Si එපිටැක්සියල් කොටස්

සිලිකන් එපිටැක්සි (Si Epi) සඳහා CVD SiC ආලේපිත සංරචක

තනි-වේෆර් සහ කාණ්ඩ සිලිකන් එපිටැක්සියල් තැන්පත් කිරීමේ පද්ධති සඳහා නිරවද්‍යතාවයෙන් නිර්මාණය කර ඇති අපගේ CVD SiC ආලේපිත susceptors, චන්ද්‍රිකා තැටි සහ තාප ක්ෂේත්‍ර සංරචක කැපී පෙනෙන තාප ඒකාකාරිත්වය සහ ශුන්‍ය වායු පිටවීම ලබා දෙයි. ඉහළ ඝනත්ව ඝන β-SiC ආලේපන ස්ථරය ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් ග්‍රැෆයිට් උපස්ථරය සම්පූර්ණයෙන්ම ආවරණය කරයි, ප්‍රතික්‍රියාශීලී වායු කැටයම් කිරීම (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) වළක්වන අතර ඉහළ-උෂ්ණත්ව Si Epi සැකසුම් (1000°C - 1200°C) අතරතුර අතිශය අඩු ලෝහ අපිරිසිදු මට්ටම් (<5 ppm) සහතික කරයි.

තාප ක්ෂේත්‍ර ඒකාකාරිත්වය

පාලිත විමෝචනය නිරවද්‍ය වේෆර් දාරයේ සිට මැදට පටල ඝණකම අනුකූලතාව සහතික කරයි.

HCl එච්ච් ප්‍රතිරෝධය

ස්ථානීය කුටීර පිරිසිදු කිරීමේ රසායනික ද්‍රව්‍ය සහ තාප කම්පන වලට එරෙහිව ශක්තිමත් ආරක්ෂාවක් සපයයි.

OEM පද්ධති අනුකූලතාව

ප්‍රධාන ධාරාවේ 200mm/300mm තනි-වේෆර් Epi මෙවලම් (ව්‍යවහාරික ද්‍රව්‍ය, ASM) ට ගැලපෙන පරිදි නිරවද්‍ය CNC යන්ත්‍රගත කර ඇත.

තාක්ෂණික පරාමිතිය	පිරිවිතර අගය	සම්මත / පරීක්ෂණ ක්‍රමය
ආලේපන ද්‍රව්‍ය	CVD β-SiC (ඝන අවධිය)	අධි-ඝනත්ව ස්ඵටිකරූපී ව්‍යුහය
උපස්ථර ද්‍රව්‍ය	අතිශය පිරිසිදු සමස්ථානික මිනිරන්	ඝනත්වය: 1.82 - 1.88 g/cm³
රසායනික සංශුද්ධතාවය	මුළු අපද්‍රව්‍ය < 5 ppm	GDMS පරීක්ෂා කරන ලදී
ආලේපන ඝණකම	80 μm - 150 μm	ඒකාකාර බව ≤ ±5%