செய்தி

சிலிக்கான் கார்பைடுக்கான தொழில்நுட்ப தடைகள் என்ன?
நிர்வாகியால் 24-05-22 அன்று
முதல் தலைமுறை குறைக்கடத்தி பொருட்கள் பாரம்பரிய சிலிக்கான் (Si) மற்றும் ஜெர்மானியம் (Ge) ஆகியவற்றால் குறிப்பிடப்படுகின்றன, அவை ஒருங்கிணைந்த சுற்று உற்பத்திக்கு அடிப்படையாகும். அவை குறைந்த மின்னழுத்தம், குறைந்த அதிர்வெண் மற்றும் குறைந்த சக்தி டிரான்சிஸ்டர்கள் மற்றும் டிடெக்டர்களில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. குறைக்கடத்தி தயாரிப்புகளில் 90% க்கும் அதிகமானவை...
மேலும் படிக்கவும்
SiC மைக்ரோ பவுடர் எவ்வாறு தயாரிக்கப்படுகிறது?
நிர்வாகியால் 24-05-13 அன்று
SiC ஒற்றை படிகம் என்பது 1:1 என்ற ஸ்டோச்சியோமெட்ரிக் விகிதத்தில் Si மற்றும் C ஆகிய இரண்டு தனிமங்களால் ஆன குழு IV-IV கலவை குறைக்கடத்திப் பொருளாகும். இதன் கடினத்தன்மை வைரத்திற்கு அடுத்தபடியாக உள்ளது. SiC ஐ தயாரிப்பதற்கான சிலிக்கான் ஆக்சைடின் கார்பன் குறைப்பு முறை முக்கியமாக பின்வரும் வேதியியல் எதிர்வினை சூத்திரத்தை அடிப்படையாகக் கொண்டது...
மேலும் படிக்கவும்
எபிடாக்சியல் அடுக்குகள் குறைக்கடத்தி சாதனங்களுக்கு எவ்வாறு உதவுகின்றன?
நிர்வாகியால் 24-05-13 அன்று
எபிடாக்சியல் வேஃபர் என்ற பெயரின் தோற்றம் முதலில், ஒரு சிறிய கருத்தை பிரபலப்படுத்துவோம்: வேஃபர் தயாரிப்பு இரண்டு முக்கிய இணைப்புகளை உள்ளடக்கியது: அடி மூலக்கூறு தயாரிப்பு மற்றும் எபிடாக்சியல் செயல்முறை. அடி மூலக்கூறு என்பது குறைக்கடத்தி ஒற்றை படிகப் பொருளால் ஆன ஒரு வேஃபர் ஆகும். அடி மூலக்கூறு நேரடியாக வேஃபர் உற்பத்தியாளருக்குள் நுழைய முடியும்...
மேலும் படிக்கவும்
வேதியியல் நீராவி படிவு (CVD) மெல்லிய படல படிவு தொழில்நுட்பத்திற்கான அறிமுகம்
நிர்வாகியால் 24-05-06 அன்று
வேதியியல் நீராவி படிவு (CVD) என்பது ஒரு முக்கியமான மெல்லிய படல படிவு தொழில்நுட்பமாகும், இது பெரும்பாலும் பல்வேறு செயல்பாட்டு படலங்கள் மற்றும் மெல்லிய அடுக்கு பொருட்களை தயாரிக்கப் பயன்படுகிறது, மேலும் குறைக்கடத்தி உற்பத்தி மற்றும் பிற துறைகளில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது. 1. CVD இன் செயல்பாட்டுக் கொள்கை CVD செயல்பாட்டில், ஒரு வாயு முன்னோடி (ஒன்று அல்லது...
மேலும் படிக்கவும்
ஒளிமின்னழுத்த குறைக்கடத்தித் தொழிலுக்குப் பின்னால் உள்ள "கருப்புத் தங்கம்" ரகசியம்: ஐசோஸ்டேடிக் கிராஃபைட்டின் மீதான ஆசை மற்றும் சார்பு.
நிர்வாகியால் 24-05-06 அன்று
ஐசோஸ்டேடிக் கிராஃபைட் என்பது ஒளிமின்னழுத்தங்கள் மற்றும் குறைக்கடத்திகளில் மிக முக்கியமான பொருளாகும். உள்நாட்டு ஐசோஸ்டேடிக் கிராஃபைட் நிறுவனங்களின் விரைவான வளர்ச்சியுடன், சீனாவில் வெளிநாட்டு நிறுவனங்களின் ஏகபோகம் உடைக்கப்பட்டுள்ளது. தொடர்ச்சியான சுயாதீன ஆராய்ச்சி மற்றும் மேம்பாடு மற்றும் தொழில்நுட்ப முன்னேற்றங்களுடன், ...
மேலும் படிக்கவும்
குறைக்கடத்தி மட்பாண்ட உற்பத்தியில் கிராஃபைட் படகுகளின் அத்தியாவசிய பண்புகளை வெளிப்படுத்துதல்
நிர்வாகியால் 24-04-22 அன்று
கிராஃபைட் படகுகள் என்றும் அழைக்கப்படும் கிராஃபைட் படகுகள், குறைக்கடத்தி மட்பாண்ட உற்பத்தியின் சிக்கலான செயல்முறைகளில் முக்கிய பங்கு வகிக்கின்றன. இந்த சிறப்பு பாத்திரங்கள் உயர் வெப்பநிலை சிகிச்சையின் போது குறைக்கடத்தி செதில்களுக்கு நம்பகமான கேரியர்களாக செயல்படுகின்றன, துல்லியமான மற்றும் கட்டுப்படுத்தப்பட்ட செயலாக்கத்தை உறுதி செய்கின்றன. ... உடன்
மேலும் படிக்கவும்
உலை குழாய் உபகரணங்களின் உள் அமைப்பு விரிவாக விளக்கப்பட்டுள்ளது.
நிர்வாகியால் 24-04-22 அன்று
மேலே காட்டப்பட்டுள்ளபடி, ஒரு பொதுவான முதல் பாதி: ▪ வெப்பமூட்டும் உறுப்பு (வெப்பமூட்டும் சுருள்): உலை குழாயைச் சுற்றி அமைந்துள்ளது, பொதுவாக உலை குழாயின் உட்புறத்தை சூடாக்கப் பயன்படுத்தப்படும் எதிர்ப்பு கம்பிகளால் ஆனது. ▪ குவார்ட்ஸ் குழாய்: சூடான ஆக்ஸிஜனேற்ற உலையின் மையப்பகுதி, h... தாங்கக்கூடிய உயர்-தூய்மை குவார்ட்ஸால் ஆனது.
மேலும் படிக்கவும்
MOSFET சாதன பண்புகளில் SiC அடி மூலக்கூறு மற்றும் எபிடாக்சியல் பொருட்களின் விளைவுகள்.
நிர்வாகியால் 24-04-16 அன்று
முக்கோணக் குறைபாடு முக்கோணக் குறைபாடுகள் SiC எபிடாக்சியல் அடுக்குகளில் மிகவும் ஆபத்தான உருவவியல் குறைபாடுகள் ஆகும். முக்கோணக் குறைபாடுகளின் உருவாக்கம் 3C படிக வடிவத்துடன் தொடர்புடையது என்பதை ஏராளமான இலக்கிய அறிக்கைகள் காட்டுகின்றன. இருப்பினும், வெவ்வேறு வளர்ச்சி வழிமுறைகள் காரணமாக, பலவற்றின் உருவவியல்...
மேலும் படிக்கவும்
SiC சிலிக்கான் கார்பைடு ஒற்றை படிகத்தின் வளர்ச்சி
நிர்வாகியால் 24-04-16 அன்று
அதன் கண்டுபிடிப்பிலிருந்து, சிலிக்கான் கார்பைடு பரவலான கவனத்தை ஈர்த்துள்ளது. சிலிக்கான் கார்பைடு பாதி Si அணுக்களையும் பாதி C அணுக்களையும் கொண்டது, இவை sp3 கலப்பின சுற்றுப்பாதைகளைப் பகிர்ந்து கொள்ளும் எலக்ட்ரான் ஜோடிகள் மூலம் கோவலன்ட் பிணைப்புகளால் இணைக்கப்பட்டுள்ளன. அதன் ஒற்றை படிகத்தின் அடிப்படை கட்டமைப்பு அலகில், நான்கு Si அணுக்கள் ஒரு...
மேலும் படிக்கவும்