Vaega Epitaxial SiC

Ufiufi CVD Fa'atekonolosi mo le Tuputupu A'e o le SiC Epitaxial

Ua mamanuina mo faiga fa'atino o masini semiconductor e maualuga le malosi o lo'o fa'agaoioia i lalo o le vevela tele (1500°C - 1700°C), o a matou CVD SiC ma TaC ua ufiufi i paneta, tisiketi satelite, ma mea e fa'amama ai le kesi ua fausia ina ia sili ona lelei. Ua mamanuina e puipuia ai le gaosia o vaega, fa'aleagaina o luga, ma le reactive gas etching (H₂, SiH₄, C₃H∯), o a matou ufiufi fa'apitoa e fa'amautinoa ai le umi o le ola fa'agaoioia, pulea lelei o le dopant, ma le tutusa lelei o le mafiafia o le ata tifaga i luga.Wafer epitaxial SiC e 6-inisi ma le 8-inisi.

Mausali o le Vevela Maualuga Tele

E mautu i le vevela e oo atu i le 1700°C i siosiomaga ogaoga e fa'aitiitia ai le H₂/silane.

Fa'atusatusaga o le CTE Gradient

E aveese ai le faaleagaina o le ufiufi, micro-creases, ma le malepelepe i taimi o taamilosaga vave o le vevela.

Sauniuniga o le Fua Fa'a-Wafer e 8-Inisi

Masini CNC sa'o ua mamanuina mo reactors SiC Epi maualuga le gaosiga o le isi augatupulaga (LPE, Aixtron, Nuflare).

Fa'amatalaga Fa'apitoa	Tau o Fa'amatalaga	Metotia Fa'ata'ita'i / Su'ega
Filifiliga o Mea Ufiufi	CVD SiC / Tantalum Carbide (TaC)	Vaega Hermetic Mama Maualuga
Fa'avae Fa'avae	Karapite Isostatic Fa'amamāina	Mea Le Mama Tele < 5 ppm
Tete'e atu i le Te'i Fa'avevela	Delta T > 500°C Ramp Rate	Leai se Māvaevae / Pa'u'ū
Ma'ale'ale o le fogā'ele'ele (Ra)	≤ 0.4 μm (Fa'a'ila Fa'aata)	Puipuia le Pipii o le Wafer ma Vaega