2022 උසස් තත්ත්වයේ MOCVD Susceptor චීනයේ මාර්ගගතව මිලදී ගන්න, Sic Graphite epitaxy susceptors,
කාබන් සැපයුම් ප්‍රතිග්‍රාහක, ග්‍රැෆයිට් සසෙප්ටර්, මිනිරන් තැටි, SiC එපිටැක්සි, වේෆර් සසෙප්ටර්,

CVD-SiC ආලේපනය ඒකාකාර ව්‍යුහය, සංයුක්ත ද්‍රව්‍ය, ඉහළ උෂ්ණත්ව ප්‍රතිරෝධය, ඔක්සිකරණ ප්‍රතිරෝධය, ඉහළ සංශුද්ධතාවය, අම්ල සහ ක්ෂාර ප්‍රතිරෝධය සහ කාබනික ප්‍රතික්‍රියාකාරකය යන ලක්ෂණ ඇති අතර ස්ථායී භෞතික හා රසායනික ගුණ ඇත.

අධි-සංශුද්ධතාවයෙන් යුත් මිනිරන් ද්‍රව්‍ය හා සසඳන විට, මිනිරන් 400C දී ඔක්සිකරණය වීමට පටන් ගනී, එය ඔක්සිකරණය හේතුවෙන් කුඩු නැතිවීමට හේතු වන අතර, එහි ප්‍රතිඵලයක් ලෙස පර්යන්ත උපාංග සහ රික්ත කුටිවලට පරිසර දූෂණයක් ඇති වන අතර අධි-සංශුද්ධතාවයෙන් යුත් පරිසරයේ අපද්‍රව්‍ය වැඩි වේ.

කෙසේ වෙතත්, SiC ආලේපනය අංශක 1600 ක භෞතික හා රසායනික ස්ථායිතාව පවත්වා ගත හැකි අතර, එය නවීන කර්මාන්තවල, විශේෂයෙන් අර්ධ සන්නායක කර්මාන්තයේ බහුලව භාවිතා වේ.

අපගේ සමාගම ග්‍රැෆයිට්, පිඟන් මැටි සහ අනෙකුත් ද්‍රව්‍ය මතුපිට CVD ක්‍රමය මගින් SiC ආලේපන ක්‍රියාවලි සේවා සපයන අතර එමඟින් කාබන් සහ සිලිකන් අඩංගු විශේෂ වායූන් ඉහළ උෂ්ණත්වයකදී ප්‍රතික්‍රියා කර ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් SiC අණු ලබා ගනී, ආලේපිත ද්‍රව්‍යවල මතුපිට තැන්පත් කර ඇති අණු, SIC ආරක්ෂිත තට්ටුවක් සාදයි. සාදන ලද SIC ග්‍රැෆයිට් පදනමට තදින් බැඳී ඇති අතර, ග්‍රැෆයිට් පදනමට විශේෂ ගුණාංග ලබා දෙයි, එමඟින් ග්‍රැෆයිට් මතුපිට සංයුක්ත, සිදුරු රහිත, ඉහළ උෂ්ණත්ව ප්‍රතිරෝධය, විඛාදන ප්‍රතිරෝධය සහ ඔක්සිකරණ ප්‍රතිරෝධය ඇති කරයි.

අයදුම්පත:

ප්‍රධාන අංග:

1. ඉහළ උෂ්ණත්ව ඔක්සිකරණ ප්‍රතිරෝධය:

උෂ්ණත්වය සෙල්සියස් අංශක 1700 තරම් ඉහළ මට්ටමක පවතින විට ඔක්සිකරණ ප්‍රතිරෝධය තවමත් ඉතා හොඳයි.

2. ඉහළ සංශුද්ධතාවය: ඉහළ උෂ්ණත්ව ක්ලෝරිනීකරණ තත්ත්වය යටතේ රසායනික වාෂ්ප තැන්පත් වීමෙන් සාදනු ලැබේ.

3. ඛාදන ප්‍රතිරෝධය: ඉහළ දෘඪතාව, සංයුක්ත මතුපිට, සියුම් අංශු.

4. විඛාදන ප්‍රතිරෝධය: අම්ලය, ක්ෂාර, ලුණු සහ කාබනික ප්‍රතික්‍රියාකාරක.

CVD-SIC ආලේපනවල ප්‍රධාන පිරිවිතර:

සැපයුම් හැකියාව:

මසකට කෑලි/කෑලි 10000ක්
ඇසුරුම් කිරීම සහ බෙදා හැරීම:
ඇසුරුම් කිරීම: සම්මත සහ ශක්තිමත් ඇසුරුම්
පොලි බෑග් + පෙට්ටිය + කාඩ්බෝඩ් + පැලට්
වරාය:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
පූරක කාලය: