Θα δεσμευτούμε να προσφέρουμε στους αξιότιμους αγοραστές μας τις πιο ενθουσιώδεις και διακριτικές λύσεις για γρήγορη παράδοση στην Κίνα, υλικό γραφίτη υψηλής καθαρότητας 30-99,9% εξώθησης.Ράβδος γραφίτηΜε λίγα λόγια, όταν μας επιλέγετε, επιλέγετε μια υπέροχη ζωή. Καλώς ήρθατε στο εργοστάσιο παραγωγής μας και καλωσορίστε την αγορά σας! Για περαιτέρω ερωτήσεις, μη διστάσετε να επικοινωνήσετε μαζί μας.
Θα δεσμευτούμε να προσφέρουμε στους αγαπητούς αγοραστές μας τις πιο ενθουσιώδεις και διακριτικές λύσεις γιαΚίνα Εξωθημένη ράβδος γραφίτη, Ράβδος γραφίτηΟι επιχειρηματικές μας δραστηριότητες και διαδικασίες έχουν σχεδιαστεί για να διασφαλίζουν ότι οι πελάτες μας έχουν πρόσβαση στην ευρύτερη γκάμα προϊόντων και λύσεων με τα συντομότερα χρονικά πλαίσια παράδοσης. Αυτό το επίτευγμα καθίσταται δυνατό χάρη στην άκρως εξειδικευμένη και έμπειρη ομάδα μας. Αναζητούμε άτομα που θέλουν να αναπτυχθούν μαζί μας σε όλο τον κόσμο και να ξεχωρίσουν από το πλήθος. Τώρα έχουμε άτομα που αγκαλιάζουν το αύριο, έχουν όραμα, αγαπούν να διευρύνουν το μυαλό τους και να προχωρήσουν πολύ πέρα από αυτό που θεωρούσαν εφικτό.
Σύνθετα υλικά άνθρακα / άνθρακα(εφεξής καλούμενο «C / C ή CFC”) είναι ένα είδος σύνθετου υλικού που βασίζεται στον άνθρακα και ενισχύεται από ίνες άνθρακα και τα προϊόντα του (προπλάσματα ινών άνθρακα). Έχει τόσο την αδράνεια του άνθρακα όσο και την υψηλή αντοχή των ινών άνθρακα. Έχει καλές μηχανικές ιδιότητες, αντοχή στη θερμότητα, αντοχή στη διάβρωση, απόσβεση τριβής και χαρακτηριστικά θερμικής και ηλεκτρικής αγωγιμότητας.
CVD-SiCΗ επίστρωση έχει τα χαρακτηριστικά ομοιόμορφης δομής, συμπαγούς υλικού, αντοχής σε υψηλή θερμοκρασία, αντοχής στην οξείδωση, υψηλής καθαρότητας, αντοχής σε οξέα και αλκάλια και οργανικού αντιδραστηρίου, με σταθερές φυσικές και χημικές ιδιότητες.
Σε σύγκριση με τα υλικά γραφίτη υψηλής καθαρότητας, ο γραφίτης αρχίζει να οξειδώνεται στους 400°C, γεγονός που προκαλεί απώλεια σκόνης λόγω οξείδωσης, με αποτέλεσμα τη ρύπανση του περιβάλλοντος σε περιφερειακές συσκευές και θαλάμους κενού και την αύξηση των ακαθαρσιών του περιβάλλοντος υψηλής καθαρότητας.
Ωστόσο, η επίστρωση SiC μπορεί να διατηρήσει φυσική και χημική σταθερότητα στους 1600 βαθμούς. Χρησιμοποιείται ευρέως στη σύγχρονη βιομηχανία, ειδικά στη βιομηχανία ημιαγωγών.
Η εταιρεία μας παρέχει υπηρεσίες επικάλυψης SiC με τη μέθοδο CVD στην επιφάνεια γραφίτη, κεραμικών και άλλων υλικών, έτσι ώστε ειδικά αέρια που περιέχουν άνθρακα και πυρίτιο να αντιδρούν σε υψηλή θερμοκρασία για να λάβουν μόρια SiC υψηλής καθαρότητας, τα οποία εναποτίθενται στην επιφάνεια των επικαλυμμένων υλικών, σχηματίζοντας προστατευτικό στρώμα SIC. Το σχηματιζόμενο SIC συνδέεται σταθερά με τη βάση γραφίτη, δίνοντας στη βάση γραφίτη ειδικές ιδιότητες, καθιστώντας έτσι την επιφάνεια του γραφίτη συμπαγή, χωρίς πορώδες, αντοχή σε υψηλές θερμοκρασίες, αντοχή στη διάβρωση και αντοχή στην οξείδωση.
Κύρια χαρακτηριστικά:
1. Αντοχή στην οξείδωση σε υψηλή θερμοκρασία:
Η αντοχή στην οξείδωση παραμένει πολύ καλή όταν η θερμοκρασία φτάσει τους 1600°C.
2. Υψηλή καθαρότητα: παρασκευάζεται με χημική εναπόθεση ατμών υπό συνθήκες χλωρίωσης σε υψηλή θερμοκρασία.
3. Αντίσταση στη διάβρωση: υψηλή σκληρότητα, συμπαγής επιφάνεια, λεπτά σωματίδια.
4. Αντοχή στη διάβρωση: όξινα, αλκαλικά, αλατισμένα και οργανικά αντιδραστήρια.
Κύριες προδιαγραφές των επιστρώσεων CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Πυκνότητα | (g/cc)
| 3.21 |
| Αντοχή σε κάμψη | (Μπα)
| 470 |
| Θερμική διαστολή | (10-6/Κ) | 4
|
| Θερμική αγωγιμότητα | (W/mK) | 300
|
