Electrodo de carbono y silicona, varilla de grafito, varilla de carburo de silicona

Descripción breve:


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Nuestra corporación insiste en todo momento en la política de calidad de "la calidad superior del producto es la base de la supervivencia de la organización; la satisfacción del comprador será el punto de partida y el final de una empresa; la mejora persistente es la búsqueda eterna del personal" más el propósito constante de "reputación primero, comprador primero" para el suministro directo de fábrica de bloques de grafito electrolítico de China, el personal de nuestra empresa con el uso de tecnologías de vanguardia ofrece soluciones excelentes impecables sumamente adoradas y apreciadas por nuestros clientes a nivel mundial.
Nuestra corporación insiste en todo momento en la política de calidad de “la calidad superior del producto es la base de la supervivencia de la organización; la satisfacción del comprador es el punto de partida y el fin de una empresa; la mejora continua es la búsqueda eterna del personal” y el objetivo constante de “la reputación primero, el comprador primero” paraBloque de carbón, Bloque de grafito de ChinaNuestro personal se rige por el espíritu de "Desarrollo Interactivo y Basado en la Integridad" y el principio de "Calidad de Primera Clase con Excelente Servicio". De acuerdo con las necesidades de cada cliente, ofrecemos servicios personalizados para ayudarles a alcanzar sus objetivos con éxito. ¡Invitamos a clientes nacionales e internacionales a contactarnos y preguntar!

Descripción del Producto

Carbono/compuestos de carbono(en adelante denominados “C/C o CFC”) es un tipo de material compuesto basado en carbono y reforzado con fibra de carbono y sus productos (preformas de fibra de carbono). Posee la inercia del carbono y la alta resistencia de la fibra de carbono. Posee buenas propiedades mecánicas, resistencia al calor, resistencia a la corrosión, amortiguación de la fricción y conductividad térmica y eléctrica.

CVD-SiCEl recubrimiento tiene las características de estructura uniforme, material compacto, resistencia a altas temperaturas, resistencia a la oxidación, alta pureza, resistencia a ácidos y álcalis y reactivo orgánico, con propiedades físicas y químicas estables.

En comparación con los materiales de grafito de alta pureza, el grafito comienza a oxidarse a 400 °C, lo que provocará una pérdida de polvo debido a la oxidación, lo que generará contaminación ambiental en los dispositivos periféricos y las cámaras de vacío y aumentará las impurezas del entorno de alta pureza.

Sin embargo, el recubrimiento de SiC puede mantener la estabilidad física y química a 1600 grados y se utiliza ampliamente en la industria moderna, especialmente en la industria de semiconductores.

Nuestra empresa ofrece servicios de recubrimiento de SiC mediante el método CVD sobre superficies de grafito, cerámica y otros materiales. Esto permite que gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionen a alta temperatura para obtener moléculas de SiC de alta pureza. Estas moléculas se depositan sobre la superficie de los materiales recubiertos y forman una capa protectora de SIC. El SIC formado se une firmemente a la base de grafito, lo que le confiere propiedades especiales, lo que permite que la superficie del grafito sea compacta, libre de poros y resistente a altas temperaturas, a la corrosión y a la oxidación.

 Procesamiento de recubrimiento de SiC sobre susceptores MOCVD de superficie de grafito

Características principales:

1. Resistencia a la oxidación a altas temperaturas:

La resistencia a la oxidación sigue siendo muy buena cuando la temperatura alcanza los 1600 C.

2. Alta pureza: fabricado mediante deposición química de vapor en condiciones de cloración a alta temperatura.

3. Resistencia a la erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.

4. Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.

 

Especificaciones principales de los recubrimientos CVD-SIC:

SiC-CVD

Densidad

(g/cc)

3.21

Resistencia a la flexión

(Mpa)

470

Expansión térmica

(10-6/K)

4

Conductividad térmica

(W/mK)

300

Imágenes detalladas

Procesamiento de recubrimiento de SiC sobre susceptores MOCVD de superficie de grafitoProcesamiento de recubrimiento de SiC sobre susceptores MOCVD de superficie de grafitoProcesamiento de recubrimiento de SiC sobre susceptores MOCVD de superficie de grafitoProcesamiento de recubrimiento de SiC sobre susceptores MOCVD de superficie de grafitoProcesamiento de recubrimiento de SiC sobre susceptores MOCVD de superficie de grafito

Información de la empresa

111

Equipos de fábrica

222

Depósito

333

Certificaciones

Certificaciones22

 


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