Su'esu'ega o le Tulaga: Vaega o le Graphite Mama Maualuga mo Fanua Fa'avevela Monocrystalline e 32-Inisi i le Tuputupu A'e o le Silicon i le Ituaiga-N

Fa'atomuaga: O le Lu'itau o le Fanua Fa'avevela e 32-Inisi i le Tuputupu A'e o le Silicon N-Type Maualuga

A o vave ona suia le alamanuia o le photovoltaics mai le P-type PERC i le N-type TOPCon ma le Heterojunction (HJT) solar cells, ua matuā fa’ateleina le mana’oga mo silicon wafers e sili atu le mama. O N-type silicon substrates e mana’omia ai le umi e ola ai le minority carrier lifetime (e masani lava >300 μs) ma le toetoe lava a leai se fa’aleagaina o le u’amea fesuia’i.

Ina ia faʻateleina le gaosiga o le eletise, o loʻo faʻalauteleina e le au gaosi silicon wafer le tele o le ogaumu i le 32 inisi ma tua atu. Peitaʻi, o le faʻaaogaina i le vevela e sili atu i le 1,450°C i totonu o se fanua vevela e 32-inisi e faʻaalia ai ni luʻitau faʻainisinia ogaoga:

1. Fa'aleagaina o le Vevela ma le Le Tutusa:O le tele o fesuia'iga o le vevela e mafua ai ona fa'aleagaina le fausaga ma māvaevae ai fa'alava ma pedestal masani o le graphite.
2. Fa'aleagaina o U'amea Fe'avea'i:O elemene leaga (Fe, Ni, Cu, V) i totonu o le graphite masani e liu ausa pe a umi se taimi e tosoina ai le tioata, ona sosolo sa'o atu lea i totonu o le silicon ua liusuavai ma mafua ai ona matuā faaleagaina le olaga atoa o le vaega e feavea'i ai le tioata.

Fofo Fa'ainisinia: Ultra-Purified Isostatic Graphite & CVD SiC Shielding

Ina ia foia nei faʻafitauli faʻapitoa, na faʻaaogaina ai e le VeTek Semiconductor se faʻaleleia atili o meafaitino i totonu o le faʻapotopotoga atoa o le fanua faʻavevela e 32-inisi, e aofia ai le graphite isostatic maualuga-density ua faʻamamāina i le vevela maualuga ma ufiufi puipuia o le CVD Silicon Carbide (SiC).

1. Fa'amamāina Loloto o le Halogen (Aofa'iga o le Lefulefu ≤ 2-5 ppm)

O le karapite masani fa'apisinisi e iai le tele o le lefulefu e amata mai le 50 ppm i le 200 ppm. I le 1,450°C i lalo o le masini mitiia, e liu suavai nei elemene laiti. O la matou Faiga Fa'amamāina o Kasa Halogen i le Vevela Maualuga e liua ai mea leaga u'amea i ni mea e liu suavai ai (chlorides/fluorides) i le vevela e sili atu i le 2,400°C.

• Su'ega o le Glow Discharge Mass Spectrometry (GDMS)e faʻamaonia ai o le aofaʻi atoa o mea leaga uʻamea (Fe, Cr, Ni, Cu, V) ua faʻaitiitia i lalo ifo o le 0.5 ppm, ma maua ai le aofaʻi atoa o le lefulefu e ≤ 2 ppm.
• I'uga:Ave'ese le fa'atupuina o kasa u'amea i tua atu, puipuia ai le vaituloto silicon ua liusuavai mai le fa'aleagaina i le silia ma le 120 itula o ta'amilosaga fa'asolosolo o le tosoina.

2. Fausaga o le Graphite Isostatic High-Density mo le Mausali o le Vevela

O vaega e aofia ai le graphite heater, le crucible susceptor, ma le insulation barrel e masiniina mai le isostatic graphite maualuga le mafiafia (1.85 g/cm³), fine-grain (tele o le fatu <10 μm). O le isostatic pressing e faʻamautinoa ai le tutusa o le isotropic thermal expansion (CTE), e puipuia ai le localized thermal stress, piʻo, ma le mechanical cracking i lalo o le tele o taamilosaga faʻavevela.

3. Ufiufi Puipui CVD Silicon Carbide (SiC)

O vaega taua e fa'aalia i le silicon ausa ma kasa fa'amamā e ufiufiina i se vaega mafiafia e 50–80 μm o le Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (SiC).

• Pa Puipui e Fa'a'ele'elea:Taofia ai le tali atu tuusa'o o vaila'au i le va o le volatile silicon vapor (SiO) ma le graphite substrate (SiO + 2C → SiC + CO), ma fa'aitiitia ai le soloia o le fogā'ele'ele ma le gaosia o le efuefu kaponi.
• Sa'o Fa'ata'atia:E faatumauina le fausaga sa'o o le fanua vevela e silia ma le 30% le umi o le vaitaimi o tautua.

Fa'amaumauga o le Fa'atinoga ua Fuaina & Fa'amaoniga o le Su'ega i le Fanua

Sa faia se suega fa'atusatusa i le fanua mo le 6 masina i ogaumu CZ e 32-inisi le lapo'a e 50 i se fale gaosi oloa TOPCon silicon wafer tier-1. O lo'o i lalo le fa'atusatusaga o le fa'atinoga e fa'atusatusa ai vaega masani o le graphite fa'asaga i le fofo fa'amama vevela a le VeTek Semiconductor:

Fesili e Masani Ona Fesiligia (FAQ)

Faaiuga & Fautuaga Fa'apitoa

O le fa'aleleia atili i vaega o le graphite isostatic ultra-purified faatasi ai ma le puipuiga o le CVD SiC e maua ai se auala tuusa'o ma fuaina e foia ai fa'afitauli o le fua ma le le mama i le tuputupu a'e o le silicon monocrystalline N-type e 32-inisi. Faatasi ai ma le 18% fa'aleleia atili i le fua muamua ma le 30% fa'alauteleina o le ola o le fanua vevela, e mafai e le au gaosi oloa o le solar wafer ona ausia le ROI tele.