Silikonazko karbono elektrodo grafito haga, silikonazko karburo haga

Deskribapen laburra:


Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

Gure korporazioak kalitate-politika hau azpimarratzen du hasieratik: "produktuaren kalitate gorena erakundearen biziraupenaren oinarria da; eroslearen plazera enpresa baten abiapuntua eta amaiera da; etengabeko hobekuntza langileen etengabeko bilaketa da", eta "ospea lehenik, eroslea lehenik" helburu koherentea du Factory Directly Supply China Electro Graphite Block-entzat. Gure enpresako langileek, punta-puntako teknologiak erabiliz, irtenbide bikain eta ezin hobeak eskaintzen dituzte, mundu osoko gure bezeroek oso maitatua eta estimatua.
Gure korporazioak kalitate-politika hau azpimarratzen du hasieratik amaierara arte: "produktuen kalitate gorena da enpresaren biziraupenaren oinarria; bezeroaren poza da enpresa baten hasiera eta amaiera; etengabeko hobekuntza da langileen etengabeko bilaketa", eta "ospea lehenik, eroslea lehenik" helburu koherentea.Karbono blokea, Txinako grafito blokeaGure langileek "Integritatean oinarritutako eta Garapen Interaktiboa" espiritua eta "Lehen mailako Kalitatea Zerbitzu Bikainarekin" printzipioa jarraitzen dituzte. Bezero bakoitzaren beharren arabera, zerbitzu pertsonalizatuak eskaintzen ditugu bezeroei beren helburuak arrakastaz lortzen laguntzeko. Etxeko eta atzerriko bezeroak gonbidatuta daude deitzera eta galdetzera!

Produktuaren deskribapena

Karbono / karbono konpositeak(aurrerantzean “C/C edo CFC”) karbonoz oinarritutako eta karbono-zuntzez eta bere produktuez (karbono-zuntz aurreformaz) indartutako material konposatu mota bat da. Karbonoaren inertzia eta karbono-zuntzaren erresistentzia handia ditu. Ezaugarri mekaniko onak, beroarekiko erresistentzia, korrosioarekiko erresistentzia, marruskaduraren moteltzea eta eroankortasun termiko eta elektrikoaren ezaugarriak ditu.

CVD-SiCEstaldurak egitura uniformea, material trinkoa, tenperatura altuarekiko erresistentzia, oxidazioarekiko erresistentzia, purutasun handikoa, azido eta alkaliekiko erresistentzia eta erreaktibo organikoa ditu ezaugarri, propietate fisiko eta kimiko egonkorrak dituelarik.

Grafitozko material puruekin alderatuta, grafitoa 400 °C-tan oxidatzen hasten da, eta horrek hauts-galera eragiten du oxidazioaren ondorioz, eta ondorioz, ingurumen-kutsadura sortzen da gailu periferikoetan eta huts-ganberetan, eta ingurune puruaren ezpurutasunak handitzen dira.

Hala ere, SiC estaldurak egonkortasun fisiko eta kimikoa mantendu dezake 1600 gradutan, eta oso erabilia da industria modernoan, batez ere erdieroaleen industrian.

Gure enpresak SiC estaldura prozesu zerbitzuak eskaintzen ditu CVD metodoaren bidez grafito, zeramika eta beste materialen gainazalean, karbono eta siliziozko gas bereziek tenperatura altuan erreakzionatzen baitute purutasun handiko SiC molekulak lortzeko, estalitako materialen gainazalean metatzen diren molekulak, SIC babes geruza eratuz. Sortutako SIC grafito oinarriari sendo lotuta dago, grafito oinarriari propietate bereziak emanez, horrela grafitoaren gainazala trinkoa, porositaterik gabekoa, tenperatura altuarekiko erresistentea, korrosioarekiko erresistentea eta oxidazioarekiko erresistentea bihurtuz.

 SiC estalduraren prozesamendua grafito gainazalean MOCVD suszeptoreetan

Ezaugarri nagusiak:

1. Tenperatura altuko oxidazio-erresistentzia:

Oxidazioarekiko erresistentzia oso ona da oraindik ere 1600 °C-ko tenperaturan.

2. Purutasun handia: tenperatura altuko klorazio-baldintzetan lurrun kimikoaren bidez egindakoa.

3. Higaduraren aurkako erresistentzia: gogortasun handia, gainazal trinkoa, partikula finak.

4. Korrosioarekiko erresistentzia: azidoa, alkalia, gatza eta erreaktibo organikoak.

 

CVD-SIC estalduren zehaztapen nagusiak:

SiC-CVD

Dentsitatea

(g/cc)

3.21

Flexio-erresistentzia

(Mpa)

470

Hedapen termikoa

(10-6/K)

4

Eroankortasun termikoa

(W/mK)

300

Irudi zehatzak

SiC estalduraren prozesamendua grafito gainazalean MOCVD suszeptoreetanSiC estalduraren prozesamendua grafito gainazalean MOCVD suszeptoreetanSiC estalduraren prozesamendua grafito gainazalean MOCVD suszeptoreetanSiC estalduraren prozesamendua grafito gainazalean MOCVD suszeptoreetanSiC estalduraren prozesamendua grafito gainazalean MOCVD suszeptoreetan

Enpresaren informazioa

111

Fabrika ekipamenduak

222

Biltegia

333

Ziurtagiriak

Ziurtagiriak22

 


  • Aurrekoa:
  • Hurrengoa:

  • WhatsApp bidezko txata online!