He Alakaʻi Piha i nā Mea Hoʻopaʻa Graphite Maʻemaʻe Kiʻekiʻe

I ka hana ʻana o nā hāmeʻa semiconductor hou a me ka hana ʻana o ka semiconductor hui o ke kolu o ka hanauna (e like me Silicon Carbide [SiC] a me Gallium Nitride [GaN]), ke kau pinepine nei nā kūkākūkā ʻoihana a puni nā mīkini lithography EUV ultra-advanced, nā mea hoʻoheheʻe plasma, a i ʻole ka maʻemaʻe kinoea precursor. Eia nō naʻe, i loko o ke kaiapuni maʻemaʻe loa, ʻino loa, a me ke kiʻekiʻe o ka lumi hana e noho ana kahi koa koʻikoʻi i kapa ʻole ʻia: ʻo ka susceptor Graphite.

1. He aha ka Graphite Susceptor?

A Mea hoʻopaʻa graphitehe ʻāpana lawe hana i hana ʻia me ka pololei i hana ʻia mai ka graphite i hoʻoheheʻe ʻia a i ʻole extruded kiʻekiʻe, pinepine e hōʻike ana i ke ʻano disk, ʻeke ʻia, a i ʻole ke ʻano maʻamau.nā geometries ʻekolu-dimensional i hana ʻia e kūpono i nā keʻena hopena kikoʻī.

I loko o nā lako e like me ka Chemical Vapor Deposition (CVD), Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), a me Rapid Thermal Processing (RTP) reactors, ʻo ka hana nui o ka paepae lawe ka hoʻopaʻa paʻa ʻana i nā wafers semiconductor ʻoiai e lawelawe ana ma ke ʻano he mea hoʻololi wela mua. Ma ka hoʻohana ʻana i nā ʻano hana hoʻomehana induction susceptor Graphite, hoʻopili koke ka ʻāpana i ka Radio Frequency (RF) a i ʻole ka ikehu electromagnetic microwave a hoʻololi iā ia i ikehu thermal like, e hoʻomaʻamaʻa ana i ka kaohi wela pololei millisecond-level ma ka ʻili wafer.

2. Ka Hoʻohuihui Mea & ʻAno Micro: No ke aha ʻo Isostatic Graphite + CVD SiC Coating?

ʻAʻole hiki i ka graphite maka i uhi ʻole ʻia ke ola i nā lewa kemika huhū a me nā koi maʻemaʻe koʻikoʻi o ka hana semiconductor. Hoʻohana nā mea hoʻoulu Graphite hana kiʻekiʻe o kēia wā i kahi ʻōnaehana composite pālua-papa kūikawā:

(1) ʻO ka Substrate Graphite Isostatic Maʻemaʻe Kiʻekiʻe

Hana ʻia ke kumu substrate me ka hoʻohana ʻana i ka graphite i kaomi ʻia isostatically. Ma ka hoʻonui ʻana i ke ʻano graphite micro crystalline alignment, hoʻokō ia i nā waiwai kino isotropic, porosity haʻahaʻa, a me ka ikaika flexural mechanical kiʻekiʻe, e hāʻawi ana i kahi kahua kūpono no ka micro-machining intricate wafer pocket geometries.

(2) Uhi Pale CVD Silicon Carbide (SiC)

Ma ka hoʻohana ʻana i ka Chemical Vapor Deposition, ua ulu ʻia kahi papa mānoanoa loa o ka poly-crystalline B-SiC (maʻamau he 10 a 100 um ka mānoanoa me ka maʻemaʻe 99.999%) ma luna o ka substrate graphite. Hoʻopaʻa piha kēia uhi i nā micro-pores o ka ʻili graphite, pale i ka hoʻokahe ʻana o nā particulate, a hāʻawi i kahi pale impermeable e kūʻē i nā kinoea etching corrosive e like me HCI, NH,, a me nā hui fluorinated.

3. Nā Waiwai Kino Koʻikoʻi a me nā Kikoʻī Mea

Ma muli o nā hoʻāʻo hoʻokolohua koʻikoʻi a me nā pae hoʻohālikelike ʻoihana i hōʻoia ʻia, hōʻike nā mea hoʻoulu Graphite i uhi ʻia i ka maʻemaʻe kiʻekiʻe i nā ʻano kino koʻikoʻi e hiki mai ana:

Nā Pōmaikaʻi o ka ʻenekinia koʻikoʻi:

1. Ke kū'ē'ē wela kiʻekiʻe loaHiki ke hoʻomanawanui i nā pōʻaiapuni hoʻomehana wikiwiki a me ka hoʻomaʻalili mau (ma luna o 1500°C) me ka ʻole o ka māwae a i ʻole ka delamination.

2. Ka Inertness KemikaPale loa i ka hōʻino ʻia mai ka H2, NH3, nā kinoea silane, a me nā mea hoʻomaʻemaʻe kemika ʻino.

3. Hoʻohālikelike ʻana o ke koina o ka hoʻonui wela (CTE)Hoʻohālikelike ke kaʻina hana waiho SiC ponoʻī a VET Energy i ke ʻano hoʻonui wela o ka uhi SiC me ka ʻiʻo graphite, e pale ana i ka haki ʻana o ka uhi ma nā mahana koʻikoʻi.

4. Kūlana a me nā noi ma ka hana ʻana o Semiconductor

Hana nā mea hoʻopaʻa graphite hilinaʻi kiʻekiʻe ma ke ʻano he mau ʻāpana hiki ke hoʻokumu i nā ʻanuʻu hana semiconductor koʻikoʻi:

(1) CVD a me MOCVD Epitaxial Growth (Epi)

I ka hana ʻana o GaN LED, ʻo ka epitaxy o ka hāmeʻa mana SiC, a me ka ulu ʻana o ka silicon wafer, ka mānoanoa o ka ʻili a me ke ʻano like o ka doping e hilinaʻi nui ʻia i ka homogeneity o ke kahua wela. Hoʻolaha like nā susceptors graphite i ka wela ma waena o nā hoʻonohonoho wafer hoʻokahi a i ʻole multi-wafer i ka wā o ka hoʻohuli ʻana, e kāohi ana i ka thermal stress-induced wafer bowing a i ʻole nā ​​​​laina paheʻe.

(2) Ka ulu ʻana o ke aniani hoʻokahi (ʻano PVT)

I ka wā o ka ulu ʻana o ka Silicon Carbide (SiC) a me ka Sapphire crystal ma o ka Physical Vapor Transport (PVT), wehewehe ka susceptor i ka gradient zone thermal, e alakaʻi pololei ana i ka hoʻokumu ʻana o ka ingot kristal hoʻokahi a me ka hoʻemi ʻana i ka dislocation density.

(3) Ka Hana ʻana i ka Wera wikiwiki (RTP) a me ka Hoʻoheheʻe ʻana

Ma ka hoʻohana ʻana i ka hoʻomehana hoʻokomo Graphite susceptor kūpono, hiki i ka paepae ke hāʻawi i nā manawa pane wela wikiwiki loa e pono ai no ka hoʻohuihui lattice post-implantation a me ka hoʻokumu ʻana o ka hui ʻana.

5. No ke aha e koho ai iā VET Energy?

Me nā koi koi no ke kūpaʻa o ke kaulahao lako, ka maʻemaʻe loa, a me ke ola lawelawe lōʻihi,Ikehu VETkū i waho ma ke ʻano he hoa hana ʻenekinia honua hilinaʻi:

1. ʻO ka mīkini liʻiliʻi kikoʻīʻO nā kikowaena mīkini CNC multi-axis e hiki ai i nā ʻeke wafer paʻakikī, nā micro-grooves, a me nā kahawai kinoea aerodynamic maʻamau me nā hoʻomanawanui a hiki i ka pae micrometer.

2. Hoʻokaʻawale ʻana o ka CVD SiC Dense KiʻekiʻeʻO kā mākou kaʻina hana CVD ponoʻī e hoʻokō i nā uhi SiC paʻa loa, hiki ke hoʻopili ʻia e ke aniani e hoʻolōʻihi i ke ola hana o ke kaʻina hana thermal ma mua o 30%.

3. Kaiapuni Hana Maʻemaʻe LoaʻO ka hoʻomaʻemaʻe piha a me ka lawelawe ʻana i ka lumi maʻemaʻe e hōʻoia i ka nui o ka lehu i mālama mau ʻia ma lalo o 5 ppm, e hoʻokō ana i ka semiconductor OEM koʻikoʻiNā kūlana Fab.

4. Kumukūʻai Loaʻa i Hoʻonui ʻia (CoO)Hāʻawi ʻo VET Energy i nā manawa alakaʻi wikiwiki me ka hoʻokūkū ʻana i nā lakio kumukūʻai-i-ka hana, e kōkua ana i nā mea hana ʻāpana e hōʻemi i nā lilo hoʻopau.