Fofo Fa'avevela Graphite Mama Maualuga mo le Epitaxy Semiconductor

I faiga semiconductor vevela maualuga e pei o le MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) ma le SiC epitaxial growth, o le puleaina o le thermal field e fuafua sa'o ai le tutusa o le mafiafia o le film deposition, le doping concentration, ma le ultimate wafer yield. I le avea ai ma se vaega autu o le thermal field, o leFa'avevela Graphite Mama MaualugaE tatau ona fa'agaoioia ma le mautu ma le fa'aauau pea i lalo o le vevela tele e sili atu i le 1600°C i totonu o siosiomaga kesi fa'agasolo e matua'i 'ele'elea. O le tu'ufa'atasia o su'esu'ega moni o talosaga a tagata fa'atau ma le malamalama taua i oloa, o lenei tusiga e tu'uina atu ai se au'ili'iliga loloto o tulaga lelei fa'atekinolosi, mamanu fa'atulagaina, ma le matafaioi taua o fa'avevela graphite mama maualuga i le gaosiga o semiconductor wafer.

Aiseā e Filifili ai le High-Purity Graphite Heater mo MOCVD Systems?

I faiga taua e pei o le MOCVD ma le GaN/SiC epitaxy, e oo lava i ni nai suiga laiti o le vevela (>2°C) e mafai ona oo atu ai i suiga o le wavelength po o ni faaletonu o le crystal i le epitaxial layer. O le faʻaaogaina o le maualuga o le thermal conductivity (100–150 W/m·K) ma le maualalo tele o le coefficient of thermal expansion (CTE), o mea graphite mama maualuga e faʻatautaia lelei ma vave le vevela i le susceptor atoa ma le wafer surface.

Tuufaatasia o le Fanua o le Vevela ma le Puleaina o le Tele-Sone

Ina ia tete'e atu i le leiloa o le vevela i pito o le potu epitaxy, o masini fa'avevela graphite mama maualuga e masani ona fa'aogaina se mamanu e pulea ai le vevela e tele-sone e tuto'atasi. E ala i fetuunaiga sa'o o le tete'e o le sone, e fa'apitoa e inisinia vaega fa'alava o matagaluega ma le tete'e eletise e tusa ai ma uiga o le leiloa o le vevela o le fanua tafe o le potu. O lenei mea e fa'atumauina ai le eseesega o le fanua vevela i le vaega o le tuputupu a'e o le wafer i totonu tonu o le ±1°C, ma fa'amautinoa ai le tutusa o le eletise i wafer uma i luga o le tisiketi.

Puleaina o le Lefulefu ma le Fa'amautinoaga o le Siosiomaga Mama Tele

E matuā maaleale lava faiga epitaxy a le semiconductor i mea leaga u'amea. O le graphite masani fa'apisinisi e iai ni elemene u'amea e pei o le u'amea (Fe), nickel (Ni), ma le kopa (Cu), e faigofie ona sosolo ma sosolo i totonu o le vaega epitaxial i le vevela maualuga, e fa'aleagaina ai le voltage malepe o le masini ma le gaioi o le avefe'au. O fa'avevela graphite mama maualuga e ui atu i faiga fa'amamāina o le chlorination i le vevela maualuga, e fa'aitiitia ai le aofa'i o le lefulefu i lalo ifo o le 5 ppm (ma lalo ifo o le 2 ppm mo le semiconductor maualuga), e puipuia ai le fa'aleagaina o le epitaxial wafers mai mea leaga o le fanua vevela i le puna.

Elemene Fa'avevela o le Graphite Fa'atekonolosi i le Fa'agasologa o le Semiconductor Wafer

E masani ona faia e elemene fa'avevela semiconductor ni taamilosaga fa'avevela ma fa'amālūlū vave mai le vevela o le potu e o'o atu i le faitau afe tikeri Celsius. E le pei o uaea fa'avevela u'amea (e pei o le tungsten po'o le molybdenum), lea e masani ona toe fa'amamago, malepelepe, pe pa'u'ū i le vevela maualuga, o le graphite e iai sona uiga fa'aletino tulaga ese: e fa'ateleina le malosi i le vevela.

Malosiaga Fa'amekanika i Vevela Maualuga ma le Tete'e atu i le Vaivai o le Fausaga

E fa'ateleina le malosi o le tensile ma le flexural o mea fa'akalaite pe a si'itia le vevela, ma o'o atu i le tumutumuga i le va o le 2000°C ma le 2500°C. O lenei uiga e fa'amautinoa ai e le afaina ai masini fa'avevela o le graphite i le gau o le eletise pe malepe fo'i ona o le malosi o le vevela ma le fa'agaoioiga i le vevela maualuga. O le i'uga, e fa'asaoina ai le mautu o le tete'e eletise i ta'amilosaga fa'agaoioiga uumi, ma fa'aitiitia ai le taimi e le'i fuafuaina e fa'agaoioi ai.

Masini 3D Sa'o ma Fa'atulagaga Mata'ituina Faigata

E manaʻomia e reactors semiconductor faʻaonaponei ni faʻatulagaga faʻapitoa e matuā laʻititi lava. O le graphite mama maualuga e iai le faigofie ona faʻaaogaina ma e mafai ona faʻagasolo e ala i le faʻaaogaina o le CNC 5-axis maualuga i ni mamanu mataʻutia o matagaluega—e pei o fausaga filo e tolu-vaega, auala gaugau serpentine, ma matagaluega faʻasolosolo lua-helix. O nei faʻatulagaga faʻataʻitaʻi maualuga e faʻateleina ai le lautele o le faʻavevela i totonu o se avanoa faʻatapulaʻaina, ma ausia ai le maualuga o le malosiaga e maua mai ai le malosi ma le maualalo o aafiaga o le inductance.

Fa'amanuiaga Autū o le Fa'atinoga o Fa'avevela Graphite Ufiufi SiC

Ina ia tete'e atu i siosiomaga faigata o faiga fa'agasologa—e pei o le ea e fa'aitiitia ai le vevela o le haitorosene po'o kasa eliina ai le chlorine/fluorine—o le fa'aputuina o se vaega mafiafia o le Silicon Carbide (CVD SiC Coating) i luga o le fogaeleele o le graphite mama maualuga ua avea ma fofo masani mo le alamanuia.

Tete'e atu i le Fa'a'ese'esega o le Haidrogeno ma le Leai o le Fa'a'ese'esega o Particles

I le taimi o le epitaxy a le SiC ma le Silicon, e maualuga tele le maualuga o le H₂E matuā vaneina e le kesi le graphite e le'i ufiufia i le vevela maualuga (o le vaneina o le hydrogen e fausia ai le kesi methane), ma mageso ai le fogāeleele o le graphite, e faigofie ona malepelepe, ma mafua ai ona pisia vaega laiti. O se ufiufi mafiafia o le CVD SiC e 100% e fa'amaufa'ailogaina ai pu laiti i luga o le fogāeleele o le graphite, e fa'aesea atoatoa ai le soloia o le kesi ma fausia ai se siosiomaga e matuā mamā ma leai se vaega e fa'ama'ape'aina.

Tumau i Ala o Faasalalauga Saua ma le Faʻaitiitia o le Tau o le Puleaina (TCO)

I siosiomaga tali atu e aofia ai kasa e matuā gaioi e pei o le HCl ma le NH₃, o vali CVD SiC e faʻaalia ai le malosi sili atu ona lelei i vailaʻau. E le gata ina puipuia ai le graphite substrate mai le ele ae faʻalauteleina ai foʻi le taamilosaga o le suia o elemene faʻavevela (e masani ona faʻaleleia atili ai le umi o le tautua e silia ma le 200%). O lenei mea e faʻaitiitia tele ai le Tau Aofaʻi o le Puleaina (TCO) o le semiconductor fab ma le tau faʻaititia i le wafer taʻitasi.

Suʻesuʻega o le Tulaga: Foia o le Tutusa o le Vevela ma le Faʻaleagaina o le Vaega i le SiC Epitaxy

Fa'afitauli o Tagata Fa'atau:O se kamupani gaosi oloa epitaxy semiconductor tupulaga lona 3 lauiloa i Siamani na feagai ma ni faʻalavelave taua se lua i le taimi o le tuputupu aʻe o le epitaxial SiC e 6-inisi (vevela o le faagasologa 1650°C, H₂+ TCS atmosphere): Muamua, o le mafiafia o le epitaxial layer deviation i pito o le wafer na oʻo atu i le ±3.8%, ma mafua ai ona faaletonu le masini pito. Lua, o le uluai OEM graphite heater na faaalia ai le tele o le hydrogen etching ma le spalling i luga ina ua mavae le 120 itula o le faaaogaina, ma mafua ai ona tele le pa'ū o vaega i totonu o le reaction chamber—e sili atu i le tulaga maualuga o le lelei o le faaletonu i le averesi e 3×.

Su'esu'ega o le Malosiaga a le VET ma le Fofo Fa'apitoa

I le maeʻa ai o le galuega, na faia ai e le au inisinia a le VET Energy ni faʻataʻitaʻiga faʻapipiʻi o le electro-thermal ma le fluid-flow i luga o le masini faʻavevela muamua a le OEM. Na faʻaalia i le suʻesuʻega le le lava o le taui o le malosi faʻavevela i pito ma ni micro-pores/thermal stress breath i le ufiufi o le SiC (e naʻo le 60μm le mafiafia o le ufiufi ma e vaivai le pipii). I le tali atu, na saunia ai e le VET Energy se fofo faʻainisinia faʻapitoa:

• Fa'aleleia atili o le Fausaga o le Fanua Fa'avevela:Fa'atinoina se mamanu e pulea ai le tete'e tuto'atasi e 3-sone, ma fa'aitiitia ai le vaega fa'alava o le fa'avevela fa'ata'amilomilo e 8% e lata i sone e fa'aumatia ai pito e fa'ateleina ai le tele o le eletise i le lotoifale.
• Fa'aleleia atili o le Mamā Maualuga o le Substrate:Ua filifilia le karapiti isostatic isotropic maualuga le mafiafia ma le aofa'i o le lefulefu e <2 ppm, e fetaui lelei ma le coefficient of thermal expansion (CTE) ma le ufiufi SiC (CTE e fetaui ma le >98%).
• Fa'aleleia atili o le Fa'agasologa CVD SiC:Fa'aaogaina se fa'agasologa fa'aleleia atili o le fa'aputuina o le CVD, fa'ateleina ai le mafiafia o le ufiufi o le SiC i luga i le 150 ± 10 μm fa'atasi ai ma se fausaga mafiafia ma leai ni pu e mafai ona tete'e atu i le 1700°CH₂fa'amamāina

Iʻuga o le Faʻatinoina & Tau o Tagata Faʻatau na Tuʻuina Atu

I le maeʻa ai o aso e 30 sosoo o le faʻamaoniaina o le laina gaosiga, na lipotia mai e le tagata faʻatau ni faʻaleleia atili o le faʻatinoga: o le tutusa o le mafiafia o le epitaxial full-wafer (e aofia ai le 3mm end exclusion) na faʻaleleia tele mai le±3.8% i le ±0.8%; o le masini fa'avevela e fa'agaoioia pea mosilia ma le 400 itulae aunoa ma se māvaevae o le ufiufi po'o le malepelepe o le fogāeleele; o fa'aletonu o le vaega e tasi le taimi e fa'ata'amilo ai (>0.5μm) sa i aifa'aitiitia i le 85%. O lenei mea na maua ai se faʻaopoopoga tuusaʻo e 12% i le fua o le prime chip i le wafer ma faʻaitiitia ai tau o le tausiga o masini faʻaletausaga e tusa ma le€85,000.

Fesili e Masani Ona Fesiligia