Nyheter

Hva er de tekniske barrierene for silisiumkarbid?
av admin den 24-05-22
Den første generasjonen av halvledermaterialer er representert av tradisjonelt silisium (Si) og germanium (Ge), som er grunnlaget for produksjon av integrerte kretser. De er mye brukt i lavspennings-, lavfrekvente- og laveffektstransistorer og detektorer. Mer enn 90 % av halvlederproduserte ...
Les mer
Hvordan lages SiC-mikropulver?
av admin den 24-05-13
SiC-enkeltkrystall er et gruppe IV-IV-forbindelseshalvledermateriale som består av to elementer, Si og C, i et støkiometrisk forhold på 1:1. Hardheten er nest etter diamant. Karbonreduksjonsmetoden av silisiumoksid for å fremstille SiC er hovedsakelig basert på følgende kjemiske reaksjonsformel...
Les mer
Hvordan hjelper epitaksiale lag halvlederenheter?
av admin den 24-05-13
Opprinnelsen til navnet epitaksial wafer La oss først popularisere et lite konsept: waferforberedelse inkluderer to hovedkoblinger: substratforberedelse og epitaksial prosess. Substratet er en wafer laget av halvleder-enkeltkrystallmateriale. Substratet kan gå direkte inn i waferproduksjonen...
Les mer
Introduksjon til tynnfilmavsetningsteknologi for kjemisk dampavsetning (CVD)
av admin den 24-05-06
Kjemisk dampavsetning (CVD) er en viktig tynnfilmavsetningsteknologi, ofte brukt til å fremstille ulike funksjonelle filmer og tynnsjiktsmaterialer, og er mye brukt i halvlederproduksjon og andre felt. 1. Virkningsprinsipp for CVD I CVD-prosessen produseres en gassforløper (en eller...)
Les mer
Hemmeligheten bak den fotovoltaiske halvlederindustrien: ønsket om og avhengigheten av isostatisk grafitt
av admin den 24-05-06
Isostatisk grafitt er et svært viktig materiale innen solceller og halvledere. Med den raske fremveksten av innenlandske isostatiske grafittselskaper har monopolet til utenlandske selskaper i Kina blitt brutt. Med kontinuerlig uavhengig forskning og utvikling og teknologiske gjennombrudd, ...
Les mer
Avsløring av de essensielle egenskapene til grafittbåter i produksjon av halvlederkeramikk
av admin den 24-04-22
Grafittbåter, også kjent som grafittbåter, spiller en avgjørende rolle i de intrikate prosessene innen produksjon av halvlederkeramikk. Disse spesialiserte beholderne fungerer som pålitelige bærere for halvlederskiver under høytemperaturbehandlinger, og sikrer presis og kontrollert prosessering. Med ...
Les mer
Den indre strukturen til ovnsrørutstyret er forklart i detalj
av admin den 24-04-22
Som vist ovenfor, er en typisk Den første halvdelen: ▪ Varmeelement (varmespiral): plassert rundt ovnsrøret, vanligvis laget av motstandstråder, brukt til å varme opp innsiden av ovnsrøret. ▪ Kvartsrør: Kjernen i en varm oksidasjonsovn, laget av kvarts med høy renhet som tåler høye temperaturer...
Les mer
Effekter av SiC-substrat og epitaksiale materialer på MOSFET-enhetskarakteristikker
av admin den 24-04-16
Trekantdefekt Trekantdefekter er de mest fatale morfologiske defektene i SiC-epitaksiale lag. Et stort antall litteraturrapporter har vist at dannelsen av trekantdefekter er relatert til 3C-krystallformen. På grunn av forskjellige vekstmekanismer kan imidlertid morfologien til mange...
Les mer
Vekst av SiC silisiumkarbid enkeltkrystall
av admin den 24-04-16
Siden oppdagelsen har silisiumkarbid fått bred oppmerksomhet. Silisiumkarbid består av halvparten Si-atomer og halvparten C-atomer, som er forbundet med kovalente bindinger gjennom elektronpar som deler sp3-hybridorbitaler. I den grunnleggende strukturelle enheten i enkeltkrystallen er fire Si-atomer en...
Les mer