SiC එපිටැක්සියල් වර්ධනය සඳහා උසස් CVD ආලේපන
අධික තාප ආතතිය (1500°C - 1700°C) යටතේ ක්රියාත්මක වන අධි බලැති අර්ධ සන්නායක උපාංග ක්රියාවලීන් සඳහා සකස් කර ඇති අපගේ CVD SiC සහ TaC ආලේපිත ග්රහලෝක ප්රතිග්රාහක, චන්ද්රිකා තැටි සහ වායු පරාවර්තක විශිෂ්ටත්වය සඳහා ගොඩනගා ඇත. අංශු උත්පාදනය, මතුපිට හායනය සහ ප්රතික්රියාශීලී වායු කැටයම් (H₂, SiH₄, C₃H∯) වැළැක්වීම සඳහා නිර්මාණය කර ඇති අපගේ උසස් ආලේපන දිගු මෙහෙයුම් ආයු කාලය, උසස් මාත්රණ පාලනය සහ ඉහළ පටල ඝණකම ඒකාකාරිත්වය සහතික කරයි.අඟල් 6 සහ අඟල් 8 SiC එපිටැක්සියල් වේෆර්.
අතිශය ඉහළ උෂ්ණත්ව ස්ථායිතාව
දැඩි H₂/සිලේන් අඩු කරන පරිසරවල 1700°C දක්වා තාපජව ස්ථායී වේ.
අනුක්රමික CTE ගැළපීම
වේගවත් තාප චක්රවලදී ආලේපන දිරාපත්වීම, ක්ෂුද්ර ඉරිතැලීම් සහ ඉරිතැලීම් ඉවත් කරයි.
අඟල් 8 වේෆර් පරිමාණ සූදානම
ඊළඟ පරම්පරාවේ ඉහළ ප්රතිදාන SiC Epi ප්රතික්රියාකාරක (LPE, Aixtron, Nuflare) සඳහා සකස් කරන ලද නිරවද්ය CNC යන්ත්රකරණය.
| තාක්ෂණික පරාමිතිය | පිරිවිතර අගය | සම්මත / පරීක්ෂණ ක්රමය |
|---|---|---|
| ආලේපන ද්රව්ය විකල්ප | CVD SiC / ටැන්ටලම් කාබයිඩ් (TaC) | අධි-පිරිසිදු හර්මෙටික් ස්ථරය |
| පාදක උපස්ථරය | පිරිසිදු කළ සමස්ථානික මිනිරන් | තොග අපිරිසිදුකම < 5 ppm |
| තාප කම්පන ප්රතිරෝධය | ඩෙල්ටා T > 500°C බෑවුම් අනුපාතය | ඉරිතැලීම් / ගැලවී යාමක් නැත |
| මතුපිට රළුබව (Ra) | ≤ 0.4 μm (කැඩපත් ඔප දැමූ) | වේෆර් ඇලවීම සහ අංශු වළක්වයි |
