ-വോൾട്ടേജ്, ലോ-ഫ്രീക്വൻസി, ലോ-പവർ ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളിലും ഡിറ്റക്ടറുകളിലും ഇവ വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു. സെമികണ്ടക്ടർ ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെ 90% ത്തിലധികവും...
കൂടുതൽ വായിക്കുക
SiC മൈക്രോ പൗഡർ എങ്ങനെയാണ് നിർമ്മിക്കുന്നത്?
അഡ്മിൻ എഴുതിയത് 24-05-13 ന്
SiC സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ എന്നത് ഗ്രൂപ്പ് IV-IV സംയുക്തമായ ഒരു അർദ്ധചാലക വസ്തുവാണ്, ഇത് Si, C എന്നീ രണ്ട് മൂലകങ്ങൾ 1:1 എന്ന സ്റ്റോയിക്കിയോമെട്രിക് അനുപാതത്തിൽ ചേർന്നതാണ്. ഇതിന്റെ കാഠിന്യം വജ്രത്തിന് തൊട്ടുപിന്നാലെയാണ്. SiC തയ്യാറാക്കുന്നതിനുള്ള സിലിക്കൺ ഓക്സൈഡിന്റെ കാർബൺ കുറയ്ക്കൽ രീതി പ്രധാനമായും ഇനിപ്പറയുന്ന രാസപ്രവർത്തന സൂത്രവാക്യത്തെ അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ളതാണ്...
കൂടുതൽ വായിക്കുക
എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളികൾ സെമികണ്ടക്ടർ ഉപകരണങ്ങളെ എങ്ങനെ സഹായിക്കുന്നു?
അഡ്മിൻ എഴുതിയത് 24-05-13 ന്
എപ്പിറ്റാക്സിയൽ വേഫർ എന്ന പേരിന്റെ ഉത്ഭവം ആദ്യം, നമുക്ക് ഒരു ചെറിയ ആശയം ജനപ്രിയമാക്കാം: വേഫർ തയ്യാറാക്കലിൽ രണ്ട് പ്രധാന ലിങ്കുകൾ ഉൾപ്പെടുന്നു: സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് തയ്യാറാക്കലും എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പ്രക്രിയയും. സെമികണ്ടക്ടർ സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ മെറ്റീരിയൽ കൊണ്ട് നിർമ്മിച്ച ഒരു വേഫറാണ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ്. സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിന് നേരിട്ട് വേഫർ നിർമ്മാണത്തിലേക്ക് പ്രവേശിക്കാൻ കഴിയും...
കൂടുതൽ വായിക്കുക
കെമിക്കൽ വേപ്പർ ഡിപ്പോസിഷൻ (സിവിഡി) നേർത്ത ഫിലിം ഡിപ്പോസിഷൻ സാങ്കേതികവിദ്യയുടെ ആമുഖം
അഡ്മിൻ എഴുതിയത് 24-05-06 ന്
കെമിക്കൽ വേപ്പർ ഡിപ്പോസിഷൻ (CVD) എന്നത് ഒരു പ്രധാന നേർത്ത ഫിലിം ഡിപ്പോസിഷൻ സാങ്കേതികവിദ്യയാണ്, ഇത് പലപ്പോഴും വിവിധ ഫങ്ഷണൽ ഫിലിമുകളും നേർത്ത-പാളി വസ്തുക്കളും തയ്യാറാക്കാൻ ഉപയോഗിക്കുന്നു, കൂടാതെ സെമികണ്ടക്ടർ നിർമ്മാണത്തിലും മറ്റ് മേഖലകളിലും വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്നു. 1. CVD യുടെ പ്രവർത്തന തത്വം CVD പ്രക്രിയയിൽ, ഒരു ഗ്യാസ് പ്രികർസർ (ഒന്ന് അല്ലെങ്കിൽ...
കൂടുതൽ വായിക്കുക
ഫോട്ടോവോൾട്ടെയ്ക് സെമികണ്ടക്ടർ വ്യവസായത്തിന് പിന്നിലെ "കറുത്ത സ്വർണ്ണ" രഹസ്യം: ഐസോസ്റ്റാറ്റിക് ഗ്രാഫൈറ്റിനോടുള്ള ആഗ്രഹവും ആശ്രിതത്വവും.
അഡ്മിൻ എഴുതിയത് 24-05-06 ന്
ഫോട്ടോവോൾട്ടെയ്‌ക്‌സിലും സെമികണ്ടക്ടറുകളിലും വളരെ പ്രധാനപ്പെട്ട ഒരു വസ്തുവാണ് ഐസോസ്റ്റാറ്റിക് ഗ്രാഫൈറ്റ്. ആഭ്യന്തര ഐസോസ്റ്റാറ്റിക് ഗ്രാഫൈറ്റ് കമ്പനികളുടെ ദ്രുതഗതിയിലുള്ള ഉയർച്ചയോടെ, ചൈനയിലെ വിദേശ കമ്പനികളുടെ കുത്തക തകർന്നു. തുടർച്ചയായ സ്വതന്ത്ര ഗവേഷണ വികസനത്തിലൂടെയും സാങ്കേതിക മുന്നേറ്റങ്ങളിലൂടെയും, ...
കൂടുതൽ വായിക്കുക
സെമികണ്ടക്ടർ സെറാമിക്സ് നിർമ്മാണത്തിൽ ഗ്രാഫൈറ്റ് ബോട്ടുകളുടെ അവശ്യ സവിശേഷതകൾ അനാവരണം ചെയ്യുന്നു.
അഡ്മിൻ എഴുതിയത് 24-04-22 ന്
ഗ്രാഫൈറ്റ് ബോട്ടുകൾ എന്നും അറിയപ്പെടുന്ന ഗ്രാഫൈറ്റ് ബോട്ടുകൾ, സെമികണ്ടക്ടർ സെറാമിക്സ് നിർമ്മാണത്തിലെ സങ്കീർണ്ണമായ പ്രക്രിയകളിൽ നിർണായക പങ്ക് വഹിക്കുന്നു. ഉയർന്ന താപനിലയിലുള്ള ചികിത്സകൾക്കിടയിൽ സെമികണ്ടക്ടർ വേഫറുകൾക്ക് വിശ്വസനീയമായ വാഹകരായി ഈ പ്രത്യേക പാത്രങ്ങൾ പ്രവർത്തിക്കുന്നു, കൃത്യവും നിയന്ത്രിതവുമായ പ്രോസസ്സിംഗ് ഉറപ്പാക്കുന്നു. ...
കൂടുതൽ വായിക്കുക
ഫർണസ് ട്യൂബ് ഉപകരണങ്ങളുടെ ആന്തരിക ഘടന വിശദമായി വിവരിച്ചിരിക്കുന്നു.
അഡ്മിൻ എഴുതിയത് 24-04-22 ന്
മുകളിൽ കാണിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ, ഒരു സാധാരണ ആദ്യ പകുതി: ▪ ചൂടാക്കൽ ഘടകം (താപന കോയിൽ): ചൂള ട്യൂബിന് ചുറ്റും സ്ഥിതിചെയ്യുന്നു, സാധാരണയായി പ്രതിരോധ വയറുകൾ കൊണ്ട് നിർമ്മിച്ചതാണ്, ചൂള ട്യൂബിന്റെ ഉൾഭാഗം ചൂടാക്കാൻ ഉപയോഗിക്കുന്നു. ▪ ക്വാർട്സ് ട്യൂബ്: ഉയർന്ന ശുദ്ധതയുള്ള ക്വാർട്സ് കൊണ്ട് നിർമ്മിച്ച ഒരു ചൂടുള്ള ഓക്സിഡേഷൻ ചൂളയുടെ കാമ്പ്, h...
കൂടുതൽ വായിക്കുക
MOSFET ഉപകരണ സ്വഭാവസവിശേഷതകളിൽ SiC സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിന്റെയും എപ്പിറ്റാക്‌സിയൽ വസ്തുക്കളുടെയും സ്വാധീനം.
അഡ്മിൻ എഴുതിയത് 24-04-16 ന്
ത്രികോണാകൃതിയിലുള്ള വൈകല്യം SiC എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളികളിലെ ഏറ്റവും മാരകമായ രൂപാന്തര വൈകല്യങ്ങളാണ് ത്രികോണാകൃതിയിലുള്ള വൈകല്യങ്ങൾ. ത്രികോണാകൃതിയിലുള്ള വൈകല്യങ്ങളുടെ രൂപീകരണം 3C ക്രിസ്റ്റൽ രൂപവുമായി ബന്ധപ്പെട്ടിരിക്കുന്നുവെന്ന് ധാരാളം സാഹിത്യ റിപ്പോർട്ടുകൾ തെളിയിച്ചിട്ടുണ്ട്. എന്നിരുന്നാലും, വ്യത്യസ്ത വളർച്ചാ സംവിധാനങ്ങൾ കാരണം, പലതിന്റെയും രൂപാന്തരം...
കൂടുതൽ വായിക്കുക
SiC സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റലിന്റെ വളർച്ച
അഡ്മിൻ എഴുതിയത് 24-04-16 ന്
കണ്ടുപിടുത്തം മുതൽ, സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് വ്യാപകമായ ശ്രദ്ധ ആകർഷിച്ചു. സിലിക്കൺ കാർബൈഡിൽ പകുതി Si ആറ്റങ്ങളും പകുതി C ആറ്റങ്ങളും അടങ്ങിയിരിക്കുന്നു, ഇവ sp3 ഹൈബ്രിഡ് ഓർബിറ്റലുകൾ പങ്കിടുന്ന ഇലക്ട്രോൺ ജോഡികളിലൂടെ കോവാലന്റ് ബോണ്ടുകളാൽ ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു. അതിന്റെ ഒറ്റ ക്രിസ്റ്റലിന്റെ അടിസ്ഥാന ഘടനാ യൂണിറ്റിൽ, നാല് Si ആറ്റങ്ങൾ ഒരു...
കൂടുതൽ വായിക്കുക