CVD SiC-belagte komponenter for silisiumepitaksi (Si Epi)
Våre CVD SiC-belagte susceptorer, satellittskiver og termiske feltkomponenter er presisjonskonstruert for enkeltwafer- og batch-silisiumepitaksiale avsetningssystemer, og gir enestående termisk ensartethet og null avgassing. Det kubiske β-SiC-belegglaget med høy tetthet innkapsler fullstendig det høyrene grafittsubstratet, noe som forhindrer reaktiv gassetsing (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) og garanterer ultralave nivåer av metalliske urenheter (< 5 ppm) under høytemperatur Si Epi-prosessering (1000 °C - 1200 °C).
Kontrollert emissivitet sikrer presis filmtykkelse fra kant til sentrum på waferen.
Gir robust beskyttelse mot kjemikalier for rengjøring av kammeret på stedet og termiske sjokk.
Presisjons-CNC-maskinert for å passe til vanlige 200 mm/300 mm Epi-verktøy med én wafer (Applied Materials, ASM).
| Teknisk parameter | Spesifikasjonsverdi | Standard / Testmetode |
|---|---|---|
| Beleggmateriale | CVD β-SiC (kubisk fase) | Krystallinsk struktur med høy tetthet |
| Underlagsmateriale | Ultraren isostatisk grafitt | Tetthet: 1,82–1,88 g/cm³ |
| Kjemisk renhet | Totale urenheter < 5 ppm | GDMS-testet |
| Beleggtykkelse | 80 μm–150 μm | Ensartethet ≤ ±5 % |
