Vaega ua Ufiufi CVD SiC mo le Silicon Epitaxy (Si Epi)

Ua mamanuina ma le sa'o mo faiga fa'aputuga Silicon Epitaxial e tasi le wafer ma le vaega, o a matou susceptors ua ufiufia i le CVD SiC, tisiketi satelite, ma vaega o le fanua vevela e tu'uina atu ai le tutusa lelei o le vevela ma le leai o se gassing. O le vaega ufiufi β-SiC cubic maualuga e fa'apipi'i atoatoa ai le substrate graphite mama maualuga, e puipuia ai le etching o le kesi tali atu (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) ma fa'amautinoa ai le maualalo tele o le tulaga leaga o metala (< 5 ppm) i le taimi o le fa'agasologa o le Si Epi i le vevela maualuga (1000°C - 1200°C).