ਆਧੁਨਿਕ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਡਿਵਾਈਸ ਫੈਬਰੀਕੇਸ਼ਨ ਅਤੇ ਤੀਜੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਉਤਪਾਦਨ (ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ [SiC] ਅਤੇ ਗੈਲੀਅਮ ਨਾਈਟ੍ਰਾਈਡ [GaN]) ਵਿੱਚ, ਉਦਯੋਗਿਕ ਚਰਚਾਵਾਂ ਅਕਸਰ ਅਤਿ-ਉੱਨਤ EUV ਲਿਥੋਗ੍ਰਾਫੀ ਮਸ਼ੀਨਾਂ, ਪਲਾਜ਼ਮਾ ਐਚਰ, ਜਾਂ ਪੂਰਵਗਾਮੀ ਗੈਸ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਦੇ ਆਲੇ-ਦੁਆਲੇ ਕੇਂਦਰਿਤ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਚੈਂਬਰ ਦੇ ਅਤਿ-ਸਾਫ਼, ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਖੋਰ, ਅਤੇ ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਲੇ ਵਾਤਾਵਰਣ ਦੇ ਅੰਦਰ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਅਣਗੌਲਿਆ ਹੀਰੋ ਬੈਠਾ ਹੈ: ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਸੈਪਟਰ।
1. ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸੰਸਪੈਕਟਰ ਕੀ ਹੈ?
A ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਸੈਪਟਰਇੱਕ ਸ਼ੁੱਧਤਾ-ਇੰਜੀਨੀਅਰਡ ਫੰਕਸ਼ਨਲ ਕੈਰੀਅਰ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਹੈ ਜੋ ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਆਈਸੋ-ਮੋਲਡ ਜਾਂ ਐਕਸਟਰੂਡ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਤੋਂ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਅਕਸਰ ਡਿਸਕ-ਆਕਾਰ ਵਾਲਾ, ਜੇਬ ਵਾਲਾ, ਜਾਂ ਕਸਟਮ ਹੁੰਦਾ ਹੈਖਾਸ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆ ਚੈਂਬਰਾਂ ਵਿੱਚ ਫਿੱਟ ਕਰਨ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀਆਂ ਗਈਆਂ ਤਿੰਨ-ਅਯਾਮੀ ਜਿਓਮੈਟਰੀ।
ਕੈਮੀਕਲ ਵੈਪਰ ਡਿਪੋਜ਼ੀਸ਼ਨ (CVD), ਮੈਟਲ-ਆਰਗੈਨਿਕ ਕੈਮੀਕਲ ਵੈਪਰ ਡਿਪੋਜ਼ੀਸ਼ਨ (MOCVD), ਅਤੇ ਰੈਪਿਡ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ (RTP) ਰਿਐਕਟਰਾਂ ਵਰਗੇ ਉਪਕਰਣਾਂ ਵਿੱਚ, ਕੈਰੀਅਰ ਪਲੇਟਫਾਰਮ ਦਾ ਮੁੱਖ ਕੰਮ ਪ੍ਰਾਇਮਰੀ ਹੀਟ ਐਕਸਚੇਂਜਰ ਵਜੋਂ ਕੰਮ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਵੇਫਰਾਂ ਨੂੰ ਸੁਰੱਖਿਅਤ ਢੰਗ ਨਾਲ ਫੜਨਾ ਹੈ। ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਸੈਪਟਰ ਇੰਡਕਸ਼ਨ ਹੀਟਿੰਗ ਵਿਧੀਆਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ, ਇਹ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਰੇਡੀਓ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ (RF) ਜਾਂ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਸੋਖ ਲੈਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਇਸਨੂੰ ਇਕਸਾਰ ਥਰਮਲ ਊਰਜਾ ਵਿੱਚ ਬਦਲਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਵੇਫਰ ਸਤ੍ਹਾ ਵਿੱਚ ਮਿਲੀਸਕਿੰਟ-ਪੱਧਰ ਦੀ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਥਰਮਲ ਕੰਟਰੋਲ ਦੀ ਸਹੂਲਤ ਮਿਲਦੀ ਹੈ।
2. ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਰਚਨਾ ਅਤੇ ਸੂਖਮ ਬਣਤਰ: ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ + ਸੀਵੀਡੀ ਸੀਆਈਸੀ ਕੋਟਿੰਗ ਕਿਉਂ?
ਬਿਨਾਂ ਕੋਟ ਕੀਤੇ ਕੱਚੇ ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ ਹਮਲਾਵਰ ਰਸਾਇਣਕ ਵਾਯੂਮੰਡਲ ਅਤੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਨਿਰਮਾਣ ਦੀਆਂ ਸਖ਼ਤ ਸਫਾਈ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਦਾ ਸਾਹਮਣਾ ਨਹੀਂ ਕਰ ਸਕਦੇ। ਆਧੁਨਿਕ ਉੱਚ-ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਾਲੇ ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ ਸਸੈਪਟਰ ਇੱਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਦੋਹਰੀ-ਪਰਤ ਕੰਪੋਜ਼ਿਟ ਸਿਸਟਮ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹਨ:
(1) ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲਾ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਬਸਟਰੇਟ
ਕੋਰ ਸਬਸਟਰੇਟ ਨੂੰ ਆਈਸੋਸਟੈਟਿਕਲੀ ਪ੍ਰੈੱਸਡ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਬਣਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਮਾਈਕ੍ਰੋ ਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ ਅਲਾਈਨਮੈਂਟ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲ ਬਣਾ ਕੇ, ਇਹ ਆਈਸੋਟ੍ਰੋਪਿਕ ਭੌਤਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ, ਘੱਟ ਪੋਰੋਸਿਟੀ, ਅਤੇ ਉੱਚ ਮਕੈਨੀਕਲ ਲਚਕਦਾਰ ਤਾਕਤ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਮਾਈਕ੍ਰੋ-ਮਸ਼ੀਨਿੰਗ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਵੇਫਰ ਪਾਕੇਟ ਜਿਓਮੈਟਰੀ ਲਈ ਇੱਕ ਆਦਰਸ਼ ਨੀਂਹ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।
(2) ਸੀਵੀਡੀ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ (ਐਸਆਈਸੀ) ਸੁਰੱਖਿਆ ਕੋਟਿੰਗ
ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾ ਕਰਨ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹੋਏ, ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ ਸਬਸਟਰੇਟ ਉੱਤੇ ਪੌਲੀ-ਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ B-SiC (ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 10 ਤੋਂ 100 um ਮੋਟੀ 99.999% ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਦੇ ਨਾਲ) ਦੀ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਸੰਘਣੀ ਪਰਤ ਉਗਾਈ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਇਹ ਪਰਤ ਗ੍ਰਾਫਾਈਟ ਸਤਹ ਦੇ ਸੂਖਮ-ਛਿਦ੍ਰਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਸੀਲ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਕਣਾਂ ਦੇ ਨਿਕਾਸ ਨੂੰ ਰੋਕਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ HCI, NH,, ਅਤੇ ਫਲੋਰੀਨੇਟਿਡ ਮਿਸ਼ਰਣਾਂ ਵਰਗੀਆਂ ਖੋਰ ਐਚਿੰਗ ਗੈਸਾਂ ਦੇ ਵਿਰੁੱਧ ਇੱਕ ਅਭੇਦ ਰੁਕਾਵਟ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ।
3. ਮੁੱਖ ਭੌਤਿਕ ਗੁਣ ਅਤੇ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ
ਸਖ਼ਤ ਪ੍ਰਯੋਗਸ਼ਾਲਾ ਟੈਸਟਿੰਗ ਅਤੇ ਪ੍ਰਮਾਣਿਤ ਉਦਯੋਗਿਕ ਮਾਪਦੰਡਾਂ ਦੇ ਆਧਾਰ 'ਤੇ, ਉੱਚ-ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਵਾਲੇ ਕੋਟੇਡ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਸੈਪਟਰ ਹੇਠ ਲਿਖੇ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਭੌਤਿਕ ਮਾਪਦੰਡਾਂ ਨੂੰ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕਰਦੇ ਹਨ:
| ਭੌਤਿਕ / ਰਸਾਇਣਕ ਪੈਰਾਮੀਟਰ | ਮਿਆਰੀ ਹਵਾਲਾ ਮੁੱਲ | ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦਾ ਫਾਇਦਾ ਅਤੇ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਪ੍ਰਭਾਵ |
| ਕੁੱਲ ਰਾਖ ਸਮੱਗਰੀ (ਸ਼ੁੱਧਤਾ) | < 5 ਪੀਪੀਐਮ (ਹਵਾਲਾ: ਐਕਸਆਰ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਪੈੱਕ ਡੇਟਾ) | ਧਾਤੂ ਦੂਸ਼ਣ ਨੂੰ ਖਤਮ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਨੁਕਸ-ਮੁਕਤ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਪਰਤਾਂ ਨੂੰ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ। |
| ਸਪੱਸ਼ਟ ਘਣਤਾ | ਸਬਸਟ੍ਰੇਟ: 1.85 ਗ੍ਰਾਮ/ਸੈ.ਮੀ.³ | SiC: 3.21 ਗ੍ਰਾਮ/ਸੈ.ਮੀ.³ | ਇੱਕ ਅਭੇਦ ਸ਼ੈੱਲ ਦੇ ਨਾਲ ਤੇਜ਼ ਰੈਂਪ ਦਰਾਂ ਲਈ ਘੱਟ ਥਰਮਲ ਜੜਤਾ। |
| ਲਚਕਦਾਰ ਤਾਕਤ | ≥ 49 MPa (ਸਬਸਟਰੇਟ) | ~450 MPa (SiC) | ਬਿਨਾਂ ਵਾਰਪਿੰਗ ਦੇ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਥਰਮਲ ਤਣਾਅ ਅਤੇ ਭਾਰੀ ਵੇਫਰ ਲੋਡਿੰਗ ਦਾ ਸਾਹਮਣਾ ਕਰਦਾ ਹੈ। |
| ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ | > 1500°C - 1800°C | ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਵਾਲੇ SiC ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਾਧੇ ਦੌਰਾਨ ਢਾਂਚਾਗਤ ਇਕਸਾਰਤਾ ਬਣਾਈ ਰੱਖਦਾ ਹੈ। |
| ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ | ~116 ਵਾਟ/ਮੀਟਰ·ਕੇ (100 ਕਿਲੋਰੀ/ਸੈ.ਮੀ.·ਘੰਟਾ·°ਸੈ.) | ਘੱਟੋ-ਘੱਟ ਥਰਮਲ ਗਰੇਡੀਐਂਟ (ΔT) ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦੇ ਹੋਏ, ਸਥਾਨਕ ਗਰਮ ਸਥਾਨਾਂ ਨੂੰ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਖਿੰਡਾਉਂਦਾ ਹੈ। |
| ਬਿਜਲੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ | ~11 μΩ·ਮੀਟਰ | ਬਹੁਤ ਹੀ ਕੁਸ਼ਲ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਸੈਪਟਰ ਇੰਡਕਸ਼ਨ ਹੀਟਿੰਗ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲਿਤ। |
ਕੋਰ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ ਫਾਇਦੇ:
1. ਸੁਪੀਰੀਅਰ ਥਰਮਲ ਸ਼ੌਕ ਰੋਧਕ: ਬਿਨਾਂ ਕਿਸੇ ਦਰਾੜ ਜਾਂ ਡੀਲੇਮੀਨੇਸ਼ਨ ਦੇ ਲਗਾਤਾਰ ਤੇਜ਼ ਹੀਟਿੰਗ ਅਤੇ ਕੂਲਿੰਗ ਚੱਕਰ (1500°C ਤੋਂ ਉੱਪਰ) ਨੂੰ ਸਹਿਣ ਦੇ ਸਮਰੱਥ।
2. ਰਸਾਇਣਕ ਜੜਤਾ: H2, NH3, ਸਿਲੇਨ ਗੈਸਾਂ, ਅਤੇ ਕਠੋਰ ਰਸਾਇਣਕ ਸਫਾਈ ਏਜੰਟਾਂ ਤੋਂ ਹੋਣ ਵਾਲੇ ਵਿਗਾੜ ਤੋਂ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਮੁਕਤ।
3. ਥਰਮਲ ਐਕਸਪੈਂਸ਼ਨ (CTE) ਮੈਚਿੰਗ ਦਾ ਗੁਣਾਂਕ: VET ਐਨਰਜੀ ਦੀ ਮਲਕੀਅਤ ਵਾਲੀ SiC ਡਿਪੋਜ਼ਿਸ਼ਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ SiC ਕੋਟਿੰਗ ਦੇ ਥਰਮਲ ਐਕਸਪੈਂਸ਼ਨ ਵਿਵਹਾਰ ਨੂੰ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਕੋਰ ਨਾਲ ਇਕਸਾਰ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਤਾਪਮਾਨਾਂ 'ਤੇ ਕੋਟਿੰਗ ਦੇ ਫ੍ਰੈਕਚਰ ਨੂੰ ਰੋਕਦੀ ਹੈ।
4. ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਵਿੱਚ ਭੂਮਿਕਾ ਅਤੇ ਉਪਯੋਗ
ਉੱਚ-ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਸੈਪਟਰ ਕਈ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਨਿਰਮਾਣ ਪੜਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਬੁਨਿਆਦੀ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਣ ਵਾਲੇ ਹਿੱਸਿਆਂ ਵਜੋਂ ਕੰਮ ਕਰਦੇ ਹਨ:
(1) ਸੀਵੀਡੀ ਅਤੇ ਐਮਓਸੀਵੀਡੀ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਗ੍ਰੋਥ (ਏਪੀਆਈ)
GaN LED ਫੈਬਰੀਕੇਸ਼ਨ ਵਿੱਚ, SiC ਪਾਵਰ ਡਿਵਾਈਸ ਐਪੀਟੈਕਸੀ, ਅਤੇ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵੇਫਰ ਐਪੀ-ਗ੍ਰੋਥ, ਫਿਲਮ ਮੋਟਾਈ ਅਤੇ ਡੋਪਿੰਗ ਇਕਸਾਰਤਾ ਥਰਮਲ ਫੀਲਡ ਇਕਸਾਰਤਾ 'ਤੇ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦੀ ਹੈ। ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਸੈਪਟਰ ਰੋਟੇਸ਼ਨ ਦੌਰਾਨ ਸਿੰਗਲ ਜਾਂ ਮਲਟੀ-ਵੇਫਰ ਸੰਰਚਨਾਵਾਂ ਵਿੱਚ ਗਰਮੀ ਨੂੰ ਬਰਾਬਰ ਵੰਡਦੇ ਹਨ, ਥਰਮਲ ਤਣਾਅ-ਪ੍ਰੇਰਿਤ ਵੇਫਰ ਬੋਇੰਗ ਜਾਂ ਸਲਿੱਪ ਲਾਈਨਾਂ ਨੂੰ ਦਬਾਉਂਦੇ ਹਨ।
(2) ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਗ੍ਰੋਥ (PVT ਵਿਧੀ)
ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ (SiC) ਅਤੇ ਸੈਫਾਇਰ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੇ ਭੌਤਿਕ ਭਾਫ਼ ਟ੍ਰਾਂਸਪੋਰਟ (PVT) ਰਾਹੀਂ ਵਾਧੇ ਦੌਰਾਨ, ਸਸੈਪਟਰ ਥਰਮਲ ਜ਼ੋਨ ਗਰੇਡੀਐਂਟ ਨੂੰ ਪਰਿਭਾਸ਼ਿਤ ਕਰਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਸਿੱਧੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਿੰਗਲ-ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਇੰਗੋਟ ਗਠਨ ਨੂੰ ਨਿਰਦੇਸ਼ਤ ਕਰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਡਿਸਲੋਕੇਸ਼ਨ ਘਣਤਾ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦਾ ਹੈ।
(3) ਰੈਪਿਡ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ (RTP) ਅਤੇ ਐਨੀਲਿੰਗ
ਕੁਸ਼ਲ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਸੈਪਟਰ ਇੰਡਕਸ਼ਨ ਹੀਟਿੰਗ ਦਾ ਲਾਭ ਉਠਾਉਂਦੇ ਹੋਏ, ਪਲੇਟਫਾਰਮ ਪੋਸਟ-ਇਮਪਲਾਂਟੇਸ਼ਨ ਜਾਲੀ ਐਨੀਲਿੰਗ ਅਤੇ ਜੰਕਸ਼ਨ ਗਠਨ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦੇ ਅਤਿ-ਤੇਜ਼ ਥਰਮਲ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਸਮੇਂ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।
5. VET ਊਰਜਾ ਕਿਉਂ ਚੁਣੋ?
ਸਪਲਾਈ ਚੇਨ ਲਚਕੀਲੇਪਣ, ਅਤਿਅੰਤ ਸ਼ੁੱਧਤਾ, ਅਤੇ ਵਧੀ ਹੋਈ ਸੇਵਾ ਜੀਵਨ ਲਈ ਸਖ਼ਤ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਦੇ ਨਾਲ,VET ਊਰਜਾਇੱਕ ਭਰੋਸੇਮੰਦ ਗਲੋਬਲ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ ਭਾਈਵਾਲ ਵਜੋਂ ਵੱਖਰਾ ਹੈ:
1. ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਮਾਈਕ੍ਰੋ-ਮਸ਼ੀਨਿੰਗ: ਮਲਟੀ-ਐਕਸਿਸ ਸੀਐਨਸੀ ਮਸ਼ੀਨਿੰਗ ਸੈਂਟਰ ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਵੇਫਰ ਪਾਕੇਟਸ, ਮਾਈਕ੍ਰੋ-ਗਰੂਵਜ਼, ਅਤੇ ਕਸਟਮ ਐਰੋਡਾਇਨਾਮਿਕ ਗੈਸ ਚੈਨਲਾਂ ਨੂੰ ਮਾਈਕ੍ਰੋਮੀਟਰ ਪੱਧਰ ਤੱਕ ਸਹਿਣਸ਼ੀਲਤਾ ਦੇ ਨਾਲ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ।
2. ਐਡਵਾਂਸਡ ਡੈਂਸ ਸੀਵੀਡੀ ਐਸਆਈਸੀ ਡਿਪੋਜ਼ੀਸ਼ਨ: ਸਾਡੀ ਮਲਕੀਅਤ ਵਾਲੀ CVD ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਬਹੁਤ ਸੰਘਣੀ, ਸ਼ੀਸ਼ੇ-ਪਾਲਿਸ਼ਯੋਗ SiC ਕੋਟਿੰਗਾਂ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਦੀ ਹੈ ਜੋ ਥਰਮਲ ਚੱਕਰ ਦੇ ਸੰਚਾਲਨ ਜੀਵਨ ਕਾਲ ਨੂੰ 30% ਤੋਂ ਵੱਧ ਵਧਾਉਂਦੀ ਹੈ।
3. ਅਤਿ-ਸਾਫ਼ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਵਾਤਾਵਰਣ: ਪੂਰੀ ਸ਼ੁੱਧੀਕਰਨ ਅਤੇ ਸਾਫ਼-ਸਫ਼ਾਈ ਦੀ ਸੰਭਾਲ ਕੁੱਲ ਸੁਆਹ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ ਲਗਾਤਾਰ 5 ਪੀਪੀਐਮ ਤੋਂ ਘੱਟ ਰੱਖਣ ਦੀ ਗਰੰਟੀ ਦਿੰਦੀ ਹੈ, ਸਖ਼ਤ OEM ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਨੂੰ ਸੰਤੁਸ਼ਟ ਕਰਦੀ ਹੈ।ਫੈਬ ਸਟੈਂਡਰਡ।
4. ਮਾਲਕੀ ਦੀ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਲਾਗਤ (CoO): VET ਐਨਰਜੀ ਪ੍ਰਤੀਯੋਗੀ ਕੀਮਤ-ਤੋਂ-ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਅਨੁਪਾਤ ਦੇ ਨਾਲ-ਨਾਲ ਤੇਜ਼ ਲੀਡ ਟਾਈਮ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਚਿੱਪ ਨਿਰਮਾਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਖਪਤਯੋਗ ਖਰਚ ਘਟਾਉਣ ਵਿੱਚ ਮਦਦ ਮਿਲਦੀ ਹੈ।
ਪੋਸਟ ਸਮਾਂ: ਅਗਸਤ-14-2026