ఫాస్ట్ డెలివరీ చైనా హాట్ సేల్ హై ప్యూరిటీ గ్రాఫైట్ మెటీరియల్ 30-99.9% ఎక్స్‌ట్రూడెడ్ గ్రాఫైట్ రాడ్

చిన్న వివరణ:


ఉత్పత్తి వివరాలు

ఉత్పత్తి ట్యాగ్‌లు

చైనా హాట్ సేల్ హై ప్యూరిటీ గ్రాఫైట్ మెటీరియల్ 30-99.9% ఎక్స్‌ట్రూడెడ్ డెలివరీ కోసం అత్యంత ఉత్సాహంగా ఆలోచించే పరిష్కారాలను ఉపయోగించి మా గౌరవనీయ కొనుగోలుదారులకు అందించడానికి మేము కట్టుబడి ఉంటాము.గ్రాఫైట్ రాడ్, ఒక్క మాటలో చెప్పాలంటే, మీరు మమ్మల్ని ఎంచుకున్నప్పుడు, మీరు గొప్ప జీవితాన్ని ఎంచుకుంటారు. మా తయారీ కేంద్రానికి వెళ్లి మీ కొనుగోలును స్వాగతించడానికి స్వాగతం! తదుపరి విచారణల కోసం, మమ్మల్ని సంప్రదించడానికి వేచి ఉండకండి.
మా గౌరవనీయ కొనుగోలుదారులకు అత్యంత ఉత్సాహంగా ఆలోచించే పరిష్కారాలను అందించడానికి మేము కట్టుబడి ఉంటాముచైనా ఎక్స్‌ట్రూడెడ్ గ్రాఫైట్ రాడ్, గ్రాఫైట్ రాడ్, మా వ్యాపార కార్యకలాపాలు మరియు ప్రక్రియలు మా కస్టమర్‌లు అతి తక్కువ సరఫరా సమయాలతో విస్తృత శ్రేణి ఉత్పత్తులు మరియు పరిష్కారాలను పొందేలా రూపొందించబడ్డాయి. ఈ విజయం మా అత్యంత నైపుణ్యం కలిగిన మరియు అనుభవజ్ఞులైన బృందం ద్వారా సాధ్యమైంది. ప్రపంచవ్యాప్తంగా మాతో కలిసి ఎదగాలని మరియు జనసమూహం నుండి ప్రత్యేకంగా నిలబడాలని కోరుకునే వ్యక్తుల కోసం మేము వెతుకుతున్నాము. ఇప్పుడు మనకు రేపటిని స్వీకరించే, దృష్టిని కలిగి ఉన్న, వారి మనస్సులను విస్తరించడానికి ఇష్టపడే మరియు వారు సాధించగలమని అనుకున్న దానికంటే చాలా దూరం వెళ్ళే వ్యక్తులు ఉన్నారు.

ఉత్పత్తి వివరణ

కార్బన్ / కార్బన్ మిశ్రమాలు(ఇకపై "" గా సూచిస్తారు.C / C లేదా CFC”) అనేది కార్బన్ ఆధారంగా మరియు కార్బన్ ఫైబర్ మరియు దాని ఉత్పత్తుల ద్వారా బలోపేతం చేయబడిన ఒక రకమైన మిశ్రమ పదార్థం (కార్బన్ ఫైబర్ ప్రీఫార్మ్). ఇది కార్బన్ యొక్క జడత్వం మరియు కార్బన్ ఫైబర్ యొక్క అధిక బలం రెండింటినీ కలిగి ఉంటుంది. ఇది మంచి యాంత్రిక లక్షణాలు, ఉష్ణ నిరోధకత, తుప్పు నిరోధకత, ఘర్షణ డంపింగ్ మరియు ఉష్ణ మరియు విద్యుత్ వాహకత లక్షణాలను కలిగి ఉంటుంది.

సివిడి-ఎస్ఐసిపూత ఏకరీతి నిర్మాణం, కాంపాక్ట్ పదార్థం, అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత, ఆక్సీకరణ నిరోధకత, అధిక స్వచ్ఛత, ఆమ్లం & క్షార నిరోధకత మరియు సేంద్రీయ కారకం వంటి లక్షణాలను కలిగి ఉంటుంది, స్థిరమైన భౌతిక మరియు రసాయన లక్షణాలను కలిగి ఉంటుంది.

అధిక స్వచ్ఛత కలిగిన గ్రాఫైట్ పదార్థాలతో పోలిస్తే, గ్రాఫైట్ 400C వద్ద ఆక్సీకరణం చెందడం ప్రారంభిస్తుంది, ఇది ఆక్సీకరణ కారణంగా పొడిని కోల్పోవడానికి కారణమవుతుంది, ఫలితంగా పరిధీయ పరికరాలు మరియు వాక్యూమ్ చాంబర్‌లకు పర్యావరణ కాలుష్యం ఏర్పడుతుంది మరియు అధిక స్వచ్ఛత కలిగిన పర్యావరణం యొక్క మలినాలను పెంచుతుంది.

అయితే, SiC పూత 1600 డిగ్రీల వద్ద భౌతిక మరియు రసాయన స్థిరత్వాన్ని నిర్వహించగలదు, ఇది ఆధునిక పరిశ్రమలో, ముఖ్యంగా సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమలో విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది.

మా కంపెనీ గ్రాఫైట్, సిరామిక్స్ మరియు ఇతర పదార్థాల ఉపరితలంపై CVD పద్ధతి ద్వారా SiC పూత ప్రక్రియ సేవలను అందిస్తుంది, తద్వారా కార్బన్ మరియు సిలికాన్ కలిగిన ప్రత్యేక వాయువులు అధిక ఉష్ణోగ్రత వద్ద చర్య జరిపి అధిక స్వచ్ఛత కలిగిన SiC అణువులను, పూత పూసిన పదార్థాల ఉపరితలంపై నిక్షిప్తం చేయబడిన అణువులను పొందుతాయి, SIC రక్షణ పొరను ఏర్పరుస్తాయి. ఏర్పడిన SIC గ్రాఫైట్ బేస్‌తో దృఢంగా బంధించబడి, గ్రాఫైట్ బేస్‌కు ప్రత్యేక లక్షణాలను ఇస్తుంది, తద్వారా గ్రాఫైట్ ఉపరితలం కాంపాక్ట్, పోరోసిటీ-రహితం, అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత, తుప్పు నిరోధకత మరియు ఆక్సీకరణ నిరోధకతను కలిగిస్తుంది.

 గ్రాఫైట్ ఉపరితల MOCVD ససెప్టర్లపై SiC పూత ప్రాసెసింగ్

ప్రధాన లక్షణాలు:

1. అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత:

ఉష్ణోగ్రత 1600 C వరకు ఉన్నప్పుడు కూడా ఆక్సీకరణ నిరోధకత చాలా బాగుంటుంది.

2. అధిక స్వచ్ఛత: అధిక ఉష్ణోగ్రత క్లోరినేషన్ స్థితిలో రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ ద్వారా తయారు చేయబడింది.

3. కోత నిరోధకత: అధిక కాఠిన్యం, కాంపాక్ట్ ఉపరితలం, సూక్ష్మ కణాలు.

4. తుప్పు నిరోధకత: ఆమ్లం, క్షారము, ఉప్పు మరియు సేంద్రీయ కారకాలు.

 

CVD-SIC పూతల యొక్క ప్రధాన లక్షణాలు:

సిఐసి-సివిడి

సాంద్రత

(గ్రా/సిసి)

3.21 తెలుగు

వంగుట బలం

(ఎంపిఎ)

470 తెలుగు

ఉష్ణ విస్తరణ

(10-6/కె)

4

ఉష్ణ వాహకత

(వా/మీ)

300లు

వివరణాత్మక చిత్రాలు

గ్రాఫైట్ ఉపరితల MOCVD ససెప్టర్లపై SiC పూత ప్రాసెసింగ్గ్రాఫైట్ ఉపరితల MOCVD ససెప్టర్లపై SiC పూత ప్రాసెసింగ్గ్రాఫైట్ ఉపరితల MOCVD ససెప్టర్లపై SiC పూత ప్రాసెసింగ్గ్రాఫైట్ ఉపరితల MOCVD ససెప్టర్లపై SiC పూత ప్రాసెసింగ్గ్రాఫైట్ ఉపరితల MOCVD ససెప్టర్లపై SiC పూత ప్రాసెసింగ్

కంపెనీ సమాచారం

111 తెలుగు

ఫ్యాక్టరీ పరికరాలు

222 తెలుగు in లో

గిడ్డంగి

333 తెలుగు in లో

ధృవపత్రాలు

ధృవపత్రాలు22

 


  • మునుపటి:
  • తరువాత:

  • WhatsApp ఆన్‌లైన్ చాట్!