CVD-SiCقاپلاش تەكشى قۇرۇلما، زىچ ماتېرىيال، يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا چىداملىق، ئوكسىدلىنىشقا چىداملىق، يۇقىرى ساپلىق، كىسلاتا ۋە ئىشقارغا چىداملىق ۋە ئورگانىك رېئاگېنت قاتارلىق ئالاھىدىلىكلەرگە ئىگە بولۇپ، مۇقىم فىزىكىلىق ۋە خىمىيىلىك خۇسۇسىيەتكە ئىگە.

يۇقىرى ساپلىقتىكى گرافىت ماتېرىياللىرىغا سېلىشتۇرغاندا، گرافىت 400 سېلسىيە گرادۇستا ئوكسىدلىنىشقا باشلايدۇ، بۇ ئوكسىدلىنىش سەۋەبىدىن پاراشوكنىڭ يوقىلىشىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ، بۇنىڭ نەتىجىسىدە سىرتقى ئۈسكۈنىلەر ۋە ۋاكۇئۇم كامېرالىرىنىڭ مۇھىت بۇلغىنىشى ۋە يۇقىرى ساپلىقتىكى مۇھىتنىڭ بۇلغىنىشى كۆپىيىدۇ.

قانداقلا بولمىسۇن، SiC قاپلىمىسى 1600 گرادۇسلۇق تېمپېراتۇرىدا فىزىكىلىق ۋە خىمىيىلىك مۇقىملىقىنى ساقلىيالايدۇ، ئۇ زامانىۋى سانائەتتە، بولۇپمۇ يېرىم ئۆتكۈزگۈچ سانائىتىدە كەڭ قوللىنىلىدۇ.

شىركىتىمىز گرافىت، كېرامىكا ۋە باشقا ماتېرىياللارنىڭ يۈزىگە CVD ئۇسۇلى ئارقىلىق SiC قاپلاش جەريانى مۇلازىمىتى بىلەن تەمىنلەيدۇ، بۇنىڭ بىلەن كاربون ۋە كرېمنىي تەركىبىدىكى ئالاھىدە گازلار يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا رېئاكسىيە قىلىپ، يۇقىرى ساپلىقتىكى SiC مولېكۇلاسىنى ھاسىل قىلىدۇ، بۇ مولېكۇلالار قاپلانغان ماتېرىياللارنىڭ يۈزىگە چۆكۈپ، SIC قوغداش قەۋىتىنى ھاسىل قىلىدۇ. ھاسىل بولغان SIC گرافىت ئاساسىغا چىڭ چاپلىشىپ، گرافىت ئاساسىغا ئالاھىدە خۇسۇسىيەت بېرىدۇ، شۇڭا گرافىتنىڭ يۈزىنى زىچ، تۆشۈكسىز، يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا چىداملىق، چىرىشكە چىداملىق ۋە ئوكسىدلىنىشقا چىداملىق قىلىدۇ.

ئاساسلىق ئالاھىدىلىكلىرى:

1. يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش:

تېمپېراتۇرا 1600 سېلسىيە گرادۇسقىچە بولغاندا، ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى يەنىلا ناھايىتى ياخشى بولىدۇ.

2. يۇقىرى ساپلىق: يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق خىلورلاش شارائىتى ئاستىدا خىمىيىلىك پارغا چۆكتۈرۈش ئارقىلىق ياسىلىدۇ.

3. ئېروزىيەگە قارشى تۇرۇش: يۇقىرى قاتتىقلىق، زىچ يۈزە، نېپىز زەررىچىلەر.

4. چىرىشكە چىداملىق: كىسلاتا، ئىشقار، تۇز ۋە ئورگانىك رېئاگېنتلار.

CVD-SIC قاپلىمىلىرىنىڭ ئاساسلىق ئۆلچەملىرى: