Բարձր մաքրության գրաֆիտային ընկալիչների համապարփակ ուղեցույց

Ժամանակակից կիսահաղորդչային սարքերի արտադրության և երրորդ սերնդի բարդ կիսահաղորդչային արտադրության մեջ (օրինակ՝ սիլիցիումի կարբիդ [SiC] և գալիումի նիտրիդ [GaN]), արդյունաբերական քննարկումները հաճախ կենտրոնանում են գերժամանակակից EUV լիտոգրաֆիկ մեքենաների, պլազմային փորագրիչների կամ նախորդող գազի մաքրության շուրջ: Այնուամենայնիվ, ռեակցիայի խցիկի գերմաքուր, խիստ կոռոզիոն և բարձր ջերմաստիճանային միջավայրում գտնվում է կարևորագույն չգովերգված հերոս՝ գրաֆիտային ընկալիչը:

1. Ի՞նչ է գրաֆիտի ընկալիչը:

A Գրաֆիտային ընկալիչբարձր մաքրության իզո-ձուլված կամ էքստրուդացված գրաֆիտից պատրաստված ճշգրիտ մշակված ֆունկցիոնալ կրող բաղադրիչ է, որը հաճախ ունի սկավառակաձև, գրպանաձև կամ պատվերով պատրաստված կառուցվածք։եռաչափ երկրաչափություններ, որոնք հարմարեցված են կոնկրետ ռեակցիայի խցիկներին։

Քիմիական գոլորշու նստեցման (CVD), մետաղ-օրգանական քիմիական գոլորշու նստեցման (MOCVD) և արագ ջերմային մշակման (RTP) ռեակտորների նման սարքավորումներում կրող հարթակի հիմնական գործառույթը կիսահաղորդչային թիթեղների հուսալի ամրացումն է՝ միաժամանակ ծառայելով որպես հիմնական ջերմափոխանակիչ: Գրաֆիտային ընկալիչի ինդուկցիոն տաքացման մեխանիզմները օգտագործելով՝ բաղադրիչը արագորեն կլանում է ռադիոհաճախականության (RF) կամ միկրոալիքային էլեկտրամագնիսական էներգիան և այն վերածում միատարր ջերմային էներգիայի՝ նպաստելով թիթեղի մակերեսի վրա միլիվայրկյանային մակարդակի ճշգրիտ ջերմային կառավարմանը:

2. Նյութի կազմը և միկրոկառուցվածքը. Ինչո՞ւ իզոստատիկ գրաֆիտ + CVD SiC ծածկույթ:

Անպատված հում գրաֆիտը չի կարող դիմանալ կիսահաղորդչային արտադրության ագրեսիվ քիմիական միջավայրերին և մաքրության խիստ պահանջներին: Ժամանակակից բարձր արդյունավետությամբ գրաֆիտային ընկալիչները օգտագործում են մասնագիտացված երկշերտ կոմպոզիտային համակարգ՝

(1) Բարձր մաքրության իզոստատիկ գրաֆիտային հիմք

Միջուկային հիմքը արտադրվում է իզոստատիկորեն սեղմված գրաֆիտից: Գրաֆիտի միկրոբյուրեղային դասավորությունը օպտիմալացնելով՝ այն հասնում է իզոտրոպ ֆիզիկական հատկությունների, ցածր ծակոտկենության և բարձր մեխանիկական ճկման ամրության, ապահովելով իդեալական հիմք բարդ վաֆլիային գրպանային երկրաչափությունների միկրոմեքենայացման համար:

(2) CVD սիլիցիումի կարբիդի (SiC) պաշտպանիչ ծածկույթ

Քիմիական գոլորշու նստեցման միջոցով գրաֆիտային հիմքի վրա աճեցվում է պոլիկրիստալ B-SiC-ի խիտ շերտ (սովորաբար 10-ից 100 մկմ հաստությամբ և 99.999% մաքրությամբ): Այս ծածկույթը լիովին փակում է գրաֆիտի մակերեսի միկրոծակոտիները, կանխում մասնիկների արտահոսքը և ապահովում է անթափանց պատնեշ քայքայիչ փորագրման գազերի, ինչպիսիք են HCI-ը, NH-ը և ֆտորացված միացությունները, դեմ:

3. Հիմնական ֆիզիկական հատկություններ և նյութերի տեխնիկական բնութագրեր

Հիմնվելով խիստ լաբորատոր փորձարկումների և վավերացված արդյունաբերական չափանիշների վրա, բարձր մաքրության պատված գրաֆիտային ընկալիչները ցուցաբերում են հետևյալ կարևոր ֆիզիկական պարամետրերը՝

Հիմնական ճարտարագիտական ​​առավելությունները՝

1. Բարձրակարգ ջերմային ցնցումների դիմադրությունԿարող է դիմանալ անընդհատ արագ տաքացման և սառեցման ցիկլերին (1500°C-ից բարձր)՝ առանց ճաքերի կամ շերտազատման։

2. Քիմիական իներտությունԼիովին անխոցելի է H2, NH3, սիլանային գազերի և կոշտ քիմիական մաքրող միջոցների քայքայման նկատմամբ։

3. Ջերմային ընդարձակման գործակցի (CTE) համապատասխանեցումVET Energy-ի սեփական SiC նստեցման գործընթացը համապատասխանեցնում է SiC ծածկույթի ջերմային ընդարձակման վարքագիծը գրաֆիտային միջուկի հետ՝ կանխելով ծածկույթի կոտրումը ծայրահեղ ջերմաստիճաններում։

4. Դերը և կիրառությունները կիսահաղորդչային մշակման մեջ

Բարձր հուսալիության գրաֆիտային ընկալիչները ծառայում են որպես հիմնարար բաղադրիչներ կիսահաղորդչային արտադրության մի քանի կարևոր փուլերում.

(1) Սրտանոթային հիվանդությունների (ՍՎՀ) և ՄԿՎՀ էպիտաքսիալ աճ (ԷԱԱ)

GaN լուսադիոդների արտադրության մեջ, SiC սնուցման սարքի էպիտաքսիայում և սիլիցիումային վաֆլիի էպի-աճումում, թաղանթի հաստությունը և խառնուրդի միատարրությունը մեծապես կախված են ջերմային դաշտի միատարրությունից: Գրաֆիտային ընկալիչները պտտման ընթացքում ջերմությունը հավասարաչափ բաշխում են մեկ կամ բազմավաֆլի կոնֆիգուրացիաների միջև՝ ճնշելով ջերմային լարվածությունից առաջացած վաֆլիի ծռումը կամ սահքի գծերը:

(2) Միակ բյուրեղային աճեցում (PVT մեթոդ)

Սիլիցիումի կարբիդի (SiC) և շափյուղայի բյուրեղների ֆիզիկական գոլորշու փոխադրման (PVT) միջոցով աճի ընթացքում սուսֆերորը սահմանում է ջերմային գոտու գրադիենտը՝ անմիջականորեն ուղղորդելով միաբյուրեղային ձուլակտորի ձևավորումը և նվազեցնելով դիսլոկացիայի խտությունը։

(3) Արագ ջերմային մշակում (RTP) և թրծում

Օգտագործելով գրաֆիտային ընկալիչի արդյունավետ ինդուկցիոն տաքացումը, հարթակը հնարավորություն է տալիս ապահովել գերարագ ջերմային արձագանքման ժամանակներ, որոնք անհրաժեշտ են իմպլանտացիայից հետո ցանցի թրծման և միացումների ձևավորման համար։

5. Ինչո՞ւ ընտրել VET Energy-ն։

Մատակարարման շղթայի դիմացկունության, ծայրահեղ մաքրության և ծառայության ժամկետի երկարացման պահանջներով,Մասնագիտական ​​​​ուսումնական հաստատությունների էներգետիկաառանձնանում է որպես վստահելի գլոբալ ինժեներական գործընկեր՝

1. Ճշգրիտ միկրոմեքենաշինությունԲազմաառանցքային CNC մեքենայական մշակման կենտրոնները հնարավորություն են տալիս ստեղծել բարդ վաֆլիի գրպաններ, միկրոակոսներ և հատուկ աերոդինամիկ գազային խողովակներ՝ մինչև միկրոմետրային մակարդակ թույլատրելի շեղումներով։

2. SiC-ի առաջադեմ խիտ CVD նստեցումՄեր սեփական CVD գործընթացը ապահովում է բարձր խիտ, հայելային փայլեցման ենթարկվող SiC ծածկույթներ, որոնք ջերմային ցիկլի շահագործման ժամկետը երկարացնում են ավելի քան 30%-ով։

3. Գերմաքուր մշակման միջավայրԼիարժեք մաքրումը և մաքուր սենյակում մշակումը երաշխավորում են մոխրի ընդհանուր պարունակության կայուն պահպանում 5 ppm-ից ցածր, բավարարելով խիստ OEM կիսահաղորդչային չափանիշները։Ֆաբ ստանդարտներ։

4. Սեփականության օպտիմալացված արժեք (CoO)VET Energy-ն ապահովում է արագացված պատրաստման ժամկետներ՝ մրցակցային գնի և որակի հարաբերակցության հետ մեկտեղ, օգնելով չիպերի արտադրողներին կրճատել սպառվող ծախսերը։